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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AIT: C TR 51.3600
सराय
ECAD 1003 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
M29W800DB70ZM6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70ZM6F TR -
सराय
ECAD 7920 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V - तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0071 2,500 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AIT: K TR 7.4700
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E AUT: B TR -
सराय
ECAD 8630 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 १.३३ तंग सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT47H128M8CF-25E AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E AIT: H TR -
सराय
ECAD 7465 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR 8.4750
सराय
ECAD 6072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28EW512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 95 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 60NS
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U -
सराय
ECAD 4244 0.00000000 तमाम - थोक शिर Mt29rz4 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F512G08CMECBH7-12:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMECBH7-12: सी -
सराय
ECAD 2311 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2P-7E:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E: L -
सराय
ECAD 4371 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 14NS
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR -
सराय
ECAD 9980 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 221-WFBGA Mt29tzzz8 फmut - नंद, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 933 सरायम सींग 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) अफ़म, रत्न 68G x 8 (NAND), 256M x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-ITZ: C -
सराय
ECAD 4108 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT54W2MH8JF-4 Micron Technology Inc. MT54W2MH8JF-4 25.3300
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम QDR ™ थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए Sram - सिंकthirोनस 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 २५० तंग सराय 18mbit 450 पीएस शिर 2 सींग x 8 एचएसटीएल -
MT29F512G08CUCABH3-10:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10: एक TR -
सराय
ECAD 2615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT47H32M16BN-5E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-5E IT: D TR -
सराय
ECAD 1416 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 600 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-6A IT: J TR -
सराय
ECAD 7374 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 12NS
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1D-FD -
सराय
ECAD 5543 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,100 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT29F8T08GQLCEG8-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GQLCEG8-QB: C TR 156.3000
सराय
ECAD 6352 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: CTR 2,000
PZ28F032M29EWTA Micron Technology Inc. PZ28F032M29EWTA -
सराय
ECAD 7014 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए PZ28F032M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 187 सराय 32Mbit 60 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 60NS
MT40A4G4NRE-075E:B Micron Technology Inc. MT40A4G4NRE-075E: B -
सराय
ECAD 9142 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a4g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,140 १.३३ तंग सराय 16Gbit घूंट 4 जी x 4 तपस्वी -
MT28F128J3BS-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3BS-12 ET TR -
सराय
ECAD 1676 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एफबीजीए MT28F128J3 चमक 2.7V ~ 3.6V 64-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128Mbit 120 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी -
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWDQ-4L AIT Z -
सराय
ECAD 2862 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT48LC16M16A2P-7E IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT: D -
सराय
ECAD 5261 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 14NS
PC28F128P30TF65A Micron Technology Inc. PC28F128P30TF65A -
सराय
ECAD 2214 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 864 ५२ सराय सराय 128Mbit 65 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 65NS
MT53E512M32D2NP-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 WT: E TR -
सराय
ECAD 8526 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT53E512M32D2NP-053WT: ETR शिर 2,000
N25Q008A11ESC40FS01 TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40FS01 TR -
सराय
ECAD 9620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A1111 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TX-053 WT ES: B TR -
सराय
ECAD 4979 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT28F400B5WG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 T -
सराय
ECAD 7978 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT53D512M32D2NP-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT: D -
सराय
ECAD 3782 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT28F800B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 TET -
सराय
ECAD 8344 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 80 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 80NS
N25Q128A13ESEDFF TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEDFF TR -
सराय
ECAD 5010 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,500 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम