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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
सराय
ECAD 3049 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EEGR 0.7582
सराय
ECAD 2735 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE16EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
सराय
ECAD 6852 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25VE40 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
सराय
ECAD 9867 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTCTIGRIGRIGRIG 1.0100
सराय
ECAD 18 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
सराय
ECAD 9397 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग 1970-GD25WD40COIGRTR 3,000 100 सराय सराय 4Mbit 12 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25WD40CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CKIGR 0.3640
सराय
ECAD 5690 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD40CKIGRTR 3,000 100 सराय सराय 4Mbit 12 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD55LT02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBIRY 21.8652
सराय
ECAD 6524 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT02GEBIRY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR। 2.2300
सराय
ECAD 521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEIGR 0.4800
सराय
ECAD 25 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q40 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25D20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20ETIGR 0.2257
सराय
ECAD 1882 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D20ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25Q16EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EQIGR 0.5678
सराय
ECAD 2315 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25Q16EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGY -
सराय
ECAD 2825 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F2GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
सराय
ECAD 2242 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
सराय
ECAD 5747 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25Q20ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ETJGR 0.3468
सराय
ECAD 7610 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q20ETJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 7 एनएस चमक 256K x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DWIGR 2.2900
सराय
ECAD 5 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
सराय
ECAD 6575 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH16ENIGR 0.6080
सराय
ECAD 6672 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD25LH16ENIGRTR 3,000
GD25Q256DBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DBIGY 2.7874
सराय
ECAD 1362 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EGREGREG 0.5242
सराय
ECAD 8015 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ80EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD5F4GM8UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEWIGY 6.1180
सराय
ECAD 5267 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F4GM8UEWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 4 जीबिट 7 एनएस चमक 512M x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD55LX02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEB2RY 41.2965
सराय
ECAD 8222 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LX शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEB2RY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD55LE511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEWIGR 4.3329
सराय
ECAD 6027 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD55LE511MEWIGRTR 3,000
GD25LE128ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ELIGR 1.4105
सराय
ECAD 3377 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-WLCSP तंग 1970-GD25LE128ELIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q80ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ES2GR 0.5090
सराय
ECAD 5610 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25Q80ES2GRTR 2,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LE64CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64CLIGR -
सराय
ECAD 6812 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 21-XFBGA, WLSCP GD25LE64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 21-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR 0.5242
सराय
ECAD 9750 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25B16EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0.4949
सराय
ECAD 9389 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3,000 80 सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60s, 4ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
सराय
ECAD 7794 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25F128FS2GRTR 2,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम