SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R: D TR -
सराय
ECAD 5317 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १६६ सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
M29W640GT70NA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70NA6F TR -
सराय
ECAD 4233 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT29F1G08ABAEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4: E TR 3.0700
सराय
ECAD 705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
EDFB164A1PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1PB-JD-FD -
सराय
ECAD 6746 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) - - EDFB164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,190 933 सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 तपस्वी -
M29W160ET70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6F TR -
सराय
ECAD 5676 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
MT41J128M16HA-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E: D TR -
सराय
ECAD 8224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 FAAT: ए -
सराय
ECAD 6867 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA MT42L16M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0032 1,000 ४०० सराय सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT40A1G8SA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: J TR -
सराय
ECAD 2861 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT40A1G8SA-062E: JTR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
MTFC8GLXEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc8glxea-wt -
सराय
ECAD 7452 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT48LC16M4A2TG-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2TG-7E: G: G: G: -
सराय
ECAD 6079 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M4A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 4 तपस्वी 14NS
MT49H64M9FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E: B: B: B: -
सराय
ECAD 1385 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H64M9 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 64 सिया x 9 तपस्वी -
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR -
सराय
ECAD 4252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०8 सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
EMB4432BBBBJ-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB4432BBBBJ-DV-FD -
सराय
ECAD 7586 0.00000000 तमाम - थोक शिर EMB4432 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 2,100
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-12: ए -
सराय
ECAD 4229 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 180-TFBGA MT61K256 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.39V 180-‘(12x14) तंग Ear99 8542.32.0071 1,260 1.5 GHz सराय 8gbit तमाम २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AAT: B -
सराय
ECAD 9672 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
N25Q128A23BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A23BF840F TR -
सराय
ECAD 5095 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A23 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
EDB4064B3PP-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PP-1D-FD -
सराय
ECAD 3038 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 240-WFBGA EDB4064 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 240-एफबीजीए (14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,260 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR -
सराय
ECAD 1749 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25TL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT58L128L32F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-8.5 3.0700
सराय
ECAD 3090 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L128L32 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 सराय सराय 4Mbit 8.5 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-ITZ: C TR -
सराय
ECAD 8125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8PM-053 WT: D TR -
सराय
ECAD 4876 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
PC28F256G18AF TR Micron Technology Inc. PC28F256G18AF TR -
सराय
ECAD 8944 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 96 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 96NS
M29W400DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DT70N6F TR -
सराय
ECAD 8853 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W400 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 70NS
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR -
सराय
ECAD 2429 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT: L TR -
सराय
ECAD 8885 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
MT29F64G08AEEDBJ4-12:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AEEDBJ4-12: डी -
सराय
ECAD 6386 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,120 83 सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E TR -
सराय
ECAD 2760 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
M25P64-VMF6P Micron Technology Inc. M25p64-vmf6p -
सराय
ECAD 7689 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) M25P64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 50 ५० सभा सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
JS28F512M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLB TR -
सराय
ECAD 7766 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 110NS
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AAT -
सराय
ECAD 1074 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम