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एकीकृत ruirch (ics) (847)

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GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
सराय
 ECAD 9944 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ16 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 3ms
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIGR 4.5955
सराय
 ECAD 8077 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25R512MEYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD5F1GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7REWIGY 2.2630
सराय
 ECAD 3297 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F1GM7REWIGY 5,700 १०४ सराय सराय 1gbit 9 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD55T02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBIRY 21.5992
सराय
 ECAD 1604 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T02GEBIRY 4,800 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr -
GD5F2GQ5UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UFYIGR 3.9884
सराय
 ECAD 4325 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - 1970-GD5F2GQ5UFYIGRTR 3,000
GD55LT01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBIRY 10.8794
सराय
 ECAD 5698 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT01GEBIRY 4,800 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LE32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ESIGR 1.0600
सराय
 ECAD 6350 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LB256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EY2GY 3.4340
सराय
 ECAD 9227 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LB256EY2GY 4,800 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD5F1GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGR 2.3508
सराय
 ECAD 2789 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD25Q32ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETJGR 0.6989
सराय
 ECAD 5631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q32ETJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0.2929
सराय
 ECAD 4889 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD10CKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 1mbit 12 एनएस चमक 128K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD25LT256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EBIRY 3.1800
सराय
 ECAD 5306 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25LT256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEAGR 0.6080
सराय
 ECAD 7088 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) - 1970-GD25LQ20EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 100s, 4ms
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGY 0.8112
सराय
 ECAD 4020 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q64EWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ETIGR 1.0100
सराय
 ECAD 6874 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25WQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ETIGR 1.4100
सराय
 ECAD 8328 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १०४ सराय सराय 64mbit 12 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25WQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EQEGR 1.9478
सराय
 ECAD 2726 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25WQ128EQEGRTR 3,000 84 तंग सराय 128Mbit 8 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 240, एस, 8ms
GD25Q64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQIGR 0.8181
सराय
 ECAD 5714 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25Q64EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CTIGRIGRIGR। 0.5000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LX512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEBIRY 6.3271
सराय
 ECAD 6051 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LX शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX512MEBIRY 4,800 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
सराय
 ECAD 5535 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25LE128EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWJGR 1.7013
सराय
 ECAD 2726 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LE128EWJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25R256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256EWIGY 2.7157
सराय
 ECAD 2877 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25R256EWIGY 5,700 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD55T02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEB2RY 33.9815
सराय
 ECAD 8032 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55T02GEB2RY 4,800 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25Q64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EGR 1.1317
सराय
 ECAD 4773 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q64EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIG -
सराय
 ECAD 4889 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25LF255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255EWIGR 2.3508
सराय
 ECAD 3426 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LF255WIGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25WQ128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EIGY 1.3445
सराय
 ECAD 4020 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25WQ128EIGY 4,800 १०४ सराय सराय 128Mbit 8 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25WQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ETIGR 0.6843
सराय
 ECAD 3836 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ32ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25LE64E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64E3IG 0.9266
सराय
 ECAD 6060 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WLCSP - 1970-GD25LE64E3IGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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