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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS41C16105C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI-TR -
सराय
ECAD 9114 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 42-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS41C16105 DRAM - FP 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR82560B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBL-TR -
सराय
ECAD 6165 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR82560B-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S32800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B-TR -
सराय
ECAD 7302 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS41LV16105B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60TL -
सराय
ECAD 7481 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 117 सराय 16Mbit 30 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR16640BL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA1 -
सराय
ECAD 1957 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 190 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32800D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6TL-TR -
सराय
ECAD 4557 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS41LV16100B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TLI -
सराय
ECAD 5762 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS41LV16100 तंग - ईदो 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 117 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LV632A-6TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV632A-6TQI-TR -
सराय
ECAD 9973 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp Is61lv632 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 800 सराय 1mbit 6 एनएस शिर 32K x 32 तपस्वी -
IS43TR16128DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI-TR 4.8164
सराय
ECAD 2666 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43DR16160A-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-25EBL -
सराय
ECAD 4593 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 209 ४०० सराय सराय 256Mbit 400 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS66WVH8M8ALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8ALL-166B1LI 5.0400
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Is66wvh8m8 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1465 Ear99 8542.32.0071 480 १६६ सराय सराय 64mbit 36 एनएस तड़प 8 सीन x 8 तपस्वी 36NS
IS64LPS204818B-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS204818B-166TQLA3 132.3258
सराय
ECAD 9494 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS64LPS204818 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १६६ सराय सराय 36mbit 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ECLL-7010BLI 4.2635
सराय
ECAD 1225 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS66WVC2M16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 32Mbit 70 एनएस तड़प 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
IS46LQ16128A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA2 -
सराय
ECAD 9902 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128A-062BLA2 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS49NLS93200A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBL 30.4983
सराय
ECAD 4570 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS93200A-18WBL 104 ५३३ सरायम सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 32 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS42VM16800H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-75BLI-TR 3.8060
सराय
ECAD 5461 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR 12.7500
सराय
ECAD 3910 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLF25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS61NLF51236-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQI -
सराय
ECAD 3044 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TRA -
सराय
ECAD 2475 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS67WVC4M16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 १०४ सराय सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
IS42RM32800K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800K-6BLI 6.1873
सराय
ECAD 2789 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS34ML04G081-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G081-TLI-TR 8.4321
सराय
ECAD 2517 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Is34ml04 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 4 जीबिट 25 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25NS
IS61NLP102418-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-250B3I-TR -
सराय
ECAD 1486 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI-TR 1.2505
सराय
ECAD 5203 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-((0.300 ", 7.62 मिमी ranak) IS61C64 Sram - एसिंकthirोनस 4.75V ~ 5.25V 28-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 64kbit 10 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 10NS
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836EC-200B3LI-TR 7.7561
सराय
ECAD 1239 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS45S16160D-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7TLA1-TR -
सराय
ECAD 2084 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS61NVF102418-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5B3 -
सराय
ECAD 4874 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVF102418 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS61LF25636A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQLI-TR 12.7500
सराय
ECAD 2223 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43TR16128BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-125KBL -
सराय
ECAD 5006 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43LR32800H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BL-TR-TRE 4.4761
सराय
ECAD 8721 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LR32800H-6BL-TRE 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 LVCMOS 15NS
IS43R16160D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL-TR 3.2757
सराय
ECAD 6953 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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