SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-JD-FR TR -
सराय
ECAD 9538 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur - EDF8132 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 933 सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT -
सराय
ECAD 4702 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-TFBGA MT29C4G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 4 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29F1G01ABAFD12-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-IT: F -
सराय
ECAD 5554 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F1G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -MT29F1G01ABAFD12-IT: FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 सराय 1gbit चमक 1 जी x 1 एसपीआई -
MT29F1G08ABADAWP-E:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-E: D TR -
सराय
ECAD 1963 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B TR -
सराय
ECAD 8613 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT53D4DESB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DESB-DC -
सराय
ECAD 3677 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 1,190
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NZ-053 WT ES: C -
सराय
ECAD 8650 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES: C TR -
सराय
ECAD 4598 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A: D TR -
सराय
ECAD 6175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL16GPBB3EBK-0GCT -
सराय
ECAD 4639 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 270
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AAT: C TR 90.3150
सराय
ECAD 4118 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT: CTR 2,000
MT28F004B5VG-8 B Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 B -
सराय
ECAD 6146 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F004B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 80NS
MT29E256G08CECCBH6-6:C Micron Technology Inc. MT29E256G08CECCBH6-6: c -
सराय
ECAD 5447 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29E256G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
NAND512W3A2SN6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2SN6E -
सराय
ECAD 7416 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand512 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 50 एनएस चमक 64 सिया x 8 तपस्वी 50NS
MT44K16M36RB-125F:A TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125F: एक TR -
सराय
ECAD 1417 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K16M36 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 800 तंग सराय 576MBIT 8 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
M50FW016N5G Micron Technology Inc. M50FW016N5G -
सराय
ECAD 3796 0.00000000 तमाम - शिर शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) M50FW016 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 40- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 120 ३३ सराय सराय 16Mbit 250 एनएस चमक 2 सींग x 8 तपस्वी -
MT53D4DCSB-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCSB-DC TR -
सराय
ECAD 9465 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 2,000
MT48LC8M16A2B4-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75: G -
सराय
ECAD 1992 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MTFC4GLGDQ-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC4GLGDQ-AIT TRA -
सराय
ECAD 7626 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-ITE: F -
सराय
ECAD 2343 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MTFC128GAJAEDN-IT Micron Technology Inc. Mtfc128gajaedn-it 114.0000
सराय
ECAD 5401 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-LFBGA MTFC128 फmume - नंद - 169-LFBGA (14x18) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 1tbit चमक 128g x 8 एमएमसी -
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FR -
सराय
ECAD 8793 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDB4064 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
MTFC32GAKAEDQ-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AIT TRA -
सराय
ECAD 7516 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MTFC32GAKAEDQ-AITTR शिर 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT46V32M16BN-5B IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B IT: F -
सराय
ECAD 8119 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT: B TR 55.3050
सराय
ECAD 8025 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR 2,500 ४.२६६ तंग सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 तपस्वी -
MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR -
सराय
ECAD 7598 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt29tzzz5 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
M28W320ECB70ZB6T TR Micron Technology Inc. M28W320ECB70ZB6T TR 6.4400
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 47-TFBGA M28W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES: A TR 38.9700
सराय
ECAD 5954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F1T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES: ATR 8542.32.0071 2,000 ३३३ सरायम सराय 1tbit चमक 128g x 8 तपस्वी -
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT TR 10.5450
सराय
ECAD 9285 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25TL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
M25P10-AVMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6TP TR -
सराय
ECAD 8910 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P10 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ५० सभा सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम