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सरायम - ए गेट अफ़रपदुर (1539)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI8231BB-AS | 4.1737 |  | 6037 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8231BB-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| SI823H9BC-ASR | 3.2239 | | 4504 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H9BC-ASRTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
| SI82521BD-AS3R | 4.4996 | | 5156 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI8252X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI82521BD-AS3RTR | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 4 ए, 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5.6NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
 | SI823H2CD-IS3 | 7.1900 | | 67 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||
| SI8282BD-ASR | 5.7540 | | 7091 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8282BD-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 10v ~ 30V | |||||||
 | SI823H1BB-AS1 | 6.7292 | | 4097 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H1BB-AS1 | 48 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
 | SI8274GB4D-AM1R | 3.5714 | | 3006 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8274GB4D-AM1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V | |||||||
 | SI8235AB-D-IS1 | 5.5300 | | 892 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| SI8234AB-D-IS1 | 5.5300 | | 1 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8234 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
 | SI8236AA-D-IMR | - | | 5648 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीएफएलजीए | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 1000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
 | SI8752AB-IS | 3.0200 | | 79 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8752 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3798 | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | - | - | - | - | 2500VRMS | 20kv/µs | - | - | - | |||||
 | SI823H9CD-IS4R | 3.2400 | | 5142 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-sso | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||
| SI8283DC-AS | 9.0066 | | 2771 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8283DC-AS | 32 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||||
| SI8234BB-C-IS1 | - | | 8465 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||||
| SI8235BB-C-IS1 | - | | 2669 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||||
| SI823H3BB-IS1 | 5.6498 | | 8762 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-5911 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 116NS, 116NS | 5NS | 7v ~ 8.2V | ||||
 | SI8238BD-D-IS | 6.2100 | | 354 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8238 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | -Si8238bd-d-is | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | |||||
 | SI823H2AD-AS3 | 7.3711 | | 7815 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H2AD-AS3 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI8275AB-IS1 | 4.6985 | | 7545 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 150kv/µs | 60NS, 60NS | 8NS | 4.6V ~ 30V | |||||
 | SI8235BB-D-IM1R | 3.0450 | | 6853 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS | - | 2500VRMS | 45kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| SI823H1AB-AS1R | 4.2673 | | 2156 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H1AB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI8235BB-D-IS1R | 2.9550 | | 1351 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | ||||||
| SI82395CD-IS3 | 6.8000 | | 62 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82395 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82395CD-IS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | |||||
| SI82390CD-IS | 6.8000 | | 138 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82390 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3378-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 12.8v ~ 24v | |||||
| SI82391AB-AS1 | 5.8671 | | 5927 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82391AB-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | - | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| SI8220BB-A-ISR | - | | 2262 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | सीएसए, rur, वीडीई | 1 | 8-हुक | तंग | 1 (असीमित) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.5 ए, 2.5 ए | 2.5a | 20NS, 20NS (अधिकतम) | 2.5V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 2500VRMS | 30kv/thass | 60NS, 40NS | - | 9.4v ~ 24v | ||||||
| SI8234BB-D-IS1 | 5.3800 | | 17 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8234 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v | ||||||
| SI823H1AD-IS3R | 4.2750 | | 9171 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||
| SI823H6AB-AS1R | 4.2673 | | 4285 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H6AB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI82397BD-ASR | 4.5450 | | 6265 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI82397BD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V |
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