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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT44K32M36RB-093F:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093F: एक TR -
सराय
ECAD 3003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K32M36 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz सराय 1.125GBIT 7.5 एनएस घूंट 32 सिया x 36 तपस्वी -
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR Micron Technology Inc. MT38W201DAA033JZZI.X68 TR -
सराय
ECAD 1322 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AAT: C TR -
सराय
ECAD 6771 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H32M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
BK58F0088HVX001A Micron Technology Inc. BK58F0088HVX001A -
सराय
ECAD 8027 0.00000000 तमाम - थोक शिर - - - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 270
MT40A1G16KH-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AAT: E TR 17.1750
सराय
ECAD 2371 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x13) तंग 557-MT40A1G16KH-062EAAT: ETR 3,000 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 पॉड 15NS
MT41K256M16HA-125 V:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 V: E TR -
सराय
ECAD 6318 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 13.75 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR -
सराय
ECAD 3511 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QL128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT40A4G4DVN-075H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-075H: E -
सराय
ECAD 8926 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a4g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT40A4G4DVN-075H: E शिर 210 १.३३ तंग सराय 16Gbit 27 एनएस घूंट 4 जी x 4 तपस्वी -
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AAT: B -
सराय
ECAD 2286 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग तमाम Ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E: B -
सराय
ECAD 1604 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
सराय
ECAD 1521 0.00000000 तमाम - शिर शिर M36W0R6050 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
M29W400DT55N6 Micron Technology Inc. M29W400DT55N6 -
सराय
ECAD 9062 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W400 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT: E TR -
सराय
ECAD 6816 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - शिर 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
M50FLW040BK5G Micron Technology Inc. M50FLW040BK5G -
सराय
ECAD 2742 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT: C -
सराय
ECAD 2324 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E 3.7300
सराय
ECAD 906 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT41K128M16JT-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT: K 7.7700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT41K128M16JT-107AAT: K Ear99 8542.32.0036 1,224 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MTFC128GAPALNS-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNS-AAT 105.4600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC128 फmume - नंद - 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 1tbit चमक 128g x 8 एमएमसी -
MT58L256L36FS-10TR Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-10TR 13.7700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 500 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR 83.2350
सराय
ECAD 3193 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 254-बीजीए फmut - नंद, DRAM - LPDDR4X - 254-एमसीपी - 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR 2,000 २.१३३ सरायम सींग 2TBIT (NAND), 48GBIT (LPDDR4X) अफ़म, रत्न 256G x 8 (NAND), 1.5G x 32 (LPDDR4X) UFS2.1 -
MT48LC4M16A2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A: J TR 3.9217
सराय
ECAD 2490 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT29F64G08AECABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10: ए -
सराय
ECAD 6654 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E IT: B -
सराय
ECAD 4753 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT51K128M32HF-60 N:B TR Micron Technology Inc. MT51K128M32HF-60 N: B TR -
सराय
ECAD 9032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 170-TFBGA MT51K128 SGRAM - GDDR5 - 170-((12x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz सराय 4 जीबिट तमाम 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 -
सराय
ECAD 1998 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT29VZZZAD8 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,520
MT29F64G08AJABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP-IT: B -
सराय
ECAD 1892 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT47H32M16BN-37E:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-37E: D TR -
सराय
ECAD 3668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 267 सराय 512MBIT 500 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M29W128GSH70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70N6E -
सराय
ECAD 8387 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 WT: B -
सराय
ECAD 5702 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 १६६ सराय सराय 4 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MTFC16GAPALBH-AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AIT -
सराय
ECAD 6278 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम