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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
M29F200BT70N1 Micron Technology Inc. M29F200BT70N1 -
सराय
ECAD 1802 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F200 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
M25P80-VMW6TGBA TR Micron Technology Inc. M25P80-VMW6TGBA TR -
सराय
ECAD 2843 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) M25P80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-w तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 75 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT48LC4M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2TG-6: G TR -
सराय
ECAD 5478 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 12NS
MT47H128M8BT-5E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-5E L: A -
सराय
ECAD 8225 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-((11x19) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 २०० सराय सराय 1gbit 600 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
N25Q128A13TF840E Micron Technology Inc. N25Q128A13TF840E -
सराय
ECAD 2648 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M29F800FB5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB5AM6F2 TR -
सराय
ECAD 9997 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F800 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 8mbit 55 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 55NS
MT46V64M8P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: D TR -
सराय
ECAD 6278 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स - Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
N25Q512A83GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A83GSF40G -
सराय
ECAD 8530 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q512A83 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1578-5 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 सराय सराय 512MBIT चमक 128 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 यह TR -
सराय
ECAD 1640 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC8M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १४३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 14NS
M28W160FSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W160FSB70ZA6E -
सराय
ECAD 1407 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - M28W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 136 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E: c -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 350 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
MT29F256G08AUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10: ए -
सराय
ECAD 3790 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 AAT: B TR 9.3900
सराय
ECAD 3436 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53E256M16D1FW-046AAT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 18NS
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT ES: C -
सराय
ECAD 7693 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 840 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MTFC16GJVEC-WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-WT -
सराय
ECAD 7389 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2TG-75 IT: C TR -
सराय
ECAD 3217 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC32M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEDBJ4-12: डी -
सराय
ECAD 2596 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1 83 सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT28F400B5WG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 B -
सराय
ECAD 5545 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F400B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AATX: D TR 5.4563
सराय
ECAD 5965 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT28F800B3SG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 TET -
सराय
ECAD 6772 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT: G -
सराय
ECAD 3376 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT ES: D TR -
सराय
ECAD 3073 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 - -
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NW-062 WT ES: C -
सराय
ECAD 5818 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT46H16M16LFBF-6:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6: H TR -
सराय
ECAD 8476 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-वीएफबीजीए MT46H16M16 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AIT: B TR -
सराय
ECAD 7233 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H64M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT41K512M8RH-125 XIT:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 XIT: E -
सराय
ECAD 1810 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,260 800 तंग सराय 4 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT46V32M16P-5B IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT: F TR -
सराय
ECAD 7738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT46V64M8P-75Z:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-75Z: D TR -
सराय
ECAD 1335 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MTFC32GANALEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC32GANALEA-WT TR -
सराय
ECAD 7114 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mtfc32g - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,000
M28W160CB70N6E Micron Technology Inc. M28W160CB70N6E -
सराय
ECAD 4887 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M28W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम