SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
W9725G8KB-25 Winbond Electronics W9725G8KB-25 2.2868
सराय
ECAD 1969 0.00000000 इलेक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA W9725G8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-WBGA (8x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 209 २०० सराय सराय 256Mbit 400 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS64LV25616AL-12TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LV25616AL-12TLA3 9.7086
सराय
ECAD 6402 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64LV25616 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
CG8839AF Infineon Technologies CG8839AF -
सराय
ECAD 8235 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 1
S25HL512TFAMHV013 Infineon Technologies S25HL512TFAMHV013 10.4650
सराय
ECAD 5631 0.00000000 इंफीनन टेक किलोमीटर R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
MTFC16GAKAECN-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-5M AIT TR -
सराय
ECAD 6067 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए MTFC16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.9V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
AT24C256-10PC-2.7 Microchip Technology AT24C256-10PC-2.7 -
सराय
ECAD 4121 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT24C256 ईपॉम 2.7V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 1 सराय सराय 256kbit 550 एनएस ईपॉम 32K x 8 मैं एसी 10ms
AS6C8008B-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008B-55ZIN 6.1251
सराय
ECAD 9670 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS6C8008B-55ZIN 135 सराय 8mbit 55 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 55NS
70V25S20J8 Renesas Electronics America Inc 70V25S20J8 -
सराय
ECAD 1869 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-जे (जे-लीड) 70V25S Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 84-PLCC (29.31x29.31) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 200 सराय 128kbit 20 एनएस शिर 8K x 16 तपस्वी 20NS
CY62146EV30LL-45BVXIT Infineon Technologies CY62146EV30LL-45BVXIT 8.5200
सराय
ECAD 3858 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62146 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
CY7C1470BV33-250BZXC Infineon Technologies CY7C1470BV3333-250BZXC 189.4200
सराय
ECAD 2543 0.00000000 इंफीनन टेक Nobl ™ शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1470 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 210 २०० सराय सराय 72MBIT 3 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
71T75802S150BG8 Renesas Electronics America Inc 71T75802S150BG8 41.3158
सराय
ECAD 7371 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) तंग 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए 71T75802 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 2.375V ~ 2.625V 119-((14x22) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १५० तंग सराय 18mbit 3.8 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
AS4C256M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LB-12BIN -
सराय
ECAD 9491 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-वीएफबीजीए AS4C256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 242 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
CY7C1059DV33-10ZSXIT Infineon Technologies CY7C1059DV33-10ZSXIT -
सराय
ECAD 4673 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY7C1059 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम SP005638251 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 10NS
70V658S12BC Renesas Electronics America Inc 70V658S12BC 179.1408
सराय
ECAD 6654 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 256-एलबीजीए 70V658 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3.15V ~ 3.45V २५६-ओना (११ X17) तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 6 सराय 2mbit 12 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी 12NS
AT28HC256-90PC Microchip Technology AT28HC256-90pc -
सराय
ECAD 8709 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 28-DIP (0.600 ", 15.24 मिमी) AT28HC256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 28-पीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 14 सराय 256kbit 90 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 10ms
S34ML02G100BHA003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100BHA003 -
सराय
ECAD 5303 0.00000000 Rayr सेमीकंडक एमएल -1 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए S34ML02 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((11x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
MT47H64M16NF-25E AIT:M Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT: M 3.8743
सराय
ECAD 1932 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,368 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR Micron Technology Inc. Mt29f1g08abbeamd-it: e tr -
सराय
ECAD 9312 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
M95640-WDW6TP STMicroelectronics M95640-WDW6TP 0.5400
सराय
ECAD 9046 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) M95640 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 २० सभा सराय 64kbit ईपॉम 8K x 8 एसपीआई 5ms
AT27C080-12RI Microchip Technology AT27C080-12RI -
सराय
ECAD 7138 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) AT27C080 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 32-शिक तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम AT27C08012RI 3A991B1B1 8542.32.0061 23 सराय 8mbit 120 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी -
C-1333D3QRLRD/32GB ProLabs C-1333D3QRLRD/32GB 262.5000
सराय
ECAD 4084 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-C-1333D3QRLRD/32GB Ear99 8473.30.5100 1
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10BLI-TRE 7.0200
सराय
ECAD 7765 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
AT45DB642D-TU Adesto Technologies AT45DB642D-TU -
सराय
ECAD 3747 0.00000000 एडेसmuth टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau AT45DB642 चमक 2.7V ~ 3.6V 28-टॉप तंग 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 234 ६६ सराय सराय 64mbit चमक १०५६ सन्निक X 8192 पृष एसपीआई 6ms
S29GL256P90TFCR13 Infineon Technologies S29GL256P90TFCR13 9.1700
सराय
ECAD 2504 0.00000000 इंफीनन टेक Gl-p R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256Mbit 90 एनएस चमक 32 सिया x 8 तपस्वी 90NS
S29GL512S10TFA010 Infineon Technologies S29GL512S10TFA010 10.5175
सराय
ECAD 7998 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 182 सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 60NS
CY62157DV30LL-70BVI Cypress Semiconductor Corp CY62157DV30LL-70BVI 4.5000
सराय
ECAD 4 0.00000000 Rayr सेमीकंडक MOBL® थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62157 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 8mbit 70 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 70NS
MT28GU512AAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU512AAA2EGC-0SIT -
सराय
ECAD 9970 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए MT28GU512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((10x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,800 १३३ सराय सराय 512MBIT 96 एनएस चमक 64 सिया x 8 तपस्वी -
MT29F128G08CBECBL95B3WC2 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC2 -
सराय
ECAD 7394 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
PC28F00AP30BFB TR Micron Technology Inc. PC28F00AP30BFB TR -
सराय
ECAD 3463 0.00000000 तमाम एकmuth ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F00A फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 1gbit 100 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 100NS
IS45S16320D-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7TLA1-TR 18.1050
सराय
ECAD 1079 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम