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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
सराय
ECAD 3861 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LQ32EQEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25Q127CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CWIGR 2.2300
सराय
ECAD 11 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD9FU4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F3AMGI 7.0543
सराय
ECAD 4103 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग 1970-GD9FU4G8F3AMGI 960 सराय 4 जीबिट 18 एनएस चमक 512M x 8 ओनफी 20NS
GD25LQ64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIGR 1.4100
सराय
ECAD 19 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CEIGR 0.6800
सराय
ECAD 44 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIG 0.4195
सराय
ECAD 7089 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0.3686
सराय
ECAD 6654 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CEIGR 0.3752
सराय
ECAD 1631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD5F2GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIGY 3.9138
सराय
ECAD 8997 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5REYIGY 4,800 80 सराय सराय 2 जीबिट 11 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR 0.7100
सराय
ECAD 81 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25WD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार -
GD25Q20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20COIGR -
सराय
ECAD 7018 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LF128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EQEGR 1.9209
सराय
ECAD 2689 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LF128EQEGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ64ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ET2GY 1.2776
सराय
ECAD 6914 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ64ET2GY 4,320 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGR 1.3900
सराय
ECAD 8 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD55X02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X02GEBIRY 25.9350
सराय
ECAD 2372 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55X शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55X02GEBIRY 4,800 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25LR128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128EWIGR 1.8258
सराय
ECAD 4313 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LR R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25LR128EWIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
GD25Q80CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CS2GR 0.5970
सराय
ECAD 4404 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25Q80CS2GRTR 2,000 80 सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 60s, 4ms
GD25B512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYIGR 4.3264
सराय
ECAD 9970 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B512MEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ETIGR 0.7908
सराय
ECAD 4199 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ64ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55F512MFWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55F512MFWIGR 4.3329
सराय
ECAD 5638 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD55F512MFWIGRTR 3,000
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY -
सराय
ECAD 1367 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40ETIGR 0.2865
सराय
ECAD 6302 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LD40ETIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit 12 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DBAGY 2.5210
सराय
ECAD 8554 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LQ128DBAGY 4,800 १०४ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 4ms
GD25F256FFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FFIRR 2.3755
सराय
ECAD 2196 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25F256FFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LR512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512MEYIGR 5.0565
सराय
ECAD 9628 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LR R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LR512MEYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार -
GD25LB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EIGY 2.3030
सराय
ECAD 8775 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25LB256EIGY 4,800 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25Q16ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EGR 0.8143
सराय
ECAD 2104 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q16EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIG -
सराय
ECAD 4305 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25WD20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIGRIGRIGRIGRIG -
सराय
ECAD 6107 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
सराय
ECAD 7794 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25F128FS2GRTR 2,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम