SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT28F008B3VG-9 B Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 B -
सराय
ECAD 4764 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F008B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 90NS
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: C -
सराय
ECAD 8412 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT47H128M8BT-5E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-5E L: A -
सराय
ECAD 8225 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-((11x19) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 २०० सराय सराय 1gbit 600 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 यह -
सराय
ECAD 8648 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W8MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 १०४ सराय सराय 128Mbit 70 एनएस तड़प 8 सिया x 16 तपस्वी 70NS
M28W320FCB70ZB6F TR Micron Technology Inc. M28W320FCB70ZB6F TR -
सराय
ECAD 3858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 47-TFBGA M28W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT29F2G08AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AABWP-ET TR -
सराय
ECAD 6677 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR Micron Technology Inc. Mt29f2g01abbgdsf-it: g tr -
सराय
ECAD 6284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT29F2G01 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 16- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E: c -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 350 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
M29F400FB55M32 Micron Technology Inc. M29F400FB55M32 -
सराय
ECAD 2963 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 240 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
MT28F800B3WG-9 T Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 T -
सराय
ECAD 2046 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT41K1G4THV-125:M Micron Technology Inc. Mt41k1g4thv-125: m -
सराय
ECAD 8723 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K1G4 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 800 तंग सराय 4 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 1 जी x 4 तपस्वी -
MTFC16GJVEC-WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-WT -
सराय
ECAD 7389 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT40A4G4NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A4G4NRE-083E: B: B: B -
सराय
ECAD 7366 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a4g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,140 1.2 GHz सराय 16Gbit घूंट 4 जी x 4 तपस्वी -
MT28F400B5WG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 B -
सराय
ECAD 5545 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT48LC16M4A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2P-75: G -
सराय
ECAD 5295 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M4A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT53B512M32D2NP-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-053 WT: C -
सराय
ECAD 1443 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
PC28F640P33BF60D Micron Technology Inc. PC28F640P33BF60D -
सराय
ECAD 8040 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F640 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 ५२ सराय सराय 64mbit 60 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 60NS
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125: ए -
सराय
ECAD 2317 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K1G16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,020 800 तंग सराय 16Gbit 13.75 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी -
MT29F1T08EELCEJ4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELCEJ4-QJ: C TR 30.2700
सराय
ECAD 3113 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F1T08EELCEJ4-QJ: CTR 2,000
M29W320DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320DT70ZE6E -
सराय
ECAD 8853 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -M29W320DT70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT46V32M16P-5B IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT: F TR -
सराय
ECAD 7738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT -
सराय
ECAD 3767 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25QL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT29F1G08ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4: E -
सराय
ECAD 8265 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
NAND256W3A2BZAXE Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZAXE -
सराय
ECAD 2144 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 55-TFBGA Nand256 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 55-‘(8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,518 सराय 256Mbit 50 एनएस चमक 32 सिया x 8 तपस्वी 50NS
M29DW323DT70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DT70ZE6F TR -
सराय
ECAD 6244 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29DW323 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR -
सराय
ECAD 7717 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Mt28ew01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 1gbit 105 एनएस चमक 128 पर X 8, 64 THER X 16 तपस्वी 60NS
M28W160CB70N6E Micron Technology Inc. M28W160CB70N6E -
सराय
ECAD 4887 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M28W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
M29W800DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DT70ZE6E -
सराय
ECAD 9902 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 187 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT: E TR 6.6000
सराय
ECAD 6905 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
M29F200BT70N1 Micron Technology Inc. M29F200BT70N1 -
सराय
ECAD 1802 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F200 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम