SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun अफ़सीरता सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला I/o की संख संख सराय सराय अफ़सस कांपना तंग तमाम अफ़रप इप्रॉम एनी चतुर वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) तमाम अफ़सस की नतीजा सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ चैनल-टू-चैनल rana (Δron) वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) S स समय समय (टन, टॉफ) (अधिकतम) आवेश इंजेक चैनल कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस (सीएस (ऑफ), ऑफ (ऑफ)) सराफक - रींग ((बंद)) (अधिकतम) तिहाई अफ़सस डrauraurों चापलूसी तंग - तंग एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला क्योरस तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
74HC245D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC245D 0.5800
सराय
ECAD 25 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) 74HC245 - 2v ~ 6v 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 अफ़राह, 1 8 7.8ma, 7.8ma
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, HOTIF (एम) -
सराय
ECAD 4229 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L008 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 8V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 45db (120Hz) अफ़र्याशियस
74VHC21FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC21ft 0.4100
सराय
ECAD 8146 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74VHC21 2 2V ~ 5.5V 14-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सराय 8ma, 8ma 2 µa 4 7NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20, LF -
सराय
ECAD 9504 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2LN20 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 2 वी - 1 0.54V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TD62004AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62004AFG, एन -
सराय
ECAD 2430 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) तमाम TD62004 0v ~ 50v 16-सेप - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 50 - 7/0 - -
TC74HC157AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC157AP (एफ) 0.6384
सराय
ECAD 6101 0.00000000 तमाम 74HC नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) बहुसंकेतक 74HC157 2v ~ 6v 16- - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 5.2ma, 5.2ma एकल rurcur 4 x 2: 1 4
TC4S11FT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TC4S11FT5LFT -
सराय
ECAD 9881 0.00000000 तमाम TC4S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - TC4S11 1 3V ~ 18v एसएमवी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 नंद गेट 3.4mA, 3.4mA 1 µa 2 80ns @ 15v, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11v
TMP86FS49BFG(ZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG (ZHZ) -
सराय
ECAD 6089 0.00000000 तमाम टीएलसीएस -870/सी शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-BQFP TMP86 64-क तंग रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) Ear99 8542.31.0001 10 56 870/सी 8 बिट 16MHz I, C, Sio, UART/USART एलईडी, पीडबmun, डबmum 60kb (60k x 8) चमक - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V ए/डी 16x10b एक प्रकार का
TC7WH74FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH74FK, सीटी ((((((((() 0.3900
सराय
ECAD 14 0.00000000 तमाम TC7WH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) D- अफ़स 7WH74 एक प्रकार का 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1 8ma, 8ma सेट (rurcuraur निruchaphairित) ११५ सराय तमाम 9.3ns @ 5v, 50pf 2 µa 4 पीएफ
TC7SBL384CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SBL384CFU, LF (CT (CT (CT) 0.1054
सराय
ECAD 8637 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC7SBL384 1 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - Spst - नहीं 11 18ohm - 1.65V ~ 3.6V - 6NS, 6NS - 3.5pf 1 -
TCK22923G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22923G, LF 0.1675
सराय
ECAD 4602 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-UFBGA, WLCSP अफ़मार, अफ़्रू TCK22923 तमाम पी-पी 11 6-WCSPE (0.80x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 उलटी बिजली उचmuth पक 25mohm 1.1V ~ 5.5V तमाम 2 ए
74HC541D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC541D 0.7600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम 74HC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) 74HC541 - 2v ~ 6v 20-SOIC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 7.8ma, 7.8ma
TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB50 (TE85L, F) 0.4600
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TAR5SB50 15V तय एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TB6556FG,8,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6556FG, 8, EL, DRY -
सराय
ECAD 8267 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर -30 ° C ~ 115 ° C (TA) सटरी सतह rurcur 30-((0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TB6556 दmun-सीओएस 6v ~ 10v 30-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.31.0001 1,000 सटरी - क्यूट, अटैच, तपस्वी सराफक -शाप - अवा (3) - - - बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TC7S02FUT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TC7S02FUT5LFT -
सराय
ECAD 9614 0.00000000 तमाम TC7S कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7S02 1 2v ~ 6v 5-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सराय 2.6mA, 2.6mA 1 µa 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TB62212FTAG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FTAG, C8, EL 2.9200
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB62212 तमाम 4.5V ~ 5.5V 48-QFN (7x7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 10v ~ 38v तमाम बtrश डीसी -
TC7SET126FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET126FU, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम TC7SET R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC7SET126 - 4.5V ~ 5.5V 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage TC358860XBG (GOH) 4.1715
सराय
ECAD 7064 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर DisplayPort सतह rurcur 65-TFBGA 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V 65-TFBGA (5x5) तंग 3 (168 घंटे) 264-TC358860XBG (GOH) TR 1,000 मैं एसी
TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG (O, EL) 4.0170
सराय
ECAD 6829 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) ऑटोमोटिव सतह rurcur 24-((0.220 ", 5.60 मिमी ranak) TB9056 दmun-सीओएस 7v ~ 18v 24-एसओपी तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 सटरी - क्यूट, अटैच, कांपना सना 2 ए - - सनाह -
TC7W32FKTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W32FKTE85LF -
सराय
ECAD 5077 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) - 7W32 2 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तंग 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LCX05FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX05FT 0.4800
सराय
ECAD 3007 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q100, 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) तंग 74LCX05 6 1.65V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग करना -, 32ma 10 µa 1 - 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF19, LM (सीटी ((((() 0.0700
सराय
ECAD 9139 0.00000000 तमाम TCR2LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR2LF19 5.5V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 1.9V - 1 0.62V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TC75S51FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S51FUTE85LF 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 TC75S51 60 - 1 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs तमाम 1 तंग 2 एम.वी. 1.5 वी 7 वी
TCR2DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG18, LF 0.1411
सराय
ECAD 1510 0.00000000 तमाम TCR2DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG18 5.5V तय 4-WCSP (0.79x0.79) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µa - तमाम 200MA 1.8V - 1 0.2V @ 100ma - अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TC78S122FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S122FNG, EL 1.9467
सराय
ECAD 2498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 मिमी rana) TC78S122 तमाम 4.5V ~ 5.5V 48-HTSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 2 ए 8v ~ 38v तमाम बtrश डीसी 1, 1/2, 1/4
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG, EL 0.6963
सराय
ECAD 8401 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर TC78S600 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000
TC7S08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S08FU, LF 0.4400
सराय
ECAD 3757 0.00000000 तमाम TC7S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 - 7S08 1 2v ~ 6v 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सराय 2.6mA, 2.6mA 1 µa 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TA78L009AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, 6FNCF (J) -
सराय
ECAD 6536 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L009 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 9V - 1 1.7V @ 40ma (rana) 44DB (120Hz) अफ़र्याशियस
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG, 8, EL -
सराय
ECAD 1553 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर - तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB62216 तमाम 40v (अधिकतम) 48-QFN (7x7) तंग 3 (168 घंटे) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 2.5a - - बtrश डीसी -
TA58L05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, Q (J ​​(J (J) -
सराय
ECAD 3398 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 5V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम