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एकीकृत ruirch (ics) (847)

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GD25D80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CTIGRIGRIGRIGR। 0.2783
सराय
 ECAD 2411 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D80CTIGRTR 3,000 100 सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD55T01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEF2RR 16.4782
सराय
 ECAD 6100 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - 1970-GD55T01GEF2RRTR 1,000 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, dtr -
GD25Q16CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTEGR 1.2500
सराय
 ECAD 14 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64EWIGR 0.9126
सराय
 ECAD 8288 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LB64EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25S512MDYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYEGR 6.0164
सराय
 ECAD 9308 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD25S512MDYEGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 512MBIT 7 एनएस चमक 64 सिया x 8 सवार 60s, 2.5ms
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR -
सराय
 ECAD 6319 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LQ40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EFIRR 1.4778
सराय
 ECAD 3146 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LQ128EFIRRTR 1,000 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
सराय
 ECAD 6545 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25VE20 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार -
GD9FU2G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F2AMGI 4.5630
सराय
 ECAD 3459 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग 1970-GD9FU2G8F2AMGI 960 सराय 2 जीबिट 18 एनएस चमक २५६ सिया x k ओनफी 20NS
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DYIGR। -
सराय
 ECAD 3379 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार 2.4ms
GD25WD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40ETIGR 0.3167
सराय
 ECAD 8823 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WD40ETIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESAGR 1.4385
सराय
 ECAD 9558 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGRIGRIGRIGRIG 0.6100
सराय
 ECAD 30 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
सराय
 ECAD 9569 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG -
सराय
 ECAD 7306 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25WD05 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 20,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 सवार -
GD5F2GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEYIGY 3.2825
सराय
 ECAD 6646 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GM7UEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट 7 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25WQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EEIGR 0.4222
सराय
 ECAD 3181 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((3x2) तंग 1970-GD25WQ40EEIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 120 और, 4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
सराय
 ECAD 9390 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE GD25LQ64 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 2.4ms
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
सराय
 ECAD 8974 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EGREGR 0.6552
सराय
 ECAD 3651 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q16EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD9FS2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F2ALGI 4.7455
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) तंग 1970-GD9FS2G8F2ALGI 2,100 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k ओनफी 25NS
GD25Q64CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CFIGR 1.0164
सराय
 ECAD 7769 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १२० सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EKIGR 0.3167
सराय
 ECAD 1678 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25LQ16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGR 0.6115
सराय
 ECAD 2626 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2.1V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25LQ16EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 6 एनएस चमक 2 सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25WD20EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EK6IGR 0.3368
सराय
 ECAD 6405 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD20EK6IGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 2mbit 6 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CEIGR 0.6800
सराय
 ECAD 44 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIGR -
सराय
 ECAD 6264 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ80 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2.1V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ128DW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DW2GR 2.2408
सराय
 ECAD 8751 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25LQ128DW2GRTR 3,000 १०४ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 2.4ms
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IG -
सराय
 ECAD 8267 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-व GD5F1GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-LGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 सवार 700 ओएफएस
GD25D05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CKIGR 0.2725
सराय
 ECAD 6700 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25D05 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
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AD9208BBPZ-3000

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