SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
MTFC32GAZAQDW-AAT Micron Technology Inc. Mtfc32gazaqdw-aat 19.0800
सराय
ECAD 2752 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MTFC32GAZAQDW-AAT 980
MT40A512M16TB-062E:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E: R 6.2003
सराय
ECAD 8632 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A512M16TB-062E: R 3A991B1A 8542.32.0071 1,020 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MT40A1G8SA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: R 6.2003
सराय
ECAD 4083 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A1G8SA-062E: R 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT40A512M16TB-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E: R TR 6.0000
सराय
ECAD 1499 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A512M16TB-062E: RTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MT40A2G8NEA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: j -
सराय
ECAD 4815 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT40A2G8NEA-062E: J शिर 1,260 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 2 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT40A2G8NEA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: J TR -
सराय
ECAD 1208 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR शिर 2,000 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 2 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E: F TR 13.5900
सराय
ECAD 9072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A1G16TB-062E: FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी 15NS
MT53E2G64D8EG-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT: C -
सराय
ECAD 5062 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E2G64D8EG-046WT: C 1,260
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT: G TR -
सराय
ECAD 6469 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 200-WFBGA 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: GTR शिर 2,000
MT53D1G16D1Z32MWC1 Micron Technology Inc. MT53D1G16D1Z32MWC1 -
सराय
ECAD 3217 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 शिर 1
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT: C TR -
सराय
ECAD 3307 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E2G64D8EG-046WT: CTR 2,000
MT29F16G08ABECBM72A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 26.7100
सराय
ECAD 4582 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F16G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V एक प्रकार का होना - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 1 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 - -
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L 2.8800
सराय
ECAD 3986 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F1G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L 1 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 - -
MTFC4GACAJCN-1M WT TR Micron Technology Inc. Mtfc4gacajcn-1m wt tr -
सराय
ECAD 7470 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी - तमाम नहीं है
N25Q128A13ESFA0F Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFA0F 4.0000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR 25.0350
सराय
ECAD 9834 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR 1
MT40A1G16KD-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E IT: E -
सराय
ECAD 6136 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT40A1G16KD-062EIT: E 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी 15NS
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT: B TR 17.9550
सराय
ECAD 6735 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA MT53E1G32 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E1G32D2FW-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR 13.2750
सराय
ECAD 2178 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT: B TR 26.1150
सराय
ECAD 4853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT53E512M64D2HJ-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 64 तपस्वी 18NS
MT40A2G16TBB-062E:F Micron Technology Inc. MT40A2G16TBB-062E: F 52.5000
सराय
ECAD 9800 0.00000000 तमाम Twindie ™ शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A2G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A2G16TBB-062E: F 1,020 1.6 GHz सराय 32Gbit 13.75 एनएस घूंट 2 जी x 16 तपस्वी -
MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U 13.9200
सराय
ECAD 8743 0.00000000 तमाम - नली शिर MT29AZ5 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U 1,440
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C -
सराय
ECAD 9067 0.00000000 तमाम - नली शिर MT29AZ5 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT29AZ5A5A5A5CMGWD-18AIT.87C शिर 1,440
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F Micron Technology Inc. Mt29f1g16abbfah4-it: f -
सराय
ECAD 8002 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT: F 8542.32.0071 210 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MTFC64GASAONS-AIT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc64gasaons-ait es tr -
सराय
ECAD 7537 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC64 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AITEST शिर 2,000 ५२ सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K -
सराय
ECAD 3010 0.00000000 तमाम - शिर शिर MT29VZZZAD9 - Rohs3 आजthabaira 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K शिर 152
MT29F2T08EMLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-R: C TR -
सराय
ECAD 5391 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F2T08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR शिर 8542.32.0071 2,000 सराय 2tbit चमक 256G x 8 तपस्वी -
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G TR 2.7962
सराय
ECAD 4305 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 20NS
MT29F2G01ABBGD12-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AAT: G 2.7962
सराय
ECAD 6625 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F2G01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: G 8542.32.0071 1,122 83 सराय सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई - तमाम नहीं है
MT62F768M64D4EJ-031 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A TR 118.2000
सराय
ECAD 8751 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT62F768 - तमाम 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम