SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10M: B TR -
सराय
ECAD 3932 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10M: बी: बी: बी -
सराय
ECAD 8990 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 960 100 सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
M29W256GH70N6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70N6F TR -
सराय
ECAD 6097 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 70NS
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT: A -
सराय
ECAD 5149 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
M58LR256KB70ZQ5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5Z -
सराय
ECAD 8565 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 88-TFBGA M58LR256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 253 ६६ सराय सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAAAM73A3WC1P -
सराय
ECAD 8470 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT25QU512ABB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AAT TR 9.2250
सराय
ECAD 3848 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT48LC64M4A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75 L: D -
सराय
ECAD 2939 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC64M4A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR Micron Technology Inc. MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR -
सराय
ECAD 2707 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000
MT25QU256ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-1SIT TR 6.7800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT58L512L18FF-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-10 16.5800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF: K TR 136.1250
सराय
ECAD 4726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF: KTR 2,000
M29W640GB60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB60ZA6E -
सराय
ECAD 1849 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 187 सराय 64mbit 60 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 60NS
MT47H128M8CF-3 L:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 L: H -
सराय
ECAD 8424 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G 2.7962
सराय
ECAD 3989 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G 8542.32.0071 960 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 20NS
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR -
सराय
ECAD 2476 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT41K256M8DA-125 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AAT: K 7.5500
सराय
ECAD 4354 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E यह -
सराय
ECAD 1045 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C1G12 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 1GBIT (NAND), 512Mbit (LPDRAM) अफ़म, रत्न 64M x 16 (NAND), 32M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT51J256M32HF-70:B Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-70: बी: बी -
सराय
ECAD 8825 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-((12x14) तंग Ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 तंग सराय 8gbit तमाम २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT51K256M32HF-50 N:A Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N: A -
सराय
ECAD 1041 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT51K256 SGRAM - GDDR5 1.3V ~ 1.545V - - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,260 1.25 तंग सराय 8gbit तमाम २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT -
सराय
ECAD 2921 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए MT29C8G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.9V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 २०8 सींग 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
M29W160EB80ZA3SE TR Micron Technology Inc. M29W160EB80ZA3SE TR -
सराय
ECAD 8895 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,122 सराय 16Mbit 80 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 80NS
MT46H128M16LFB7-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-6 IT: B -
सराय
ECAD 1636 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H128M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((10x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 १६६ सराय सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT40A2G4WE-075E:D TR Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E: D TR -
सराय
ECAD 7099 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a2g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 १.३३ तंग सराय 8gbit घूंट 2 जी x 4 तपस्वी -
EMFA164A2PB-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA164A2PB-DV-FD -
सराय
ECAD 1201 0.00000000 तमाम - थोक शिर EMFA164 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190
M50FLW040AK5TG TR Micron Technology Inc. M50flw040ak5tg tr -
सराय
ECAD 2326 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 750 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WTA -
सराय
ECAD 2267 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F256G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.5V ~ 3.6V शराबी - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1 ३३३ सरायम सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29E4T08CTHBBM5-3:B Micron Technology Inc. MT29E4T08CTHBBM5-3: बी: बी -
सराय
ECAD 9210 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E4T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 4tbit चमक 512G x 8 तपस्वी -
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-053 WT ES: E -
सराय
ECAD 9130 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-वीएफबीजीए MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-‘(12.4x12.4) - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc. Mt41dc11tw-v88a tr -
सराय
ECAD 7892 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT41DC - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम