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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES: E -
सराय
ECAD 8720 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-18: B TR -
सराय
ECAD 3079 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H8M36FM-25 TR -
सराय
ECAD 9416 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H8M36 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 8 सिया x 36 तपस्वी -
EDF4432ACPE-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF4432ACPE-GD-FR TR -
सराय
ECAD 9067 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF4432 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 800 तंग सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 यह यह -
सराय
ECAD 7759 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC8M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1 १४३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 14NS
NAND04GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND04GW3B2DN6E -
सराय
ECAD 8672 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand04g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand04gw3b2dn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 4 जीबिट 25 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25NS
MT28F128J3RG-12 MET Micron Technology Inc. MT28F128J3RG-12 मेट -
सराय
ECAD 1157 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F128J3 चमक 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128Mbit 120 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी -
MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR -
सराय
ECAD 3643 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000
MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR -
सराय
ECAD 5143 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xu01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 XCCELA बस -
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abafah4-ite: f tr -
सराय
ECAD 5413 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT48H16M32L2F5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 TR -
सराय
ECAD 3252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 512MBIT 7.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT53D8DATZ-DC Micron Technology Inc. MT53D8DATZ-DC -
सराय
ECAD 8277 0.00000000 तमाम - शिर शिर - - Mt53d8 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 सराय घूंट - -
PC28F00AP30TF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30TF0 -
सराय
ECAD 4740 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F00A फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 184 ५२ सराय सराय 1gbit 100 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT48LC8M32B2TG-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2TG-6 TR -
सराय
ECAD 4738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 12NS
MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR 6.4700
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT41J64M16TW-093:J Micron Technology Inc. MT41J64M16TW-093: j -
सराय
ECAD 5846 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((8x14) - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8542.32.0032 1,368 1.066 GHz सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT: D -
सराय
ECAD 8095 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6ITR: C -
सराय
ECAD 2824 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-एलबीजीए MT29F1T08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 1tbit चमक 128g x 8 तपस्वी -
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75 IT: D TR -
सराय
ECAD 9844 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A XIT: L -
सराय
ECAD 6731 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0002 1,080 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 12NS
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A -
सराय
ECAD 1553 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F -
सराय
ECAD 6320 0.00000000 तमाम - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 162-वीएफबीजीए MT29RZ2B2 फmum - नंद, DRAM - LPDDR2 1.8V 162-((10.5x8) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 ५३३ सरायम सींग 2 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (lpddr2) अफ़म, रत्न 256M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) तपस्वी -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT: D -
सराय
ECAD 7440 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT48LC8M16A2TG-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A: G TR -
सराय
ECAD 8770 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT48H8M16LFB4-8:J Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8: j -
सराय
ECAD 4269 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
JS28F160C3TD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3TD70A -
सराय
ECAD 7762 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F160C3 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10itz: ए 46.5700
सराय
ECAD 418 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
JS28F160C3BD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3BD70A -
सराय
ECAD 7542 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F160C3 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT49H16M18BM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-25 IT: B -
सराय
ECAD 1423 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H16M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
MT29F16G08ABABAM62B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F16G08ABABAM62B3WC1 -
सराय
ECAD 7670 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम