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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR -
सराय
ECAD 4252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
JS28F256P33B95A Micron Technology Inc. JS28F256P33B95A -
सराय
ECAD 7808 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F256P33 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 सराय सराय 256Mbit 95 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 95NS
MT29F8G08ABACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4: C -
सराय
ECAD 4226 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B: J -
सराय
ECAD 1582 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,080 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC16M8A2P-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75: G TR -
सराय
ECAD 5811 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-062 WT ES: C TR -
सराय
ECAD 8462 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT29F16G08ADACAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4: C TR -
सराय
ECAD 7644 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MT46H64M32LFCX-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 IT: B -
सराय
ECAD 3402 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H64M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 15NS
M29W160FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W160FT70N3F TR -
सराय
ECAD 5260 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 AT: G TR -
सराय
ECAD 7852 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H16M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 54-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT53B384M64D4NK-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT: B -
सराय
ECAD 5939 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT41K128M16JT-125 M:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M: K TR -
सराय
ECAD 3615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT: B TR -
सराय
ECAD 8201 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AIT ES: D TR -
सराय
ECAD 2539 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT: H 5.7800
सराय
ECAD 582 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,368 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT28F800B3WG-9 TET TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 TET TR -
सराय
ECAD 5919 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR -
सराय
ECAD 6006 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt29vzzz7 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NH-062 WT: C -
सराय
ECAD 5611 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 272-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 272-WFBGA (15x15) - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
M29W640GH70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70ZF6F TR -
सराय
ECAD 3350 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
JS28F00AM29EWHE Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHE -
सराय
ECAD 3161 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F00AM29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 1gbit 110 एनएस चमक 128 पर X 8, 64 THER X 16 तपस्वी 110NS
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12IT: B TR -
सराय
ECAD 3849 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 AIT: A TR -
सराय
ECAD 9720 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 800 तंग सराय 8gbit 13.5 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
M29W800DT70N6E Micron Technology Inc. M29W800DT70N6E -
सराय
ECAD 2663 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT25QU01GBBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AUT 24.6000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT47H128M8SH-187E:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-187E: M TR -
सराय
ECAD 7565 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,000 ५३३ सरायम सराय 1gbit 350 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y -
सराय
ECAD 2589 0.00000000 तमाम - थोक शिर Mt29vzzz7 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,520
MT53E2G64D8TN-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 WT: C TR 90.4650
सराय
ECAD 4586 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-LFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) तंग 557-MT53E2G64D8TN-046WT: CTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 128gbit 3.5 एनएस घूंट 2 जी x 64 तपस्वी 18NS
PC28F128P30T85A Micron Technology Inc. PC28F128P30T85A -
सराय
ECAD 3569 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 864 ५२ सराय सराय 128Mbit 85 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT: B -
सराय
ECAD 9923 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT28F800B3WG-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 B TR -
सराय
ECAD 2674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम