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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFBIGY 4.3225
सराय
ECAD 7761 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD5F2GQ5RFBIGY 4,800
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0.3752
सराय
ECAD 7679 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25WD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32ENIGR 0.7301
सराय
ECAD 2833 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD25LH32ENIGRTR 3,000
GD25R256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256EFIRR 2.8829
सराय
ECAD 4734 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25R256EFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q127CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIG 1.2501
सराय
ECAD 4780 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25LE64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGR 0.8045
सराय
ECAD 7779 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LE64ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LB256ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256ELIGR 2.6281
सराय
ECAD 7016 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 32-WLCSP तंग 1970-GD25LB256ELIGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25LQ128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EJGR 1.6598
सराय
ECAD 3550 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25LQ128EJGRTR 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
सराय
ECAD 7728 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
सराय
ECAD 8216 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CWIGR 1.4800
सराय
ECAD 59 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD5F4GQ6UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYJGR 8.0538
सराय
ECAD 9780 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 8 सवार 600 ओएफएस
GD5F4GQ4UCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UCYIGY -
सराय
ECAD 2289 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
GD25LQ16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEIGR 0.5533
सराय
ECAD 5810 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ16EIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD9FS4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2AMGI 6.9852
सराय
ECAD 1155 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I तंग 1970-GD9FS4G8F2AMGI 960 सराय 4 जीबिट 22 एनएस चमक 512M x 8 ओनफी 25NS
GD25Q256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWIGR 3.7500
सराय
ECAD 7789 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस चमक 32 सिया x 8 सवार 90 और, 2ms
GD25LB128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128ESIGR 1.3057
सराय
ECAD 2448 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LB128ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LE32E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32E3IG 0.7363
सराय
ECAD 6882 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 10-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 10-WLCSP तंग 1970-GD25LE32E3IGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55LX512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX512WEBIRY 7.2778
सराय
ECAD 5998 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LX शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX512WEBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, 50s, 1.2ms
GD25WD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80ETIGY 0.3640
सराय
ECAD 4418 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WD80ETIGY 4,320 १०४ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD55LT02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEB2RY 32.3250
सराय
ECAD 3679 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT02GEB2RY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIGR 2.2000
सराय
ECAD 6 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIG -
सराय
ECAD 4305 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25WD20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
सराय
ECAD 1931 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
सराय
ECAD 1666 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25B512MEY2GRTR 3,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIGRIGRIGRIGRIG -
सराय
ECAD 6107 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
सराय
ECAD 3049 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EEGR 0.7582
सराय
ECAD 2735 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE16EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
सराय
ECAD 6852 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25VE40 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
सराय
ECAD 9867 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम