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एकीकृत ruircut (ics) (5782)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS43R16320E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BL-TR 6.2100
सराय
 ECAD 2954 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43DR86400D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-25DBLI 6.0878
सराय
 ECAD 6147 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 242 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS42S16800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBLI-TR -
सराय
 ECAD 2798 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR16256AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI-TR -
सराय
 ECAD 9780 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS43DR82560C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI-TR 12.8700
सराय
 ECAD 4604 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S16400D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7BLI -
सराय
 ECAD 4753 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-minibga (6.4x10.1) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 286 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TRE 6.3000
सराय
 ECAD 6745 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS64WV2568 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी 10NS
IS61DDP2B41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B41M18A-400M3L 44.1540
सराय
 ECAD 6511 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDP2 Sram - सिंकthirोनस, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 ४०० सराय सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS22TF32G-JCLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF32G-JCLA1-TRA 35.7770
सराय
 ECAD 1140 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF32G-JCLA1-TR 2,000 २०० सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 EMMC_5.1 -
IS42RM32800D-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BL -
सराय
 ECAD 1565 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS62WV25616EALL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TI -
सराय
 ECAD 5644 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS61VPD51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3-TR -
सराय
 ECAD 4506 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPD51236 Sram - कthama theircut 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS62WV25616DALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55BLI -
सराय
 ECAD 8372 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS62WV25616EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BLI 4.4671
सराय
 ECAD 8814 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS61LV12824-10B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10B-TR -
सराय
 ECAD 1570 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए IS61LV12824 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 3mbit 10 एनएस शिर 128K x 24 तपस्वी 10NS
IS61NVF51236-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-7.5B3I -
सराय
 ECAD 3893 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVF51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS43TR16640CL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBLI 4.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16640CL-107MBLI Ear99 8542.32.0032 190 933 सरायम सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43DR16160B-37CBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBL 3.9400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1273 Ear99 8542.32.0024 209 २६६ सराय सराय 256Mbit 500 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LQ032B-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JMLE -
सराय
 ECAD 8579 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) IS25LQ032 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 44 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 1ms
IS29GL128-70FLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLET-TRE 4.5047
सराय
 ECAD 9483 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 3V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS29GL128-70FLET-TR 2,000 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16 सिया x 8 सीएफआई 70NS, 200 और
IS42S32800B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BLI -
सराय
 ECAD 4514 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS62WV5128DBLL-45QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45QLI-TR -
सराय
 ECAD 1328 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.3V ~ 3.6V 32-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS49NLS93200A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-25EWBLI 31.9177
सराय
 ECAD 8301 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS93200A-25EWBLI 104 ४०० सराय सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 32 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS41LV16100B-60KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60KL-TR -
सराय
 ECAD 6277 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 42-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS41LV16100 तंग - ईदो 3V ~ 3.6V 42-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 30 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS49NLS96400A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-18WBLI 57.2059
सराय
 ECAD 6951 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS96400A-18WBLI 104 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 64 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS61WV5128BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10BLI 4.2900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS61WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS42S32400E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6TL-TR -
सराय
 ECAD 3192 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS43DR81280B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25DBLI 7.5641
सराय
 ECAD 2694 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 242 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS25LP01GG-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp01gg-rmle-ty 13.2900
सराय
 ECAD 2624 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP01GG-RMLE-TY 176
IS43DR16160B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBI -
सराय
 ECAD 3647 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 209 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
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AD9208BBPZ-3000

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