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एकीकृत ruircut (ics) (5782)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
IS46LR16320C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320C-6BLA2-TR 12.7050
सराय
 ECAD 2404 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46LR16320 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR 11.7300
सराय
 ECAD 6369 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS61WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
IS46LQ16128A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA2 -
सराय
 ECAD 9902 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128A-062BLA2 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS46DR16320E-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1 5.1360
सराय
 ECAD 9989 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 209 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLS93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25B -
सराय
 ECAD 8248 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2-TR 7.5150
सराय
 ECAD 9997 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLS96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BLI -
सराय
 ECAD 1262 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
IS64LPS102436B-166B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B3LA3 127.7659
सराय
 ECAD 6048 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS64LPS102436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १६६ सराय सराय 36mbit 3.8 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS62WV51216BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BLI-TRE 5.8800
सराय
 ECAD 5777 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-Minibga (7.2x8.7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 8mbit 55 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS46TR16128A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-125KBLA2 -
सराय
 ECAD 5775 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16640BL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA1 -
सराय
 ECAD 1957 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 190 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
IS43R83200D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-5TL 5.3822
सराय
 ECAD 9812 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL-TR 2.1360
सराय
 ECAD 6934 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
IS25CD010-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25cd010-jnle-tr -
सराय
 ECAD 3222 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25CD010 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 5ms
IS42S16800F-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7B -
सराय
 ECAD 5802 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43R32800D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BLI -
सराय
 ECAD 5943 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 189 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
IS61LF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3I -
सराय
 ECAD 8032 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी - तमाम नहीं है
IS43R32800D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-6BL -
सराय
 ECAD 8976 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 189 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
IS49NLS96400-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33B -
सराय
 ECAD 5483 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
IS49RL36160-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125EBLI -
सराय
 ECAD 1425 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-LBGA IS49RL36160 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 119 800 तंग सराय 576MBIT 10 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
IS42S16800F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR 3.9209
सराय
 ECAD 6687 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 २०० सराय सराय 128Mbit 5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
सराय
 ECAD 6 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1567 Ear99 8542.32.0036 209 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LP512M-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RGLE -
सराय
 ECAD 5105 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25LP512 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 480 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS42SM16800G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BLI -
सराय
 ECAD 2094 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16800 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43R16160D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL 4.5300
सराय
 ECAD 1808 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32400B-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BI-TR -
सराय
 ECAD 2034 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS63WV1024BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12TLI 2.4900
सराय
 ECAD 117 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS63WV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 117 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 12NS
IS61WV102416DALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10TLI -
सराय
 ECAD 6196 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS61WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 96 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
IS42S16800F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TLI 2.5379
सराय
 ECAD 8874 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS25LP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp040e-jble-tr -
सराय
 ECAD 6618 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25LP040 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP040E-JBLE-TR Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 1.2ms
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AD9208BBPZ-3000

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