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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग अफ़सीर तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25LB16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EEIGR 0.5678
सराय
ECAD 6008 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LB16EIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
सराय
ECAD 4717 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
सराय
ECAD 9867 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
GD5F4GQ6UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYJGR 8.0538
सराय
ECAD 9780 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 8 सवार 600 ओएफएस
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGY 0.8284
सराय
ECAD 5971 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LE64ESIGY 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD5F2GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY 3.5981
सराय
ECAD 5088 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F2GM7REWIGY 5,700 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 4 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LB128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128ESIGR 1.3057
सराय
ECAD 2448 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LB128ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ETIGR 0.3167
सराय
ECAD 8227 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LT512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEF2RY 8.7046
सराय
ECAD 2275 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD25LT512MEF2RY 1,760 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ENIGR 0.6646
सराय
ECAD 7865 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q32ENIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25Q128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EWIGY 1.2438
सराय
ECAD 9372 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q128EWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ETIGR 0.7908
सराय
ECAD 4199 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ64ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128ESIGR 1.5448
सराय
ECAD 3775 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25R128ESIGRTR 2,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
GD25Q80CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CS2GR 0.5970
सराय
ECAD 4404 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25Q80CS2GRTR 2,000 80 सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 60s, 4ms
GD25B32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESIGR 0.6115
सराय
ECAD 2604 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25B32ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
सराय
ECAD 6575 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25B32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESAGR 1.0363
सराय
ECAD 6446 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B32ESAGRTR 2,000 सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD55B02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBIRY 16.9200
सराय
ECAD 9617 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55B02GEBIRY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25R256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256EFIRR 2.8829
सराय
ECAD 4734 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25R256EFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
सराय
ECAD 9397 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग 1970-GD25WD40COIGRTR 3,000 100 सराय सराय 4Mbit 12 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFIRR 2.3733
सराय
ECAD 8858 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LQ255EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
GD25Q64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ETIGY 0.7441
सराय
ECAD 3710 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q64ETIGY 4,320 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LT512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GY 8.3285
सराय
ECAD 2372 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GY 4,800 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EGREGREG 0.5242
सराय
ECAD 8015 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ80EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEIGR 0.7020
सराय
ECAD 8164 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fs8g8e3algj 17.9949
सराय
ECAD 2667 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FS8G8E3ALGJ 2,100
GD25LF64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF64EGR 1.2636
सराय
ECAD 5534 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) तंग 1970-GD25LF64EGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH16ENIGR 0.6080
सराय
ECAD 6672 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD25LH16ENIGRTR 3,000
GD25F256FFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FFIRR 2.3755
सराय
ECAD 2196 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25F256FFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD55LT01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEY2GY 16.9841
सराय
ECAD 7137 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD55LT01GEY2GY 4,800 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम