SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम -3db lectun सराय I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ चैनल-टू-चैनल rana (Δron) वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) S स समय समय (टन, टॉफ) (अधिकतम) आवेश इंजेक चैनल कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस (सीएस (ऑफ), ऑफ (ऑफ)) सराफक - रींग ((बंद)) (अधिकतम) तिहाई एक प्रकार का अँगुला क्योरस सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) सराय तमाम दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन संवेदन विधि कड़ा तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G, LF 1.3200
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम TCK30 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 9-UFBGA, WLCSP सthun reyr नियंतtr, TCK303 - n- चैनल 11 9-WCSP (1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 73MOHM 2.3V ~ 28V तमाम 3 ए
74HC4066D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4066D 0.5000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 74HC4066 4 14-हुक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 200MHz - 11 80hm 5OHM 2v ~ 12v - 12NS, 12NS - 3pf 100na -60DB @ 1MHz
TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18, LSF (SE 0.3800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TCR2LN18LSF (SETR Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.8V - 1 0.6V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TC74HC126AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC126AP (एफ) 0.5156
सराय
 ECAD 3834 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 14-((0.300 ", 7.62 मिमी) 74HC126 - ३ 2v ~ 6v 14 सेना तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8542.39.0001 1 सियार, शयरा 4 1 7.8ma, 7.8ma
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33, LF 0.3500
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2LN33 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 3.3 - 1 0.28V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A, L3F 0.4900
सराय
 ECAD 9139 0.00000000 तमाम TCR8BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR8BM10 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़म तमाम 800ma 1V - 1 0.23V @ 800MA 98DB (1KHz) सराफक, सश्चर, वोल kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, MEIDENF (M) -
सराय
 ECAD 5513 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - कांपना एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - तमाम - 2.495V 36V 1 - - -
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TAR5S35 15V तय यूएफवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 3.5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC7MBL3253CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3253CFT (EL) 0.5000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) मलthautaumaur/s डेमुलिपmum TC7MBL3253 1.65V ~ 3.6V 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 - एकल rurcur 2 x 4: 1 1
TBD62502AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFWG, EL 0.3966
सराय
 ECAD 5474 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - TBD62502 तमाम n- चैनल 11 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 7 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 300ma
TCR4DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG33, LF 0.5100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG33 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 3.3 - 1 0.263V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NA, RF 1.5200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 10-wfdfn ने पैड को को ranahir rada TCKE800 4.4V ~ 18v 10-WSONB (3x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 इलेकthaur फ - - 5 ए
TA76431AS(T6SOY,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6SOY, FM -
सराय
 ECAD 4208 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B, LM (CT (CT (CT) 0.4800
सराय
 ECAD 1489 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर - 3,000
74VHC245FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC245FT 0.4700
सराय
 ECAD 24 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC245 - ३ 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 अफ़राह, 1 8 8ma, 8ma
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20, LM (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 8680 0.00000000 तमाम TCR2EF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2EF20 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2 वी - 1 0.31V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TB62212FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FNG, C8, EL 3.7100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 मिमी rana) TB62212 तमाम 4.5V ~ 5.5V 48-HTSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 10v ~ 38v तमाम बtrश डीसी -
TMP91FY22FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY22FG -
सराय
 ECAD 4517 0.00000000 तमाम TLCS-900/L1 शिर शिर -20 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-bqfp TMP91 100-y (20x14) तंग 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 20 81 900/एल 1 16-बिट 27MHz EBI/EMI, IRDA, UART/USART डीएमए 256kb (256k x 8) चमक - 16K x 8 - ए/डी 8x10b एक प्रकार का
TA78DS05CP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP (MBS1, FM -
सराय
 ECAD 4472 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78DS 33V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग 1 तंग - तमाम 30ma 5V - 1 0.3V @ 10MA - सराफकस
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, KDQ (M) -
सराय
 ECAD 2978 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58M05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग 80 सना हुआ - तमाम 500μA 5V - 1 0.65V @ 500mA - सराफकस
TMPM4G6FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FDFG (DBB) -
सराय
 ECAD 7500 0.00000000 तमाम TX04 शिर शिर -40 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Tmpm4g6 100-lqfp (14x14) तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® CORTEX®-M4F 32-सिंगल सिंगल-को 160MHz सीईसी, ईबीआई/ईएमआई, आईएसी, rurडीए, एसआईओ, एसपीआई, एसएमआईएफ, एसएमआईएफ, rurटी/therटी DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512K x 8) चमक 32K x 8 128K x 8 2.7V ~ 3.6V ए/डी 16x12 बी; D/a 2x8b एक प्रकार का
TC74VCX245FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX245FK (EL) 0.2584
सराय
 ECAD 6993 0.00000000 तमाम TC74VCX R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 74VCX245 - ३ 1.2V ~ 3.6V २०-वीएसएसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 अफ़राह, 1 8 24MA, 24MA
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, 6MURF (एम एम -
सराय
 ECAD 9977 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L015 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 40DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G, LF -
सराय
 ECAD 4705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 4-ufbga सोरस TCK108 तमाम पी-पी 11 4-WCSP (0.79x0.79) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 - उचmuth पक 49MOHM 1.1V ~ 5.5V तमाम 1 क
TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125, LM (सीटी ((((() 0.3500
सराय
 ECAD 159 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE125 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.25V - 1 0.57V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TA58M12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12S, Q (J (J (J) -
सराय
 ECAD 7335 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58M12 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 १.२ सराय 80 सना हुआ - तमाम 500ma 12v - 1 0.65V @ 500mA - सराफकस
TLP7820(D4A,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (D4A, TL, E -
सराय
 ECAD 5141 0.00000000 तमाम - नली शिर सराफक सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) तमाम TLP7820 8- - 1 (असीमित) 264-TLP7820 (D4ATLE) शिर 50
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (LS2PEV, AQ -
सराय
 ECAD 6732 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 5V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L007AP, F (J (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 6232 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L007 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 7V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 46DB (120Hz) अफ़र्याशियस
TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48015BF (T6L1, NQ) -
सराय
 ECAD 3522 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA48015 16 वी तय पीडब-k-मोल - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ - तमाम 1 क 1.5V - 1 1.9V @ 1A (rana) 65db (120Hz) अफ़रप, तंग
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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