SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम तमाम अफ़रप तकनीकी सराय वोलmume - इनपुट अँगुला वोलmus - इनपुट (अधिकतम (अधिकतम) अफ़स्या तमाम सराय वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय ततth -yauraunada पthirति ततmun बिट e की सराफक - आउटपुट उच उच, कम तमाम सराय - quiescent (अधिकतम) कई ray -3db lectun सराय - आउटपुट / चैनल अफ़सीरता बैंडविडth -knamak पrauthakuthauth कrें सराफकम वोलmume - इनपुट ऑफसेट ऑफसेट वोलmut - rurcuth अवधि वोलmus - rurcun अवधि (अधिकतम) अँगुला सराय सोरक बहुसंकेतन चतुर्थ वोलmut - rurce, एकल (वी+) वोलmum - rurcu, rurी (वी वी ±) एक प्रकार का घड़ी आवृत क्योरस तिहाई अफ़रपर, v, v, अधिकतम सीएल सराय - quiescent (iq) सराफक - शयरा (अधिकतम) अँगुला इनपुट लॉजिक लेवल - कम कम इनपुट इनपुट लेवल - शthuth ट सराय तमाम तमाम तिहाई कॉन kburेशन तमाम तमाम अफ़सरी सराफा, तेरहम - Rayr संकल वोलmus - आउटपुट पारी - 0.1Hz से 10Hz परा - 10Hz से 10kHz वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) तंग वोलth ड तंग करना सराय
TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG, EL 1.2900
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 16-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) TC78H651 डीएमओएस - 16-टीएसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली - सना 2 ए 1.8V ~ 7.5V बtrश डीसी -
TC74AC04FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC04FTEL 0.1377
सराय
ECAD 4939 0.00000000 तमाम TC74AC R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74AC04 6 2V ~ 5.5V 14-TSSOP - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तंग करना 24MA, 24MA 4 µa 1 6.6ns @ 5v, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285, LF (SE 0.3800
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम TCR2LN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-TCR2LN285LF Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µa कांपना तमाम 200MA 2.85V - 1 0.36V @ 150ma - अफ़र्याशियस
74VHC540FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC540FT 0.5100
सराय
ECAD 107 0.00000000 तमाम 74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC540 - 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सियार, परत 1 8 8ma, 8ma
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr5am33, lf 0.1357
सराय
ECAD 6086 0.00000000 तमाम Tcr5am R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR5AM33 5.5V तय 5-((1.2x1.2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µa कांपना तमाम 500ma 3.3 - 1 0.43V @ 500ma 70db ~ 40db (1kHz ~ 10Hz) सराफक, सश्चर, वोल kastauna, वोलth लॉकआउट (यूवीएलओ) के
TC7SZ07AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07AFS, L3J (T (T) 0.0593
सराय
ECAD 4272 0.00000000 तमाम TC7SZ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur एसओटी -953 TC7SZ07 - तंग 1.65V ~ 5.5V फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 सियार, शयरा 1 1 -, 32ma
TC74AC02FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC02FTEL 0.1469
सराय
ECAD 4753 0.00000000 तमाम TC74AC R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74AC02 4 2V ~ 5.5V 14-TSSOP तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सराय 24MA, 24MA 4 µa 2 7NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TA75S558F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TA75S558F, LF 0.4800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TA75S558 2.5MA - 1 एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.33.0001 3,000 1v/µs 40 सना तमाम ३ सराय 60 सना हुआ 500 µv 8 वी 36 वी
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F (TE16L1, NQ -
सराय
ECAD 9668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TA58M05 29V तय पीडब-k-मोल - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 तंग 80 सना हुआ - तमाम 500ma 5V - 1 0.65V @ 500mA - सराफकस
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50TE85LF 0.4400
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TAR5S50 15V तय एसएमवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µa बंद तमाम 200MA 5V - 1 0.2V @ 50ma 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
TC74LVX125FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LVX125FTELM -
सराय
ECAD 7229 0.00000000 तमाम TC74LVX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74LVX125 - 2V ~ 3.6V 14-TSSOP तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 सियार, शयरा 4 1 4MA, 4MA
TC7W240FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W240FU (TE12L, F) -
सराय
ECAD 6328 0.00000000 तमाम TC7W R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC7W240 - 2v ~ 6v 8-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 सियार, परत 2 1 7.8ma, 7.8ma
TC74VHC374FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC374FTELM -
सराय
ECAD 1811 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 20-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) D- अफ़स 74VHC374 तिहाई-शरा, 2V ~ 5.5V 20-TSSOP तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 8ma, 8ma तमाम १२० सराय तमाम 10.1ns @ 5v, 50pf 4 µa 4 पीएफ
TCR2EN115,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115, lf -
सराय
ECAD 6879 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN115 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.15V - 1 0.65V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, HOTIKIQ (M) -
