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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS42S32800B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6TL-TR -
सराय
ECAD 2083 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61C25616AS-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AS-25TLI-TR 3.2261
सराय
ECAD 3470 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61C25616 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 25 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 25NS
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI 10.0900
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 171 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBL 7.8500
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 706-1731 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42S16800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI-TR -
सराय
ECAD 9624 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV1288FBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45QLI 1.9868
सराय
ECAD 4900 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) IS62WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-एसओपी तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 84 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 45NS
IS61VPD102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-2550B3I-TR -
सराय
ECAD 3106 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPD102418 Sram - कthama theircut 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS61LV25616AL-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TI-TR -
सराय
ECAD 9110 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV25616 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS43LQ16128A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128A-062BLI-TRE -
सराय
ECAD 7431 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS61NLF25672-7.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-7.5B1I -
सराय
ECAD 8925 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NLF25672 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS61LPS25618A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200TQI-TR -
सराय
ECAD 4433 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS25618 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
IS25LP064D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JLLE 1.3716
सराय
ECAD 5872 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) 706-IS25LP064D-JLLE 480 १६६ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS64WV102416BLL-10MA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MA3-TR -
सराय
ECAD 3772 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS64WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-‘, 9x11) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
IS43R83200F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TLI 4.2800
सराय
ECAD 278 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS49NLC18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33WBLI -
सराय
ECAD 3805 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS64WV6416BLL-15BA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15BA3-TRE -
सराय
ECAD 7858 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS64WV6416 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 2,500 सराय 1mbit 15 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 15NS
IS42S16160B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BLI-TR -
सराय
ECAD 6328 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-LFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WP128-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JLLE-TRE 1.9402
सराय
ECAD 9184 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25WP128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS43TR81280B-15GBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-11GBLI-TR -
सराय
ECAD 2572 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS61VPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25636A-200TQLI-TR 12.7500
सराय
ECAD 7454 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61VPS25636 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43R16320E-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BI-TR -
सराय
ECAD 5548 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S16320B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TLI -
सराय
ECAD 7540 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS65WV12816BLL-55BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55BLA3 4.6806
सराय
ECAD 5391 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS65WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS49NLC18160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25BL -
सराय
ECAD 9364 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI -
सराय
ECAD 4084 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32800 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS22TF16G-JCLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA2 28.0418
सराय
ECAD 6597 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) 706-IS22TF16G-JCLA2 152 २०० सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 EMMC_5.1 -
IS42S16160J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BL 3.0525
सराय
ECAD 2420 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LF102418A-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5TQL-TR -
सराय
ECAD 8978 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S86400D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-7TL-TR 12.3000
सराय
ECAD 5919 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S86400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी -
IS62WV2568FBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45TLI-TRE 1.5749
सराय
ECAD 5433 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) 706-IS62WV2568FBLL-45TLI-TR 1,500 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी 45NS
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम