SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT48V8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10 IT: G -
सराय
ECAD 8796 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48V8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 54-((8x8) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M29W800FT70ZA3SE Micron Technology Inc. M29W800FT70ZA3SE -
सराय
ECAD 7453 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2266-M29W800FT70ZA3SE Ear99 8542.32.0071 187 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
N25Q064A13E12D1F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1F TR -
सराय
ECAD 6068 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,500 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M29F400FB5AM62 Micron Technology Inc. M29F400FB5AM62 -
सराय
ECAD 5239 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही तमाम नहीं है 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 240 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAABAHAMD-5 TR TR -
सराय
ECAD 2404 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C2G24 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 2 जीबिट (नंद), 1GBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 128M x 16 (NAND), 64M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT41K256M16TW-093:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093: पी -
सराय
ECAD 2854 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,368 1.066 GHz सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AITX: D TR 7.1900
सराय
ECAD 978 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR 6.4700
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT40A2G8JC-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JC-062E IT: E -
सराय
ECAD 4881 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 557-MT40A2G8JC-062EIT: E 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 2 जी x 8 तपस्वी 15NS
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2TG-7 IT TR -
सराय
ECAD 9249 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १४३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 14NS
MT29F1T08EBLCHD4-QC:C Micron Technology Inc. Mt29f1t08eblchd4-qc: c 20.9850
सराय
ECAD 8719 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QC: C 1
MTFC64GAKAEEY-3M WT Micron Technology Inc. MTFC64GAKAEEY-3M WT -
सराय
ECAD 3913 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-LFBGA MTFC64 फmume - नंद - 153-LFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT53D4DBSB-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DBSB-DC TR -
सराय
ECAD 9447 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 2,000
MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA2G12-0SIT TR -
सराय
ECAD 3599 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xl01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 XCCELA बस -
MT47H64M4BP-37E:B Micron Technology Inc. MT47H64M4BP-37E: B: B: B -
सराय
ECAD 2593 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H64M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x12) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 267 सराय 256Mbit 500 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C TR -
सराय
ECAD 1390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
EDB4432BBBH-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBBH-1D-FD -
सराय
ECAD 1112 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,680 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT58L256L18P1T-5 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-5 5.8700
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L1MY18 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 २०० सराय सराय 4Mbit 2.8 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
MT41K128M16JT-107G:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107G: k -
सराय
ECAD 8688 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,368 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
M29W256GSL70ZS6F Micron Technology Inc. M29W256GSL70ZS6F -
सराय
ECAD 3965 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए M29W256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((11x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 70NS
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AAT: C TR -
सराय
ECAD 1234 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H32M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M58LR256KB70ZQ5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5Z -
सराय
ECAD 8565 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 88-TFBGA M58LR256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 88-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 253 ६६ सराय सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abbfah4-aites: f tr 4.0997
सराय
ECAD 6668 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F4G08ABBFAH4-aites: FTR 0000.00.0000 2,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT48LC8M16A2TG-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A: G TR -
सराय
ECAD 8770 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT62F2G64D8EK-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AIT: C TR 114.9600
सराय
ECAD 3245 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT62F2G64D8EK-023AIT: CTR 2,000
MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR 11.5900
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14: बी: बी -
सराय
ECAD 9640 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 180-TFBGA MT61K512 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.391V 180-‘(12x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,260 7 सारा सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 तपस्वी -
MT46V32M8FG-75E:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75E: G TR -
सराय
ECAD 7470 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT46V32M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((8x14) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 750 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT46H32M32LFMA-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFMA-5 IT: B -
सराय
ECAD 9970 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT46H32M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,008 २०० सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
MT46H8M32LFB5-6 IT:H Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-6 IT: H -
सराय
ECAD 2182 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H8M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम