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एकीकृत ruirch (ics) (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25LT512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEFIRR 5.6176
सराय
 ECAD 8836 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD25LT512MEFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25B32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESAGR 1.0363
सराय
 ECAD 6446 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B32ESAGRTR 2,000 सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD25B16CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CS2GR 0.7772
सराय
 ECAD 3277 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B16CS2GRTR 2,000 सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR -
सराय
 ECAD 3038 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE32 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD25LF32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32EGEGR 0.9817
सराय
 ECAD 9351 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) तंग 1970-GD25LF32EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 5.5 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 100s, 4ms
GD55LT512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512WEBIRY 5.4414
सराय
 ECAD 5146 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT512WEBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1.2ms
GD25LQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEIGR 0.3515
सराय
 ECAD 2521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ20EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD55LB01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEB2RY 13.4000
सराय
 ECAD 9389 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LB01GEB2RY 4,800 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
सराय
 ECAD 3644 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REYIGY 3.6575
सराय
 ECAD 6597 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GM7REYIGY 4,800 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 4 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFIRR 2.3733
सराय
 ECAD 8858 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LQ255EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
GD25Q128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQIGR 1.2544
सराय
 ECAD 8834 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25Q128EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25F256FBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FBIRY 2.3163
सराय
 ECAD 1615 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F256FBIRY 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LB128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EWIGR 1.4109
सराय
 ECAD 1554 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LB128EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETIGR 0.5500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
सराय
 ECAD 5956 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25LQ256DWAGY 5,700 १०४ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 4ms
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CEIGR 0.3167
सराय
 ECAD 8682 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25D40CEIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25F128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128ESIGR 1.1590
सराय
 ECAD 6397 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD25F128ESIGRTR 2,000
GD25LB32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ES2GR 0.9968
सराय
 ECAD 1616 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LB32ES2GRTR 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 0.7583
सराय
 ECAD 3050 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGY 1.5901
सराय
 ECAD 1919 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LE128EWJGY 5,700 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55LX02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEBIRY 26.2542
सराय
 ECAD 8747 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LX शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25LD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80ETIGY 0.3167
सराय
 ECAD 7655 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LD80ETIGY 4,320 ५० सभा सराय 8mbit 12 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25Q127CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJG -
सराय
 ECAD 1705 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25LQ64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWIGR 1.4800
सराय
 ECAD 5696 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25F256FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FB2RY 3.4593
सराय
 ECAD 6033 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F256FB2RY 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25WR256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR256EIGY 2.6761
सराय
 ECAD 6615 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WR शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25WR256EIGY 4,800 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25WQ32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ELIGR 0.7862
सराय
 ECAD 2187 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WLCSP - 1970-GD25WQ32ELIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80CLIGR 0.4949
सराय
 ECAD 2758 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-WLCSP तंग 1970-GD25LE80CLIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGR 3.9884
सराय
 ECAD 8461 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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