SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT28F800B5WG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 TET -
सराय
ECAD 8344 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 80 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 80NS
MT46V32M8FG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75: G TR -
सराय
ECAD 9637 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT46V32M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((8x14) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 750 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B -
सराय
ECAD 1079 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C TR -
सराय
ECAD 1390 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
JS28F160C3BD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3BD70A -
सराय
ECAD 7542 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F160C3 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT47H64M8CB-5E IT:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-5E IT: B -
सराय
ECAD 3056 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-एफबीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 600 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1EW7-0SIT 6.4700
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QU256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT46V32M16FN-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75 IT: C TR -
सराय
ECAD 8245 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT: G TR -
सराय
ECAD 4475 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T L: F TR -
सराय
ECAD 6883 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E IT: B TR -
सराय
ECAD 1407 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-7E: G TR -
सराय
ECAD 4330 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT29F16G08ABACAM72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAM72A3WC1P -
सराय
ECAD 2254 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MT28EW01GABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-0AAT -
सराय
ECAD 7986 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए Mt28ew01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-LBGA (11x13) तंग तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 सराय 1gbit 105 एनएस चमक 128 पर X 8, 64 THER X 16 तपस्वी 60NS
PC28F320C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F320C3BD70A -
सराय
ECAD 4397 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F320 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 144 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
JS28F512M29EWLA Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLA -
सराय
ECAD 3064 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 110NS
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-18: B TR -
सराय
ECAD 3079 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MT46V64M4P-6T:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4P-6T: GTR -
सराय
ECAD 1505 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29F4G16ABADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4: डी -
सराय
ECAD 5272 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT45W1MW16PABA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W1MW16PABA-70 WT -
सराय
ECAD 5424 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W1MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 16Mbit 70 एनएस तड़प 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
M29W128FL70N6E Micron Technology Inc. M29W128FL70N6E -
सराय
ECAD 1640 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 497-5530 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT53D8DATZ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DATZ-DC TR -
सराय
ECAD 4914 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - Mt53d8 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1,000 सराय घूंट - -
MT46V128M4FN-75Z:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75Z: D TR -
सराय
ECAD 3196 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-((10x12.5) - रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
EDF8164A3MD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FR TR -
सराय
ECAD 3037 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES: B TR -
सराय
ECAD 7722 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F384G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 सराय 384GBIT चमक 48 जी x 8 तपस्वी -
MT46V256M4TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-75: ए -
सराय
ECAD 7113 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 १३३ सराय सराय 1gbit 750 पीएस घूंट २५६ वायर x ४ तपस्वी 15NS
TE28F160C3TD70A Micron Technology Inc. TE28F160C3TD70A -
सराय
ECAD 2526 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) 28F160C3 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 576 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-BES: G -
सराय
ECAD 9902 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT28F008B3VG-9 B Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 B -
सराय
ECAD 4764 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F008B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 90NS
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: C -
सराय
ECAD 8412 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम