SIC
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एकीकृत rurcut (ics) (2120)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या कसना सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) -3db lectun अँगुला वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ चैनल-टू-चैनल rana (Δron) वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) S स समय समय (टन, टॉफ) (अधिकतम) आवेश इंजेक चैनल कैपेसिटेंस कैपेसिटेंस (सीएस (ऑफ), ऑफ (ऑफ)) सराफक - रींग ((बंद)) (अधिकतम) तिहाई एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला क्योरस रोटी समय तंग तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल y, सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - शthuth ट सराय तमाम तमाम दोष rayraugun तिहाई कॉन kburेशन तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TC74HC4066APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4066APF 0.6400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 14-((0.300 ", 7.62 मिमी) TC74HC4066 4 14 सेना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 25 200MHz Spst - नहीं 11 80hm 5OHM 2v ~ 12v - 12NS, 18NS - 10pf 1 -60DB @ 1MHz
TC7WH74FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH74FU (TE12L) -
सराय
 ECAD 6498 0.00000000 तमाम 7wh डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) D- अफ़स 7WH74 एक प्रकार का 2V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1 8ma, 8ma सेट (rurcuraur निruchaphairित) ११५ सराय तमाम 9.3ns @ 5v, 50pf 2 µa 4 पीएफ
TCR2LN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN36, LF (SE 0.3800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 3.6V - 1 0.28V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB50 (TE85L, F) 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TAR5SB50 15V तय एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC74VHC4040FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC4040FT (EL, M) -
सराय
 ECAD 8499 0.00000000 तमाम 74VHC कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC4040 एक प्रकार का होना 2 वी ~ ~ 5.5 वी 16-टीएसएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तंग 1 12 तमाम - २१० सराय तमाम
TC78B027FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B027FTG, EL 2.8100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 24-वीएफक TC78B027 एनएमओएस 5v ~ 16v 24-VQFN (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 सटरी - क्यूट, अटैच, कांपना सराफक -शाप - अवा (3) 200MA - अफ़र्याश बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62206FG, EL -
सराय
 ECAD 3729 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 20-बीएसओपी (0.346 ", 8.80 मिमी ranak) + 2 हीट टैब TB62206 डीएमओएस 4.5V ~ 5.5V २०-एचएसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 13V ~ 35V तमाम - 1, 1/2
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, LS2MTDQ (J (J) -
सराय
 ECAD 2696 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58L05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग ५० सदा - तमाम 250ma 5V - 1 0.4V @ 200ma - अफ़रप, तंग
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A, LF 0.4700
सराय
 ECAD 4472 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG30 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 3 वी - 1 0.273V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TC7W126FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W126FUTE12LF 0.1437
सराय
 ECAD 8992 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC7W126 - ३ 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 2 1 7.8ma, 7.8ma
TCR2EN31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31, lf 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN31 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 3.1V - 1 0.18V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
74VHC138FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC138FT 0.4300
सराय
 ECAD 7899 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) एक प्रकार का होना 74VHC138 2V ~ 5.5V 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 8ma, 8ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G, LF 0.4658
सराय
 ECAD 2363 0.00000000 तमाम TCK30 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 9-UFBGA, WLCSP सthun reyr नियंतtr, TCK302 - n- चैनल 11 9-WCSP (1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 73MOHM 2.3V ~ 28V तमाम 3 ए
TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBD125AFKT5LF -
सराय
 ECAD 6276 0.00000000 तमाम TC7WB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) बस स TC7WBD125 4.5V ~ 5.5V 8-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - एकल rurcur 1 x 1: 1 2
TC74HC273APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC273APF 0.6300
सराय
 ECAD 106 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 20-((0.300 ", 7.62 मिमी) D- अफ़स 74HC273 सींग 2v ~ 6v 20 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 1 8 5.2ma, 5.2ma रोटी ६६ सराय तमाम 25ns @ 6v, 50pf 4 µa 5 पीएफ
