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एकीकृत ruirch (ics) (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25Q40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EEAGR 0.6261
सराय
 ECAD 7402 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) - 1970-GD25Q40EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIGRIGRIGR। 0.4033
सराय
 ECAD 3962 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 3ms
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGY 1.5901
सराय
 ECAD 1919 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LE128EWJGY 5,700 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
सराय
 ECAD 1633 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LX शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX256EB2RY 4,800 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR -
सराय
 ECAD 3038 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE32 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD25Q256DBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DBIGY 2.7874
सराय
 ECAD 1362 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LT512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEB2RY 8.8046
सराय
 ECAD 2037 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LT512MEB2RY 4,800 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD55LX02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEB2RY 41.2965
सराय
 ECAD 8222 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LX शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEB2RY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25LQ64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIG 0.8174
सराय
 ECAD 4538 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD25WR256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR256EIGY 2.6761
सराय
 ECAD 6615 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WR शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25WR256EIGY 4,800 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
सराय
 ECAD 7479 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CEIGR 0.3167
सराय
 ECAD 8682 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25D40CEIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CEIGR -
सराय
 ECAD 2521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LQ20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CEIGR 0.5700
सराय
 ECAD 15 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR। 2.2300
सराय
 ECAD 521 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEFIRR 9.2951
सराय
 ECAD 9808 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD55LB01GEFIRRTR 1,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25Q127CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIGR 1.9600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD5F4GQ4RCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGY -
सराय
 ECAD 1688 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
GD25LD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CKIGR 0.2865
सराय
 ECAD 1092 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD05CKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 512kbit 12 एनएस चमक 64K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD25LR512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512MEYIGR 5.0565
सराय
 ECAD 9628 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LR R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LR512MEYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार -
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0.3752
सराय
 ECAD 7679 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25WD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार -
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CEIGR 0.4033
सराय
 ECAD 9208 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 60s, 6ms
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
सराय
 ECAD 5747 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD25B512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYIGR 4.3264
सराय
 ECAD 9970 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B512MEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD5F2GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYJGR 4.9238
सराय
 ECAD 1026 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GQ5REYJGRTR 3,000 80 सराय सराय 2 जीबिट 11 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 600 ओएफएस
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255ELIGR 2.4585
सराय
 ECAD 4956 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE255ELIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25B256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIRY 2.4461
सराय
 ECAD 9293 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25B256EFIRY 1,760 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
सराय
 ECAD 1931 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-वीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD5F4GQ4UBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UBYIGR -
सराय
 ECAD 3755 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
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AD9208BBPZ-3000

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