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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AECBBH6-6IT: B -
सराय
ECAD 3794 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08ABABAWP-AAT: B -
सराय
ECAD 2017 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBABABEAH4-AITX: E -
सराय
ECAD 2223 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37: बी -
सराय
ECAD 9498 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F1HT08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 सराय 1.5tbit चमक 192G x 8 तपस्वी -
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: B -
सराय
ECAD 5211 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F1HT08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 1.5tbit चमक 192G x 8 तपस्वी -
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F256G08AMCBBH7-6IT: B -
सराय
ECAD 4611 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3R: B -
सराय
ECAD 5195 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 2tbit चमक 256G x 8 तपस्वी -
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AATX: D 5.4563
सराय
ECAD 9466 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT29F4G08ABADAWP-AT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AT: D -
सराय
ECAD 6051 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3R: B -
सराय
ECAD 4359 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 6tbit चमक 768G x 8 तपस्वी -
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G -
सराय
ECAD 3953 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 162-वीएफबीजीए MT29RZ2B1 फmum - नंद, DRAM - LPDDR2 1.8V 162-((10.5x8) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 ५३३ सरायम सींग 2Gbit (NAND), 1GBIT (LPDDR2) अफ़म, रत्न 256M x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDDR2) तपस्वी -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D -
सराय
ECAD 9010 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 फmum - नंद, DRAM - LPDDR2 1.8V - - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 ५३३ सरायम सींग 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) तपस्वी -
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V -
सराय
ECAD 4189 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,520
MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q -
सराय
ECAD 5161 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 168-वीएफबीजीए Mt29tzzz8 फmut - नंद, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,008 933 सरायम सींग 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) अफ़म, रत्न 68G x 8 (NAND), 256M x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT38M5071A3063RZZI.YE8 Micron Technology Inc. MT38M5071A3063RZZI.YE8 -
सराय
ECAD 3020 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 133-वीएफबीजीए MT38M5071 फmut - न ही, psram 1.7V ~ 1.95V 133-((8x8) - 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,564 १३३ सराय सींग 512MBIT (lect), 512Mbit (RAM) अफ़म, रत्न ३२ सिट x १६, ३२ सिट एक्स १६ तपस्वी -
MT40A1G16WBU-083E:B Micron Technology Inc. MT40A1G16WBU-083E: B: B: B -
सराय
ECAD 1492 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((8x14) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,368 1.2 GHz सराय 16Gbit घूंट 1 जी x 16 तपस्वी -
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E: B -
सराय
ECAD 1551 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 १.३३ तंग सराय 4 जीबिट घूंट 1 जी x 4 तपस्वी -
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT: B -
सराय
ECAD 3739 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग तमाम Ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT40A256M16GE-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E IT: B -
सराय
ECAD 8442 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 १.३३ तंग सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT40A2G8NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E: B: B: B -
सराय
ECAD 5313 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,140 1.2 GHz सराय 16Gbit घूंट 2 जी x 8 तपस्वी -
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-FR TR -
सराय
ECAD 1981 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT25QL256ABA8E12-1SAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SAT TR -
सराय
ECAD 3428 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT25QL512ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0AUT TR 10.5450
सराय
ECAD 5919 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT25QU128ABA1EW7-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-MSIT TR -
सराय
ECAD 8959 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AUT TR 10.5450
सराय
ECAD 6418 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR: D TR -
सराय
ECAD 9576 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 167 अय्यर सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37: E TR -
सराय
ECAD 1139 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES: E TR -
सराय
ECAD 3220 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 8542.32.0071 1,000 267 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT: G TR -
सराय
ECAD 5973 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F2G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT: G TR -
सराय
ECAD 8903 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT29F2G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम