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एकीकृत ruirch (ics) (847)

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GD5F1GQ5UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEY2GY 3.6575
सराय
 ECAD 7204 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEY2GY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
सराय
 ECAD 7104 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD25LB16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EWIGR 0.6261
सराय
 ECAD 1694 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LB16EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25B512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEFIRR 4.4984
सराय
 ECAD 3661 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25B512MEFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25WQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQIGR 0.9266
सराय
 ECAD 5857 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25WQ64EQIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 64mbit 12 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25D80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CSIGR 0.2865
सराय
 ECAD 7950 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D80CSIGRTR 2,000 100 सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25D20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CTCTIGRIGRIGRIGRIG 0.2262
सराय
 ECAD 1994 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D20CTCRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD5F4GM8REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8REYIGY 5.9850
सराय
 ECAD 2866 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GM8REYIGY 4,800 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LE32EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EQIGR 0.7301
सराय
 ECAD 8523 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LE32EQIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55LB01GEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEYIGR 9.0735
सराय
 ECAD 1884 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD55LB01GEYIGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 70, एस, 1.2ms
GD25LD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20ETIGR 0.2343
सराय
 ECAD 5339 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LD20ETIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 2mbit 12 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD55LB02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB02GEBJRY 22.0514
सराय
 ECAD 5849 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55LB02GEBJRY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD55LB01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEF2RR 14.2906
सराय
 ECAD 1528 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD55LB01GEF2RRTR 1,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD5F1GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHY 2.3962
सराय
 ECAD 9242 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F1GQ5REIHY 4,800 १०४ सराय सराय 1gbit 9.5 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LB16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16ETIGR 0.5242
सराय
 ECAD 10000 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग 1970-GD25LB16ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25WD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CSIGR 0.3786
सराय
 ECAD 5299 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WD80CSIGRTR 2,000 100 सराय सराय 8mbit 12 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 60s, 6ms
GD25LE80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80EEIGR 0.4659
सराय
 ECAD 2264 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LE80EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q256DFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DFIGR 3.8200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25Q256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CSIGR 0.6100
सराय
 ECAD 10 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १२० सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD9FU1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F3ALGI 2.4985
सराय
 ECAD 3762 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FU1G8F3ALGI 2,100
GD25R256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256EYIGR 2.7941
सराय
 ECAD 1941 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25R256EYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD5F2GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY 3.5910
सराय
 ECAD 4818 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F2GM7UEWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 2 जीबिट 7 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LF128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128ESIGR 1.2681
सराय
 ECAD 7624 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LF128ESIGRTR 2,000 १६६ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD9FS4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2ALGI 7.0554
सराय
 ECAD 5974 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर तंग 1970-GD9FS4G8F2ALGI 2,100
GD25Q64EZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EZIGY 0.8923
सराय
 ECAD 9870 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25Q64EZIGY 4,800 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LF32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32EEGR 1.0109
सराय
 ECAD 9099 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LF32EEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 5.5 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 100s, 4ms
GD25Q16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSIG 0.3366
सराय
 ECAD 2646 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LE64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ENIGR 0.8863
सराय
 ECAD 9284 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) तंग 1970-GD25LE64ENIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25B32ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ET2GR 0.9266
सराय
 ECAD 8095 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप - 1970-GD25B32ET2GRTR 3,000 सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार -
GD25Q20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EKIGR 0.3515
सराय
 ECAD 4357 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25Q20EKIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 7 एनएस चमक 256K x 8 सवार 70 और, 2ms
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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