TB67S158NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158NG 5.0500
सराय
 ECAD 5471 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) तमाम होल के kaytaumauth से 24-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB67S158 डीएमओएस 10v ~ 60V 24-एसडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TB67S158NG (O) Ear99 8542.39.0001 1,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 1.5 ए 10v ~ 60V शिर - -
TC7MBL3253CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3253CFK (EL) 0.3166
सराय
 ECAD 5870 0.00000000 तमाम TC7MB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-((0.118 ", 3.00 मिमी ranak) मलthautaumaur/s डेमुलिपmum TC7MBL3253 1.65V ~ 3.6V 16-वीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 - एकल rurcur 2 x 4: 1 1
TB67H401FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG (O, EL) 4.7800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C तमाम सतह rurcur 48-वीएफक TB67H401 बीआईसीडीएमओएस 4.75V ~ 5.25V 48-VQFN (7x7) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तंग, पीडब्लूएम सना 6 ए 10v ~ 47v - बtrश डीसी -
74HCT32D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT32D 0.5600
सराय
 ECAD 276 0.00000000 तमाम 74HCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) - 74HCT32 4 4.5V ~ 5.5V 14-हुक - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग 4MA, 4MA 1 µa 2 18NS @ 5.5V, 50pf 0.8V 2 वी
TCR2EN28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN28, LF (SE 0.3800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 2.8V - 1 0.21V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TC74LCX541FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX541FT -
सराय
 ECAD 4778 0.00000000 तमाम TC74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74LCX541 - ३ 1.65V ~ 3.6V 20-TSSOP - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 24MA, 24MA
TC7SH86FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH86FE, LM 0.3800
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम TC7SH कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 - 7SH86 1 2V ~ 5.5V तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 XOR 8ma, 8ma 2 µa 2 8.8ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TCR2LE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE27, LM (सीटी ((() 0.0762
सराय
 ECAD 4589 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 TCR2LE27 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 2.7V - 1 0.38V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TC74VHCT541AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT541AFTEL -
सराय
 ECAD 9321 0.00000000 तमाम TC74VHCT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHCT541 - ३ 4.5V ~ 5.5V 20-TSSOP - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 1 8 8ma, 8ma
TC7WH123FKTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH123FKTE85LF -
सराय
 ECAD 6540 0.00000000 तमाम TC7WH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) TC7WH123 2 वी ~ ~ 5.5 वी 8-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 कांपना 8ma, 8ma नहीं 1 10.3 एनएस
TC7W08FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W08FU (TE12L) -
सराय
 ECAD 3775 0.00000000 तमाम 7W डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) - 7W08 2 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सराय 5.2ma, 5.2ma 1 µa 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC74LCX157FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX157FT (EL) -
सराय
 ECAD 4549 0.00000000 तमाम 74LCX डिजी rayीएल® शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बहुसंकेतक 74LCX157 2V ~ 3.6V 16-टीएसएसओपी - रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 24MA, 24MA एकल rurcur 4 x 2: 1 1
TC74HC175AP Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC175AP -
सराय
 ECAD 9020 0.00000000 तमाम 74HC नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) D- अफ़स 74HC175 एक प्रकार का 2v ~ 6v 16- तंग रोहस 1 (असीमित) TC74HC175AP-NDR Ear99 8542.39.0001 1 1 4 5.2ma, 5.2ma रोटी ६३ सराय तमाम 24ns @ 6v, 50pf 4 µa 5 पीएफ
7UL1G04FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g04fs, lf 0.4600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम 7ul R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur एसओटी -953 - 7UL1G04 1 0.9V ~ 3.6V फंसी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 तंग करना 8ma, 8ma 1 µa 1 4.4NS @ 3.3V, 30pf 0.1V ~ 0.4V 0.75V ~ 2.48V
TCR2LN33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33, LF (SE 0.3800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 3.3 - 1 0.28V @ 150ma - अफ़र्याशियस
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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