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एकीकृत ruirch आईसीएस (आईसीएस) (1624)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
AS4C128M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BIN -
सराय
 ECAD 6882 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA AS4C128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1086 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BANTR -
सराय
 ECAD 6479 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA AS4C128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS4C128M8D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BCNTR -
सराय
 ECAD 9992 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA AS4C128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
AS4C16M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BINTR 5.1909
सराय
 ECAD 9786 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए AS4C16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
AS4C256M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BINTR -
सराय
 ECAD 8653 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA AS4C256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
AS4C512M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BINTR -
सराय
 ECAD 1530 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA AS4C512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
AS4C64M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCNTR -
सराय
 ECAD 5511 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-वीएफबीजीए AS4C64 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS4C64M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BINTR -
सराय
 ECAD 2250 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-वीएफबीजीए AS4C64 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS4C64M16MD1-6BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BCNTR -
सराय
 ECAD 5965 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA AS4C64 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 १६६ सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS4C64M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BINTR 4.4911
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA AS4C64 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,000 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
AS7C316096C-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10TINTR 18.6750
सराय
 ECAD 7070 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS7C316096 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 44-tsop2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 2 सींग x 8 तपस्वी 10NS
AS7C316098B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316098B-10TINTR 18.6750
सराय
 ECAD 6335 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS7C316098 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
AS4C16M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BCNTR 4.5617
सराय
 ECAD 8825 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए AS4C16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
AS6C4016A-45ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4016A-45ZINTR -
सराय
 ECAD 5045 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS6C4016 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 5.5V 44-tsop2 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
AS4C2M32S-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-5TCN -
सराय
 ECAD 2969 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) AS4C2M32 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 २०० सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 2NS
AS4C32M16MD1-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-6BCN -
सराय
 ECAD 2380 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) सतह rurcur 60-TFBGA AS4C2M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.9V 60-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
AS7C3513B-12JCTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-12JCTR 2.0000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-SOJ - 3277-AS7C3513B-12JCTR Ear99 8542.32.0041 500 सराय 512kbit शिर 32K x 16 तपस्वी 12NS तमाम नहीं है
AS6C8008B-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008B-45bin 7.7000
सराय
 ECAD 7125 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS6C8008B-45bin 480 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 45NS
AS9F14G08SA-45BIN Alliance Memory, Inc. AS9F14G08SA-45bin 4.8400
सराय
 ECAD 210 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS9F14G08SA-45bin 210 सराय 4 जीबिट 30 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 45NS, 700 और
AS4C64M32MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD4-062BANBANBAN 20.5900
सराय
 ECAD 2765 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS4C64M32MD4-062BAN 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 LVSTL 18NS
AS4C128M16MD4V-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16MD4V-062BAN 11.6200
सराय
 ECAD 133 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS4C128M16MD4V-062BAN Ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
AS6C8008B-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C8008B-55ZIN 6.1251
सराय
 ECAD 9670 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS6C8008B-55ZIN 135 सराय 8mbit 55 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 55NS
AS5F34G04SNDB-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F34G04SNDB-08LIN 9.2600
सराय
 ECAD 352 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-WLGA फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 3V ~ 3.6V 8-LGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS5F34G04SNDB-08LIN 352 १२० सराय सराय 2 जीबिट 7.5 एनएस चमक 512M x 4 सवार 700 ओएफएस
AS9F31G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F31G08SA-25bin 3.1500
सराय
 ECAD 210 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS9F31G08SA-25bin 210 सराय 4 जीबिट 20 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25ns, 700 और
AS9F38G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F38G08SA-25bin 4.8400
सराय
 ECAD 210 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS9F38G08SA-25bin 210 सराय 4 जीबिट 20 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25ns, 700 और
AS9F32G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F32G08SA-25bin 3.7900
सराय
 ECAD 210 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 63-FBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS9F32G08SA-25bin 210 सराय 4 जीबिट 20 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25ns, 700 और
AS9F14G08SA-45BAN Alliance Memory, Inc. AS9F14G08SA-45BANBANBAN 7.6000
सराय
 ECAD 210 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-FBGA (9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS9F14G08SA-45BAN 210 सराय 4 जीबिट 30 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 45NS, 700 और
AS7C1026B-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-12JIN -
सराय
 ECAD 8667 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS7C1026B-12JIN 3A991B2B 8542.32.0041 16 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
AS7C1026B-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-12TIN 3.5700
सराय
 ECAD 130 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1450-AS7C1026B-12TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
AS7C38098A-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C38098A-10BINTR 10.3075
सराय
 ECAD 3034 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA AS7C38098 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
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