SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT53E1G64D8NW-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT: E -
सराय
ECAD 6939 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - तमाम 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
M29W064FT70N3E Micron Technology Inc. M29W064FT70N3E -
सराय
ECAD 9080 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AMCBBH2-12: B TR -
सराय
ECAD 2084 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 IT: C 7.0600
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H32M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,560 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
N25Q128A13BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13BF840F TR -
सराय
ECAD 2232 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12IT: D TR 6.7400
सराय
ECAD 3002 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR -
सराय
ECAD 5411 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 221-WFBGA Mt29tzzz8 फmut - नंद, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6TR शिर 0000.00.0000 1,000 933 सरायम सींग 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) अफ़म, रत्न 16 X x 8 (नंद), 256 THER X 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT49H32M9FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33: B TR -
सराय
ECAD 3644 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M9 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
MT45W1MW16BAFB-708 WT Micron Technology Inc. MT45W1MW16BAFB-708 WT -
सराय
ECAD 5923 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W1MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-((6x9) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 16Mbit 70 एनएस तड़प 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FD TR -
सराय
ECAD 5849 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA EDB8132 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम EDB8132B4PM-1DAT-F-DTR Ear99 8542.32.0036 2,000 ५३३ सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
N25W256A11EF840E Micron Technology Inc. N25W256A11EF840E -
सराय
ECAD 8017 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए N25W256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई -
MT48LC4M32B2TG-7:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2TG-7: G -
सराय
ECAD 9650 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 14NS
MT28F800B5WP-8 T TR Micron Technology Inc. Mt28f800b5wp-8 t tr -
सराय
ECAD 4145 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 80 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 80NS
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
सराय
ECAD 9179 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25PX32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((6x5) (एमएलपी 8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-10 IT: G -
सराय
ECAD 9216 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M29F800DB70N6T TR Micron Technology Inc. M29F800DB70N6T TR -
सराय
ECAD 2978 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F800 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC8M16LFB4-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-8: G TR -
सराय
ECAD 9905 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48H16M32L2F5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-10 IT TR -
सराय
ECAD 4806 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 100 सराय सराय 512MBIT 7.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT29F4G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-E: D -
सराय
ECAD 1844 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A XIT: L TR -
सराय
ECAD 9954 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((8x16) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 12NS
MT48LC2M32B2TG-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-7: G TR -
सराय
ECAD 8470 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 14NS
N25Q032A13ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESFA0F TR -
सराय
ECAD 4793 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q032A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 32Mbit चमक 8m x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-3 IT: D TR -
सराय
ECAD 8812 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT46V32M16P-5B XIT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B XIT: J -
सराय
ECAD 5179 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,080 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC-ET: C TR -
सराय
ECAD 9612 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((10.5x13) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT45W4MW16BCGB-708 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-708 WT -
सराय
ECAD 5860 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
N25Q128A13TF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13TF840E -
सराय
ECAD 2648 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES: B TR -
सराय
ECAD 7324 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT45W4MW16PBA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 IT -
सराय
ECAD 7121 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT46V16M16P-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT: M TR -
सराय
ECAD 7526 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम