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एकीकृत ruirch (ics) (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25Q40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40EEIGR 0.3619
सराय
 ECAD 9407 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25Q40EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 70 और, 2ms
GD9FS2G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F2AMGI 4.7315
सराय
 ECAD 6368 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I तंग 1970-GD9FS2G8F2AMGI 960 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k ओनफी 25NS
GD25LB128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128DSIGR 1.3619
सराय
 ECAD 4748 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LB128DSIGRTR 2,000 १२० सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25B128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EWIGR 2.1800
सराय
 ECAD 6120 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LE128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ESIGR 2.1600
सराय
 ECAD 5205 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LE64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EWIGR 0.8863
सराय
 ECAD 6966 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25LE64EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25WD05CK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CK6IGR 0.3318
सराय
 ECAD 2665 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD05CK6IGRTR 3,000 100 सराय सराय 512kbit 12 एनएस चमक 64K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD5F1GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEBIGY 2.3917
सराय
 ECAD 2641 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEBIGY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25WQ32ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ESJGR 0.7989
सराय
 ECAD 2679 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ32ESJGRTR 2,000 84 तंग सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 240, एस, 8ms
GD5F2GQ5RFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFYIGY 4.1230
सराय
 ECAD 2554 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD5F2GQ5RFYIGY 4,800
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGRIGRIGR। 0.3205
सराय
 ECAD 1092 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD9FU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU8G8E3AMGI 14.7368
सराय
 ECAD 4073 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग 1970-GD9FU8G8E3AMGI 960 सराय 8gbit 18 एनएस चमक 1 जी x 8 ओनफी 20NS
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGR 2.3105
सराय
 ECAD 2302 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B256EYIGRTR 3,000 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFIRR 2.4170
सराय
 ECAD 6922 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25Q256EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CYIGR 2.1900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25Q127 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 12, 2.4ms
GD25LQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ETIGR 0.3515
सराय
 ECAD 4553 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ40ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ20CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CE2GR 0.5678
सराय
 ECAD 2925 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-((3x2) - 1970-GD25LQ20CE2GRTR 3,000 90 तंग सराय 2mbit 7 एनएस चमक 256K x 8 सवार 80s, 3ms
GD5F4GM8REWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8REWIGR 6.3544
सराय
 ECAD 3728 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD5F4GM8REWRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 1 जी x 4 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD9FS8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E3AMGI 14.9396
सराय
 ECAD 4559 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 48-tsop I तंग 1970-GD9FS8G8E3AMGI 960 सराय 8gbit 22 एनएस चमक 1 जी x 8 ओनफी 25NS
GD25T512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEFIRR 5.2358
सराय
 ECAD 5585 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD25T512MEFIRRTR 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25LT256EYAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EYAGR 5.8677
सराय
 ECAD 2495 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT256EAGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 3ms
GD5F1GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGR 2.3508
सराय
 ECAD 2789 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD25Q32ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETJGR 0.6989
सराय
 ECAD 5631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q32ETJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0.2929
सराय
 ECAD 4889 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD10CKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 1mbit 12 एनएस चमक 128K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD25LT256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EBIRY 3.1800
सराय
 ECAD 5306 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए GD25LT256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CTIGRIGRIGR। 0.6100
सराय
 ECAD 11 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LQ16 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEAGR 0.6080
सराय
 ECAD 7088 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) - 1970-GD25LQ20EEAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 सवार 100s, 4ms
GD25LD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIG -
सराय
 ECAD 1510 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 ५० सभा सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 60s, 6ms
GD25LD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CTCTIGRIGRIGRIG 0.2725
सराय
 ECAD 9834 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25LD20 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 2mbit चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGY 0.8112
सराय
 ECAD 4020 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q64EWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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