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एकीकृत ruirch (ics) (10403)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तकनीकी | वोलmume - | सराफकस | तंग | अफ़सीर | ईसीसीएन | तंग | घड़ी आवृत | तमाम | सराय | पहूंच समय | तमाम | स स संगठन संगठन | Rayrी rayrफ़ेस | चक चक लिखें लिखें शब - |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B | 31.9350 |  | 9571 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | कड़ा | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATES: B | 1 | ४.२६६ तंग | सराय | 32Gbit | घूंट | 1 जी x 32 | तपस्वी | - | |||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B TR | 36.0000 | | 4674 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | सतह rurcur | 200-TFBGA | SDRAM - KANAN LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: BTR | 2,000 | २.१३३ सरायम | सराय | 48gbit | 3.5 एनएस | घूंट | 1.5GX 32 | तपस्वी | 18NS | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 IT: A TR | 27.1500 | | 2425 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | सतह rurcur | 200-TFBGA | SDRAM - KANAN LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT: ATR | 2,000 | २.१३३ सरायम | सराय | 32Gbit | घूंट | 1 जी x 32 | तपस्वी | 18NS | |||
| MT62F2G32D4DS-026 AAT: B TR | 63.8550 | | 9218 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | सराय | 64gbit | घूंट | 2 जी x 32 | तपस्वी | - | |||
| MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR | - | | 3143 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | सतह rurcur | 149-WFBGA | फmut - नंद (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | तंग | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR | शिर | 2,000 | सींग | 4 जीबिट | 25 एनएस | अफ़म, रत्न | 512M x 8 | ओनफी | 30ns | ||
| MT40A2G8JE-062E AUT: E | 24.0300 | | 2769 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | कड़ा | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | सतह rurcur | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-((9x11) | तंग | 557-MT40A2G8JE-062EAUT: E | 1 | 1.6 GHz | सराय | 16Gbit | 19 एनएस | घूंट | 2 जी x 8 | पॉड | 15NS | ||
| MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR | 60.4800 | | 5766 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MTFC128GBCAVTC-AATESTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MTFC512GAXATAM-WT TR | 54.1800 | | 9992 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -25 ° C ~ 85 ° C | सतह rurcur | 153-वीएफबीजीए | फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) | - | 153-((11.5x13) | - | 557-MTFC512GAXATAM-WTTR | 2,000 | सराय | 4tbit | चमक | 512G x 8 | यूएफएस | - | ||||
| MT61M512M32KPA-14 NIT: C | 46.3200 | | 6467 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | - | 557-MT61M512M32KPA-14NIT: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B | 36.0000 | | 4958 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | सतह rurcur | 200-TFBGA | SDRAM - KANAN LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: B | 1 | २.१३३ सरायम | सराय | 48gbit | 3.5 एनएस | घूंट | 1.5GX 32 | तपस्वी | 18NS | ||
| MT40A1G16KH-062E AUT: E TR | 24.0300 | | 8754 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | सतह rurcur | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-((9x13) | तंग | 557-MT40A1G16KH-062EAUT: ETR | 3,000 | 1.6 GHz | सराय | 16Gbit | 19 एनएस | घूंट | 1 जी x 16 | पॉड | 15NS | ||
| MT40A1G16KH-062E AAT: E TR | 17.1750 | | 2371 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | सतह rurcur | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-((9x13) | तंग | 557-MT40A1G16KH-062EAAT: ETR | 3,000 | 1.6 GHz | सराय | 16Gbit | 19 एनएस | घूंट | 1 जी x 16 | पॉड | 15NS | ||
| MT62F768M32D2DS-023 FAAT: B TR | 25.6500 | | 3828 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT: BTR | 2,000 | ४.२६६ तंग | सराय | 24gbit | घूंट | 768M x 32 | तपस्वी | - | |||
| MT40A256M16LY-075: एफ | 8.3250 | | 4286 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | सतह rurcur | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-((7.5x13.5) | तंग | 557-MT40A256M16LY-075: एफ | 1 | १.३३३ सरायम | सराय | 4 जीबिट | 19 एनएस | घूंट | २५६ वायर x १६ | पॉड | 15NS | ||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT: B TR | 58.0650 | | 1705 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C | सतह rurcur | 441-TFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT: BTR | 2,000 | २.१३३ सरायम | सराय | 64gbit | घूंट | 1 जी x 64 | तपस्वी | - | |||
| Mt29f2t08emleej4-qj: e tr | 52.9800 | | 3739 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT61M512M32KPA-14 N: C | 42.1050 | | 8256 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | - | 557-MT61M512M32KPA-14N: c | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-026 AAT: B TR | 47.8950 | | 6055 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QA: E TR | 105.9600 | | 8564 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QA: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 IT: B TR | 25.6350 | | 9353 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031IT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | सराय | 32Gbit | घूंट | 1 जी x 32 | तपस्वी | - | |||
| MT62F1G128DAWA-031 XT: B TR | 136.0800 | | 3832 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT: BTR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-023 IT: B | 74.6400 | | 2741 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - SDANA LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023IT: B | 1 | ४.२६६ तंग | सराय | 96gbit | घूंट | 3 जी x 32 | तपस्वी | - | |||
| MT53E1G16D1FW-046 AIT: A | 14.5050 | | 6586 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | कड़ा | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | सतह rurcur | 200-TFBGA | SDRAM - KANAN LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | तंग | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT: ए | 1 | २.१३३ सरायम | सराय | 16Gbit | 3.5 एनएस | घूंट | 1 जी x 16 | तपस्वी | 18NS | ||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT: C | 20.7300 | | 4641 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 12.3100 | | 3653 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | - | 557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR | 22.8450 | | 1853 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -25 ° C ~ 85 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | सराय | 32Gbit | घूंट | 1 जी x 32 | तपस्वी | - | |||
| Mt29f2t08emleej4-qd: e tr | 52.9800 | | 7835 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||
| MT62F2G64D8CL-023 WT: B TR | 74.4900 | | 6617 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT: BTR | 2,500 | ४.२६६ तंग | सराय | 128gbit | घूंट | 2 जी x 64 | LVSTL | - | |||
| MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | | 7120 | 0.00000000 | तमाम | - | कड़ा | शिर | - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 AIT: B | 15.5550 | | 2754 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | कड़ा | शिर | -40 ° C ~ 95 ° C | सतह rurcur | 200-WFBGA | SDRAM - SDANA LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AIT: B | 1 | 3.2 GHz | सराय | 16Gbit | घूंट | 512M x 32 | तपस्वी | - |
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