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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
M29F200BT70N6E Micron Technology Inc. M29F200BT70N6E -
सराय
ECAD 6556 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29F200 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 96 सराय 2mbit 70 एनएस चमक 256K x 8, 128K x 16 तपस्वी 70NS
M25P10-AVMN6PYA Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6PYA -
सराय
ECAD 8527 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P10 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0071 2,000 ५० सभा सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT41K256M8DA-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 IT: K TR -
सराय
ECAD 7395 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी -
MT28F004B5VG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 BET TR -
सराय
ECAD 5383 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F004B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 80NS
MT41J512M8THU-187E:A Micron Technology Inc. MT41J512M8THU-187E: ए -
सराय
ECAD 3473 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 82-एफबीजीए MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 13.125 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR -
सराय
ECAD 1749 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25TL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A IT: J TR 5.7449
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT: M -
सराय
ECAD 5780 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,080 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
M29W800DB70N6T TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6T TR -
सराय
ECAD 5605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-125: डी -
सराय
ECAD 4823 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 512M x 4 तपस्वी -
N25Q064A13ESEH0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEH0F TR -
सराय
ECAD 7976 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-w तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
M50FLW040BNB5G Micron Technology Inc. M50FLW040BNB5G -
सराय
ECAD 7640 0.00000000 तमाम - शिर शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.488 ", 12.40 मिमी antak) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 208 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MTFC16GLTAM-WT Micron Technology Inc. MTFC16GLTAM-WT -
सराय
ECAD 1881 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB4416BBBH-1DIT-FR -
सराय
ECAD 2799 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA EDB4416 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AAT: B -
सराय
ECAD 2286 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-एफबीजीए (8x12) तंग तमाम Ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
M29W640GL70ZF3E Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF3E -
सराय
ECAD 2089 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 136 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT: E -
सराय
ECAD 6483 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E384M32D2DS-046AIT: E Ear99 8542.32.0036 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
PC28F256P30B85F Micron Technology Inc. PC28F256P30B85F -
सराय
ECAD 8229 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 144 ५२ सराय सराय 256Mbit 85 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-18 WT: एक TR -
सराय
ECAD 9284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA MT42L128M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT41J128M16HA-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E: D TR -
सराय
ECAD 8224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT: B 36.0000
सराय
ECAD 1810 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: B 1
MT29F2G16ABDHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABDHC: D TR -
सराय
ECAD 9580 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F2G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((10.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक 128 सिया x 16 तपस्वी -
JS28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3D95B TR -
सराय
ECAD 2356 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F256J3 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 256Mbit 95 एनएस चमक 32 पर x 8, 16 पर x 16 तपस्वी 95NS
MT45W2MW16BGB-701 IT TR Micron Technology Inc. MT45W2MW16BGB-701 IT TR -
सराय
ECAD 1680 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W2MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 32Mbit 70 एनएस तड़प 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT40A16G4WPF-062H:B TR Micron Technology Inc. MT40A16G4WPF-062H: B TR 194.0100
सराय
ECAD 5362 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A16G4 SDRAM - DDR4 - - 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT40A16G4WPF-062H: BTR 8542.32.0071 3,000 1.6 GHz सराय 64gbit घूंट 16 जी x 4 - -
NAND02GR3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E -
सराय
ECAD 3618 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand02g फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 48-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand02gr3b2dn6e 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 2 जीबिट 45 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 45NS
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:। TR -
सराय
ECAD 6778 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur - MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC2M32B2P-55:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-55: G TR -
सराय
ECAD 1804 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 183 सराय सराय 64mbit 5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX: D -
सराय
ECAD 1612 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 1 जी x 1 एसपीआई -
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 WT ES: B TR -
सराय
ECAD 8638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम