SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप कांपना तकनीकी सराय वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या सराय सना - इनपुट: आउटपुट वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray सराय - आउटपुट / चैनल अफ़सीरता बैंडविडth -knamak पrauthakuthauth कrें सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अफ़संद वोलmume - rurcun (वीसीसी/वीडीडी) एक प्रकार का घड़ी आवृत अँगुला क्योरस तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - सराय तमाम Rayr स टोपोलॉजी आवृतmut - सchas दोष rayraugun तिहाई वोलmut - r आपू शेरस (अधिकतम) कॉन kburेशन तंग तमाम Rayrडीएस rayr तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल मंद वोलmus - rabun वोलmume - आउटपुट तमाम सराफक - आउटपुट (अधिकतम) वोलmus - आउटपुट वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmus - इनपुट तंग वोलth ड तंग करना सराय
TCR2EN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13, LF (SE 0.3800
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.3V - 1 0.45V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG, 8, EL -
सराय
ECAD 1396 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur - TB6604 - - 48-QFN तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सटरी - क्यूट, अटैच, - सराफक -शाप - अवा (3) - 30V - बmurशलेस डीसी (Bldc) -
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08, LM (सीटी ((() 0.0742
सराय
ECAD 7520 0.00000000 तमाम TCR2LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-553 Tcr2le08 5.5V तय तमाम तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 0.8V - 1 1.58V @ 150ma - अफ़र्याशियस
7UL1G34FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g34fs, lf 0.4600
सराय
ECAD 5413 0.00000000 तमाम 7ul R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur एसओटी -953 7UL1G34 - - 0.9V ~ 3.6V फंसी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TC7SZ86F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ86F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.0721
सराय
ECAD 4542 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 - 7SZ86 1 1.8V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 XOR 32ma, 32ma 2 µa 2 5.4ns @ 5v, 50pf - -
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A, LF 0.4700
सराय
ECAD 55 0.00000000 तमाम TCR3UG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG18 5.5V तय 4-WCSP-F (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 अराय कांपना तमाम 300ma 1.8V - 1 0.457V @ 300ma 70DB (1KHz) अफ़रपती, शय्यरह, शेर के लिए, तेरहमक,
TAR5S50UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Tar5s50ute85lf 0.5400
सराय
ECAD 26 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड TAR5S50 15V तय यूएफवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa कांपना तमाम 200MA 5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
74VHC86FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC86FT 0.4800
सराय
ECAD 5972 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74VHC86 4 2V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 XOR 8ma, 8ma 2 µa 2 8.8ns @ 5v, 50pf 0.5V 1.5V
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr5am33, lf 0.1357
सराय
ECAD 6086 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM33 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µa कांपना तमाम 500ma 3.3 - 1 0.43V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफकस
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG, EL 1.3100
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) - TBD62183 तमाम n- चैनल 11 18-सेप तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8542.39.0001 1,000 2.8v ~ 25v - 8 - निमmuth पक - 50v (अधिकतम) तमाम 50mA
TB62777FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG, EL -
सराय
ECAD 4937 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 16-SOP (0.181 ", 4.60 मिमी ranak) रत्न TB62777 - 16-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 40ma 8 तमाम क्योरहम 5.5V - 3 वी 25V
TCB701FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tcb701fng, el 4.1496
सराय
ECAD 2144 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 36-बीएसएसओपी (0.433 ", 11.00 मिमी rana) 36-HSSOP - Rohs3 आजthabairay 264-TCB701FNG, ELTR 700
TC74AC138FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC138FTEL 0.2028
सराय
ECAD 8680 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) एक प्रकार का होना 74AC138 2V ~ 5.5V 16-टीएसएसओपी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 75ma, 75ma एकल rurcur 1 x 3: 8 1
TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S05AF (T6L1, Q) -
सराय
ECAD 7233 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-252-6, DPAK (5 लीड + टैब) TA48S05 16 वी तय 5-एचएसआईपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 अराय २० सना हुआ कांपना तमाम 1 क 5V - 1 0.69V @ 1a (rana) 60db (120Hz) अफ़रप, तंग
TC74VHC574FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC574FK (EL, K) 0.2614
सराय
ECAD 8415 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-वीएफएसओपी (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) D- अफ़स 74VHC574 तिहाई-शरा, 2V ~ 5.5V २०-वीएसएसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 8ma, 8ma तमाम ११५ सराय तमाम 10.6ns @ 5v, 50pf 40 µa 4 पीएफ
TCK305G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK305G, LF 0.4644
सराय
ECAD 6337 0.00000000 तमाम TCK30 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 9-UFBGA, WLCSP सthun reyr नियंतtr, TCK305 - n- चैनल 11 9-WCSP (1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तमाम, शयरा उचmuth पक 73MOHM 2.3V ~ 28V तमाम 3 ए
TC7SZ17FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ17FE, LJ (CT (CT (CT) 0.3700
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SOT-553 TC7SZ17 क्योरसुरी पुश पुल 1.65V ~ 5.5V तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 सियार, शयरा 1 1 32ma, 32ma
TCK102G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK102G, LF 0.2235
सराय
ECAD 6251 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-ufbga सोरस TCK102 तमाम पी-पी 11 6-बीजीए तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 आवश आवश नहीं नहीं बंद 1 तंग उचmuth पक 50mohm 1.1V ~ 5.5V तमाम 1 क
TCV7104FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7104FN (TE85L, F) -
सराय
ECAD 3500 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TCV71 5.5V कांपना PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम 1 बक 1.5MHz तमाम तमाम 2 ए 0.8V 5.5V 2.7V
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36, LF (SE 0.4800
सराय
ECAD 68 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 कांपना तमाम 300ma 3.6V - 1 0.2V @ 300mA - अफ़रप, तंग
TC7USB221FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC7USB221FT (EL, M) -
सराय
ECAD 1719 0.00000000 तमाम TC7USB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) मलthautaumaur/s डेमुलिपmum TC7USB221 2.3V ~ 3.6V 14-TSSOP - 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 - एकल rurcur 2 x 1: 2 1
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62786APG 1.8200
सराय
ECAD 221 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 18-((0.300 ", 7.62 मिमी) - TBD62786 तमाम पी-पी 11 18-स तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 20 2v ~ 50v बंद 8 - उचmuth पक 1.6OHM 0v ~ 50v तमाम 400ma
TC7SH34F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F, LJ (CT (CT (CT (CT) 0.0721
सराय
ECAD 4597 0.00000000 तमाम TC7SH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TC7SH34 - पुश पुल 2V ~ 5.5V एसएमवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 8ma, 8ma
TCR4DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG30, lf 0.1357
सराय
ECAD 9599 0.00000000 तमाम TCR4DG R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG30 5.5V तय 4-WCSPE (0.65x0.65) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 कांपना तमाम 420ma 3 वी - 1 0.291V @ 420ma 70DB (1KHz) सराफक, तमामन
74LCX374FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX374FT (AE) 0.1156
सराय
ECAD 4097 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74LCX374 तिहाई-शरा, 2V ~ 3.6V 20-TSSOPB तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24MA, 24MA तमाम १५० तंग तमाम 8.5NS @ 3.3V, 50pf 10 µa 7 पीएफ
7UL1G07FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g07fu, lf 0.3600
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 7UL1G07 - तंग 0.9V ~ 3.6V यूएसवी - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, शयरा 1 1 -, 8ma
TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S112PG, HJ 2.4300
सराय
ECAD 211 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) TB67S112 तमाम 2V ~ 5.5V 16- तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 25 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी तंग 1.5 ए 4.5V ~ 47V शिर - -
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A, LF (SE 0.4700
सराय
ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar 5.5V तय 4-((1x1) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 680 अराय सराफक, अफ़्री तमाम 300ma 1.75V - 1 0.573V @ 300mA - अफ़रप, तंग
74LCX257FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX257FT 0.4900
सराय
ECAD 8838 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) बहुसंकेतक 74LCX257 1.65V ~ 3.6V 16-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 24MA, 24MA एकल rurcur 4 x 2: 1 1
TC75S102F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC75S102F, LF (CT (CT (CT (CT (CT) 0.4500
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TC75S102 350NA - 1 एसएमवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 - 11 सना हुआ सीएमओएस 630 1 तंग 100 µv 1.5 वी 5.5 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम