SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय अँगुला वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या कसना सराय वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun सराय - आउटपुट / चैनल अफ़सीरता बैंडविडth -knamak पrauthakuthauth कrें सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) अफ़सस डrauraurों चापलूसी तंग - तंग एक प्रकार का घड़ी आवृत क्योरस रोटी समय तंग तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम तिहाई कॉन kburेशन तमाम तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
74HC00D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC00D 0.4500
सराय
ECAD 4177 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74HC00 4 2v ~ 6v 14-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC7SET32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET32FU, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TC7SET R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7set32 1 4.5V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग 8ma, 8ma 2 µa 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2 वी
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A, L3F 0.4600
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम TCR8BM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µa सराफक, अफ़म तमाम 800ma 3 वी - 1 0.285V @ 800ma - सराफक, सश्चर, वोल kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TC74LCX245FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX245FTELM -
सराय
ECAD 6241 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74LCX245 - 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 अफ़राह, 1 8 24MA, 24MA
TC7SET00FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET00FU, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3400
सराय
ECAD 4290 0.00000000 तमाम TC7SET R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7set00 1 4.5V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 नंद गेट 8ma, 8ma 2 µa 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2 वी
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG, 8 3.8200
सराय
ECAD 5140 0.00000000 तमाम - नली शिर -30 ° C ~ 85 ° C तमाम सतह rurcur 64-TQFP ने पैड को को ranahir ran TB6560 4.5V ~ 5.5V 64-HQFP (10x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 4.5V ~ 34V तमाम -
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
सराय
ECAD 3968 0.00000000 तमाम - शिर शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 25-गठित गठित लीड TB67S149 तमाम 4.75V ~ 5.25V 25-हजिप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 17 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 10v ~ 40v शिर - 1 ~ 1/32
TC7WH04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH04FU, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3900
सराय
ECAD 18 0.00000000 तमाम TC7WH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) - 7WH04 3 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग करना 8ma, 8ma 2 µa 3 7.5ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TD62004AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62004AFG, N, EL -
सराय
ECAD 2904 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) तमाम TD62004 0v ~ 50v 16-सेप - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 - 7/0 - -
74HC132D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC132D 0.5700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) क्योरसुरी 74HC132 4 2v ~ 6v 14-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 19NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.5V ~ 4.2V
TA76431S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, WNLF (J) -
सराय
ECAD 3533 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - कांपना एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - तमाम - 2.495V 36V 1 - - -
TC7W02F(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02F (TE12L) -
सराय
ECAD 1695 0.00000000 तमाम 7W डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.122 ", 3.10 मिमी ranak) - 7W02 2 2v ~ 6v 8-सेप तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 सराय 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512FTAG, EL 2.7700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 36-wfqfn ने पैड को को ranahir ran TB67S512 तमाम 2V ~ 5.5V 36-WQFN (6x6) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सराफक -शाप - अवा (4) 2 ए 10v ~ 35V तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TC74VHC4040FK(EL,K Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC4040FK (EL, K 0.6200
सराय
ECAD 9392 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 74VHC4040 एक प्रकार का होना 2 वी ~ ~ 5.5 वी 16-वीएसएसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग 1 12 तमाम - १२५ सराय तमाम
TC7SZ34AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34AFS, L3J (T (T) 0.0593
सराय
ECAD 7671 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur एसओटी -953 TC7SZ34 - पुश पुल 1.65V ~ 5.5V फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 सियार, शयरा 1 1 32ma, 32ma
TCR5RG1225A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG1225A, LF 0.5300
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR5RG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG1225 5.5V तय 4-WCSPF (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µa - तमाम 500ma 1.225V - 1 - 100db ~ 59db (1kHz ~ 1MHz) अफ़रप, तंग
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
सराय
ECAD 8097 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TAR5S28 15V तय यूएफवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 2.8V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC7PCI3212MT,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7PCI3212MT, LF 1.4600
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) एक rautunurेस® सतह rurcur 20-ufqfn Sanahar - TC7PCI3212 4 20-TQFN (2.5x4.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 11.5GHz कांपना 2: 1 13.5ohm 3V ~ 3.6V -
74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC238FT 0.1094
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) एक प्रकार का होना 74VHC238 2V ~ 5.5V 16-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-74VHC238FTTR 2,500 8ma, 8ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
TC74VHC541F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC541F (ईएल, एफ, एफ, एफ 0.2464
सराय
ECAD 8547 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) 74VHC541 - 2V ~ 5.5V २०-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 8ma, 8ma
74HCT244D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT244D 0.7600
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम 74HCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) 74HCT244 - 4.5V ~ 5.5V 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 2 4 6ma, 6ma
TB6561NG Toshiba Semiconductor and Storage TB6561NG -
सराय
ECAD 1962 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB6561 दmun-सीओएस 10v ~ 36V 24-एसडीआईपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 100 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 1.5 ए 10v ~ 36V - बtrश डीसी -
74VHC164FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC164FT 0.4300
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC164 पुश पुल 2V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 क्योरहम 1 8 तमाम
TC7WT126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT126FU, LF 0.4200
सराय
ECAD 4520 0.00000000 तमाम TC7WT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC7WT126 - 4.5V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 2 1 6ma, 6ma
TC74HC10APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC10APF -
सराय
ECAD 8742 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 14-((0.300 ", 7.62 मिमी) - 74HC10 3 2v ~ 6v 14 सेना तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 25 नंद गेट 5.2ma, 5.2ma 1 µa 3 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC75S63TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S63TU, LF 0.4800
सराय
ECAD 197 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TC75S63 500μA - 1 यूएफवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 1v/µs 4 सना हुआ सीएमओएस ३.५ तंग 1 तंग 1 एम.वी. 2.2 वी 5.5 वी
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG, 8, एल 1.8458
सराय
ECAD 1279 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 28-((0.346 ", 8.80 मिमी ranak) + 2 हीट टैब TB62213 तमाम 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2.4 ए 10v ~ 38v तमाम - 1, 1/2, 1/4
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (TPE6, FM -
सराय
ECAD 6651 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L015 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 40DB (120Hz) अफ़रप, तंग
TC7W74FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W74FK, LF 0.4100
सराय
ECAD 27 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) D- अफ़स 7W74 एक प्रकार का 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1 5.2ma, 5.2ma सेट (rurcuraur निruchaphairित) 67 सराय तमाम 26ns @ 6v, 50pf 2 µa 5 पीएफ
TC75W60FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W60FU (TE12L, F) -
सराय
ECAD 7305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC75W60 660 OFA - 2 8-एसओपी - 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 5.1v/µs १.२५ सवार तमाम 1 तंग 2 एम.वी. 1.8 वी 7 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम