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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग अफ़सीर ईसीसीएन तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MTFC256GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC256GAZAOTD-AIT TRA 90.5250
सराय
ECAD 9917 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR 2,000
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AUT: C 64.9800
सराय
ECAD 2649 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 2 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT: B 47.8950
सराय
ECAD 5053 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 48gbit घूंट 768M x 64 तपस्वी -
MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT: B TR 47.0400
सराय
ECAD 5221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT62F2G32D8DR-031WT: BTR 2,000
MT62F1536M64D8CL-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-026 WT: B 55.3050
सराय
ECAD 6706 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-026WT: बी 1 3.2 GHz सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 तपस्वी -
MTFC32GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gasaons-it tr 20.8050
सराय
ECAD 2712 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 153-TFBGA फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-ITTR 2,000 ५२ सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 UFS2.1 -
MT53E4G32D8GS-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT: C 127.0200
सराय
ECAD 4438 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - KANAK LPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 128gbit घूंट 4 जी x 32 तपस्वी -
MT62F2G64D8EK-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT: B 90.4650
सराय
ECAD 6037 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT: बी 1 ४.२६६ तंग सराय 128gbit घूंट 2 जी x 64 तपस्वी -
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT: G 3.2005
सराय
ECAD 6152 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F2G01AGD12-AUT: G 1
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J 9.0000
सराय
ECAD 4816 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 149-WFBGA फmut - नंद (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5A5A5BPGGA-046IT.87J 1 सींग 4 जीबिट 25 एनएस अफ़म, रत्न 512M x 8 ओनफी 30ns
MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 WT: एक TR 47.4300
सराय
ECAD 9577 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: ATR 2,000
MT29F8T08EWLEEM5-QA:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-QA: E -
सराय
ECAD 7472 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA: E शिर 1
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT: C TR 42.4500
सराय
ECAD 6338 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 376-WFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 376-WFBGA (14x14) तंग 557-MT53E1G64D4NZ-046WT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gasaons-ait tr 21.1800
सराय
ECAD 3919 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q104 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 153-TFBGA फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AITTR 2,000 ५२ सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 UFS2.1 -
MT62F2G32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 IT: B 50.2800
सराय
ECAD 5505 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023IT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 तपस्वी -
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F4T08EULGEM4-ITF: G 130.1100
सराय
ECAD 6151 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F4T08EULGEM4-ITF: G 1
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT: A TR 8.7450
सराय
ECAD 3095 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR 2,000
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT: B 43.5300
सराय
ECAD 3414 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 48gbit घूंट 768M x 64 तपस्वी -
MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 TR 24.7950
सराय
ECAD 4843 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219TR 2,000
MTFC128GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAZAOTD-AIT TRA 40.2300
सराय
ECAD 3452 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR 2,000
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B 69.2400
सराय
ECAD 4930 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: B 1 २.१३३ सरायम सराय 96gbit घूंट 1.5 वायर x 64 - -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES: C TR 22.8450
सराय
ECAD 3297 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: CTR 2,000 3.2 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 तपस्वी -
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E 13.2450
सराय
ECAD 6614 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E 1
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AUT: B 71.3850
सराय
ECAD 9767 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: B 1 3.2 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 तपस्वी -
MT29F2T08ELLEEG7-QD:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QD: E 52.9800
सराय
ECAD 3786 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: E 1
MT62F768M32D2DS-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR 17.6400
सराय
ECAD 5455 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR 2,000
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C TR 56.5050
सराय
ECAD 1283 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 64 तपस्वी 18NS
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT: B 44.2350
सराय
ECAD 8780 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: B 1 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 1.5GX 32 तपस्वी 18NS
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES: C 22.8450
सराय
ECAD 9532 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: C 1 3.2 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 तपस्वी -
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AIT: A TR 14.5050
सराय
ECAD 4747 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53E1G16D1FW-046AIT: ATR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी 18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम