SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम सराय वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) -3db lectun सराय - आउटपुट / चैनल अँगुला सराय I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ चैनल-टू-चैनल rana (Δron) वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) S स समय समय (टन, टॉफ) (अधिकतम) आवेश इंजेक चैनल कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस (सीएस (ऑफ), ऑफ (ऑफ)) सराफक - रींग ((बंद)) (अधिकतम) तिहाई तंग - तंग एक प्रकार का घड़ी आवृत इनपुट संकेत तमाम में संकेत अँगुला क्योरस तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम अयस्क तमाम अफ़रप पrus r स स स वोलmume - वीसीसीए वोलmut - vccb Rayr स टोपोलॉजी तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तमाम तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10, LM (सीटी ((() 0.0762
सराय
 ECAD 4093 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 Tcr2le10 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1V - 1 1.4V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG, 8, एल -
सराय
 ECAD 9704 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB62214 डीएमओएस 4.75V ~ 5.25V 48-QFN (7x7) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 10v ~ 38v तमाम - 1, 1/2, 1/4
TC7SZ07FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FE, LJ (CT (CT (CT) 0.3700
सराय
 ECAD 4153 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur SOT-553 TC7SZ07 - तंग 1.65V ~ 5.5V तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 सियार, शयरा 1 1 -, 32ma
74VHC573FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC573FT 0.5800
सराय
 ECAD 9316 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC573 शराबी 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 डी-therahair की की कुंडी 8ma, 8ma 8: 8 1 6.5NS
TC4S69F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4S69F (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9435 0.00000000 तमाम TC4S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - TC4S69 1 3V ~ 18v एसएमवी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 3.4mA, 3.4mA 1 µa 1 80ns @ 15v, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11v
TC74VHCT373AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT373AFTEL -
सराय
 ECAD 9098 0.00000000 तमाम TC74VHCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHCT373 शराबी 4.5V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 डी-therauraurairaurauraurauraurauraurauraur 8ma, 8ma 8: 8 1 5.1ns
TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC138F (के, एफ, एफ, एफ 0.6300
सराय
 ECAD 7413 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) एक प्रकार का होना 74VHC138 2V ~ 5.5V 16-सेप - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 8ma, 8ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
74HC374D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC374D 0.5800
सराय
 ECAD 8464 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) D- अफ़स 74HC374 तिहाई-शरा, 2v ~ 6v 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 7.8ma, 7.8ma तमाम 90 तंग तमाम 32NS @ 6V, 150pf 4 µa 3 पीएफ
TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, WNLF (J) -
सराय
 ECAD 4672 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76432 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
74HC573D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC573D 0.7600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) 74HC573 शराबी 2v ~ 6v 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 डी-therahair की की कुंडी 7.8ma, 7.8ma 8: 8 1 26NS
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D7222CFG, EL -
सराय
 ECAD 8068 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 24-((0.236 ", 6.00 मिमी ranak) रत्न TC62D722 - 24-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 90ma 16 तमाम क्योरहम 5.5V - 3 वी 17v
TC74HC00AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC00AFELF 0.1932
सराय
 ECAD 2039 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) - 74HC00 4 2v ~ 6v 14-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG, EL 1.5300
सराय
 ECAD 48 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TB67H451 - 2V ~ 5.5V 8-एचएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,500 तमाम - तंग 3.5A 4.5V ~ 44V - बtrश डीसी -
TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18A, LM (सीटी ((((() 0.4100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम TCR3UF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3UF18 5.5V तय एसएमवी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TCR3UF18ALM (सीटी (() Ear99 8542.39.0001 3,000 680 अराय - तमाम 300ma 1.8V - 1 0.464V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A, L3F 0.4900
सराय
 ECAD 2328 0.00000000 तमाम TCR8BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR8BM12 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़म तमाम 800ma 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98DB (1KHz) सराफक, सश्चर, वोल kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A, LF 0.4700
सराय
 ECAD 4143 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG08 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 580 अराय कांपना तमाम 300ma 0.8V - 1 1.257V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (T6PSETEMF -
सराय
 ECAD 3306 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - कांपना एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) TA76431ST6PSETEMF Ear99 8542.39.0001 1 - तमाम - 2.495V 36V 1 - - -
TC7SB67CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB67CFU, LF (CT (CT (CT) 0.3700
सराय
 ECAD 7144 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC7SB67 1 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - Spst - नहीं 11 12ohm - 1.65V ~ 5.5V - 4NS, 4.5NS - 5pf 1 -
TC7SHU04FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SHU04FE, LM -
सराय
 ECAD 8952 0.00000000 तमाम TC7SHU R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 - 7SHU04 1 2V ~ 5.5V तमाम - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तंग करना 8ma, 8ma 2 µa 1 7NS @ 5V, 50pf 0.3 1.7V
TCR4DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG18, LF 0.1357
सराय
 ECAD 3896 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG18 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 1.8V - 1 0.473V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
TC74VHC32FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC32FK (EL, K) 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) - 74VHC32 4 2V ~ 5.5V 14-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग 8ma, 8ma 2 µa 2 7.5ns @ 5v, 50pf 0.1V ~ 36V 2V ~ 4.5V
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG, EL 1.5600
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C तमाम सतह rurcur 16-वीएफक TC78H653 डीएमओएस 1.8v ~ 7v 16-VQFN (3x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली - सना 4 ए 1.8v ~ 7v तमाम बtrश डीसी -
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27, सीटी ((((((((() 0.0906
सराय
 ECAD 6228 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF27 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 कांपना तमाम 300ma 2.7V - 1 0.31V @ 300mA 70DB (1KHz) तंग बातें, शत्रु, तेरस, परत,
TC7SPN3125TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN3125TU, LF -
सराय
 ECAD 4425 0.00000000 तमाम Tc7spn R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड - TC7SPN3125 तिहाई-शरा, 1 Uf6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - - - क्युम्र तमाम 1 1.1 वी ~ 2.7 वी 1.65 वी ~ 3.6 वी
TMPM3HQFDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDFG (DBB) 9.1600
सराय
 ECAD 375 0.00000000 तमाम TX03 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-एफक Tmpm3 144-LQFP (20x20) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 60 134 ARM® CORTEX®-M4 32-सिंगल सिंगल-को 80MHz I, C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512K x 8) चमक 32K x 8 64K x 8 2.7V ~ 5.5V ए/डी 21x12 बी; D/a 2x8b एक प्रकार का
TB67H400AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFTG, EL 3.4100
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB67H400 तमाम 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तंग, पीडब्लूएम सना 6 ए 10v ~ 47v - बtrश डीसी -
74LCX273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX273FT 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74LCX273 सींग 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24MA, 24MA रोटी १३५ सराय तमाम 9.5NS @ 3.3V, 50pf 40 µa 7 पीएफ
TC7MB3125CFK-EL(M) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MB3125CFK-EL (M) -
सराय
 ECAD 3659 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) बस स TC7MB3125 4V ~ 5.5V 14-वीएसएसओपी - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - एकल rurcur 1 x 1: 1 4
TC7MPB9326FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9326FT (EL) 0.2076
सराय
 ECAD 9083 0.00000000 तमाम TC7MP R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बस स TC7MPB9326 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 2,000 - सराय 2 x 1: 2 1
TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105A, LF 0.1344
सराय
 ECAD 5403 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM105 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µa कांपना तमाम 500ma 1.05V - 1 0.25V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफक, सश्चर, वोल kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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