सराय
ECAD 5233 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TA58M05 29V तय To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 1 तंग 80 सना हुआ - तमाम 500μA 5V - 1 0.65V @ 500mA - सराफकस
74LCX32FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX32FT (AJ) 0.0906
सराय
ECAD 7873 0.00000000 तमाम 74LCX R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) - 74LCX32 4 1.65V ~ 3.6V 14-TSSOPB तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 तंग 24MA, 24MA 10 µa 2 6.5NS @ 3.3V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
TC7WH123FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH123FUTE12LF -
सराय
ECAD 5347 0.00000000 तमाम TC7WH R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80 मिमी ranak) TC7WH123 2 वी ~ ~ 5.5 वी 8-एसओपी तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 कांपना 8ma, 8ma नहीं 1 10.3 एनएस
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (TE6, F, M) -
सराय
ECAD 8436 0.00000000 तमाम - थोक शिर - -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA76431 - - - - एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3RM12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A, LF 0.4600
सराय
ECAD 164 0.00000000 तमाम TCR3RM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XDFN SATHARY TCR3RM12 5.5V तय 4-((1x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 - तमाम 300ma 1.2V - 1 0.13V @ 300mA 100db (1kHz) अफ़रप, तंग
74VHC126FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC126FT 0.0990
सराय
ECAD 3251 0.00000000 तमाम TC74VHC R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 14-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) 74VHC126 - 2V ~ 5.5V 14-TSSOPB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,500 सियार, शयरा 4 1 8ma, 8ma
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39, LM (सीटी ((((() 0.0906
सराय
ECAD 3123 0.00000000 तमाम TCR3DF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SC-74A, SOT-753 TCR3DF39 5.5V तय एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 कांपना तमाम 300ma 3.9V - 1 0.22V @ 300mA 70DB (1KHz) तंग बातें, शत्रु, तेरस, परत,
TA78L015AP(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (F, M) -
सराय
ECAD 3595 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से TA78L015 35V तय एलएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 6 सना हुआ ६.५ सना हुआ - तमाम 150ma 15V - 1 - 41db (120Hz) अफ़रप, तंग
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12, LF (SE 0.3800
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 1.2V - 1 0.55V @ 150ma - अफ़र्याशियस
TCR2EN34,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34, lf -
सराय
ECAD 5294 0.00000000 तमाम TCR2EN R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-XFDFN SANAHAR THE TCR2EN34 5.5V तय 4-((0.8x0.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 3.4V - 1 0.18V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TB6593FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6593FNG (O, EL) -
सराय
ECAD 1555 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम सतह rurcur 20-एलएसएसओपी (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TB6593 तमाम 2.7V ~ 5.5V २०-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली कांपना सना 1 क 2.5V ~ 13.5V - बtrश डीसी -
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45, LM (सीटी ((((() 0.3700
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम TCR2EE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur SOT-553 TCR2EE45 5.5V तय तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µa कांपना तमाम 200MA 4.5V - 1 0.2V @ 150ma 73db (1kHz) अफ़र्याशियस
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ, 8 7.2800
सराय
ECAD 45 0.00000000 तमाम - नली शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) तमाम होल के kaytaumauth से 25-गठित गठित लीड TB6560 तमाम 4.5V ~ 5.5V 25-हजिप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 14 तेरहम - rayrी rurह r से से एकीकृत, नियंतtherण rur rur बिजली तपस्वी सना 3 ए 4.5V ~ 34V तमाम - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TC7WBL3306CFK(5L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBL3306CFK (5L, एफ -
सराय
ECAD 9648 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - सतह rurcur 8-((0.091 ", 2.30 मिमी ranak) - TC7WBL3306 2 8-एसओपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 3,000 - - - 19ohm 1.65V ~ 3.6V -
TC4066BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4066BFELNF 0.2107
सराय
ECAD 4928 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 14-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) दmuthun, fet सcunt TC4066 3V ~ 18v 14-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 2,000 - सराय 1 x 1: 1 4
TCR3UM175A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A, LF 0.0878
सराय
ECAD 3614 0.00000000 तमाम TCR3UM R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 4-udfn ने पैड को को ranahar TCR3UM175 5.5V तय 4-((1x1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 10,000 680 अराय सराफक, अफ़म तमाम 300ma 1.75V - 1 0.273V @ 300mA 70DB (1KHz) अफ़रप, तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम