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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग अफ़सीर HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम अफ़स्या पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25D20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CTCTIGRIGRIGRIGRIG 0.2262
सराय
ECAD 1994 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D20CTCRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFIRR 2.4170
सराय
ECAD 6922 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25Q256EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25Q64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EGR 1.1317
सराय
ECAD 4773 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q64EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25B512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEFIRR 4.4984
सराय
ECAD 3661 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25B512MEFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25R512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R512MEYIGR 4.5955
सराय
ECAD 8077 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25R512MEYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25F256FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYAGY 4.1496
सराय
ECAD 4239 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25F256FYAGY 4,800 २०० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64ESIGY 0.9547
सराय
ECAD 4911 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25UF शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.14V ~ 1.26V 8-सेप - 1970-GD25UF64ESIGY 3,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25Q128ESEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EGEGR 1.5907
सराय
ECAD 1203 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q128EGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25LT512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GR 8.8525
सराय
ECAD 7207 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25R64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64EYIGR 1.2272
सराय
ECAD 9905 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25R R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25R64EYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार -
GD5F1GQ5UEYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHY 2.3296
सराय
ECAD 5815 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEYIHY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGR 2.3105
सराय
ECAD 2302 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25B256EYIGRTR 3,000 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25D20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CEIGR 0.2636
सराय
ECAD 7400 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25D20CEIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD9FU8G8E3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU8G8E3AMGI 14.7368
सराय
ECAD 4073 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग 1970-GD9FU8G8E3AMGI 960 सराय 8gbit 18 एनएस चमक 1 जी x 8 ओनफी 20NS
GD25LQ40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ETIGR 0.3515
सराय
ECAD 4553 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ40ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EFIRR 1.3327
सराय
ECAD 4318 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग 1970-GD25Q128EFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ128EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EBIRY 1.3845
सराय
ECAD 5925 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25LQ128EBIRY 4,800 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD55B01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEB2RY 13.2000
सराय
ECAD 1887 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55B01GEB2RY 8542.32.0071 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q128ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESJGR 1.3832
सराय
ECAD 3159 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q128ESJGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD55R512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55R512MEYIGY 4.6550
सराय
ECAD 3570 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD55R512MEYIGY 4,800
GD25WQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ENIGR 0.7582
सराय
ECAD 3291 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25WQ32ENIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25F64FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FW2GR 1.5077
सराय
ECAD 6890 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25F R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25F64FW2GRTR 3,000 २०० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25LF255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255EWIGR 2.3508
सराय
ECAD 3426 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LF R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LF255WIGRTR 3,000 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD5F1GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGR 2.3508
सराय
ECAD 2789 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD25WQ32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ETIGR 0.6843
सराय
ECAD 3836 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ32ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 8 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25LE80ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80ELIGR 0.4666
सराय
ECAD 3418 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LE R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-XFBGA, WLCSP फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-WLCSP तंग 1970-GD25LE80ELIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55LB01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEF2RR 14.2906
सराय
ECAD 1528 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD55LB01GEF2RRTR 1,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 140 और, 2ms
GD5F1GQ5UEBJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEBJGY 2.7537
सराय
ECAD 7495 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEBJGY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25LB16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16ESIGR 0.5242
सराय
ECAD 8856 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग 1970-GD25LB16ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ128ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128ESJGR 1.2408
सराय
ECAD 7176 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ128ESJGRTR 2,000 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम