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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI8230BD-ASR | 3.2323 |  | 5701 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8230BD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 250mA, 500mA | 4 ए | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI823H2AD-IS3R | 4.2750 | | 3157 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
| SI8235AB-ASR | 3.5700 | | 8581 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8235AB-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| IX3120GSTR | - | | 2670 | 0.00000000 | Ixys एकीकृत rurcuth डिवीजन | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | IX3120 | ऑपmuth युग | एक प्रकार का होना | 1 | 8-एसएमडी | - | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.24V | २० सना हुआ | 3750VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 30V | ||||
 | 1edi20n12afxuma1 | 2.5300 | | 4545 | 0.00000000 | इंफीनन टेक | Eicedriver ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | 1edi20 | चुंबकीय युग | 1 | पीजी-पीजी -8-51 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 10NS, 9NS | - | - | - | 10v ~ 35V | |||||||||
| TLP700F (टीपी, एफ) | - | | 9352 | 0.00000000 | तमाम | - | थोक | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | TLP700 | ऑपmuth युग | - | 1 | 6-गूल गूल विंग | तंग | 264-TLP700F (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2 ए | - | - | 5000VRMS | 15kv/µs | 500NS, 500NS | - | 15V ~ 30V | |||||||
 | PS9531L3-V-E3-AX | - | | 3293 | 0.00000000 | सीईएल | - | R टेप ray ryील (ther) | Sic में बंद r क rur kay | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | ऑपmuth युग | CSA, SEMKO, UL, VDE | 1 | 8-एसएमडी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 40ns, 40ns | 1.56V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 50kv/gronss | 175ns, 175ns | 75NS | 15V ~ 30V | |||||
| SI82394AD4-IS3R | 3.6300 | | 4714 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82394 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82394AD4-IS3RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
 | ISO5851DWR | 6.0900 | | 1 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Iso5851 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.5 ए, 3.4 ए | 2.7 ए, 5.5 ए | 20NS, 20NS | - | 5700VRMS | 100kv/µs | 110NS, 110NS | - | 15V ~ 30V | |||||
 | SI8286DD-ISR | 2.1210 | | 2669 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8286 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8286DD-ISRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 14V ~ 30V | ||||||||
 | PS9307L2-E3-AX | - | | 9759 | 0.00000000 | सीईएल | नेपोक | R टेप ray ryील (ther) | Sic में बंद r क rur kay | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | ऑपmuth युग | सीएसए, सेमको, उल | 1 | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | PS9307L2-E3-AXTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 400ma, 400ma | 600ma | 30ns, 30ns | 1.56V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 50kv/gronss | 175ns, 175ns | 90NS | 10v ~ 30V | ||||
 | PS9307AL-V-AX | 7.1800 | | 2 | 0.00000000 | रेनसस अयस्करस | - | कट कट टेप (सीटी) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | PS9307AL | ऑपmuth युग | सीएसए, उल, वीडीई | 1 | 6-एसडीआईपी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 400ma, 400ma | 600ma | 6NS, 7NS | 1.56V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 50kv/gronss | 150NS, 150NS | 50NS | 10v ~ 30V | ||||
 | SI8238BC-D-IS1R | 2.9550 | | 8203 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8238 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 336-SI8238BC-D-IS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8285CD-ASR | 3.3088 | | 2059 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285CD-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 13.2V ~ 30V | ||||||||
| SI823H4BD-IS3R | 4.2750 | | 6778 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
 | SI823H4CD-AS3 | 6.1909 | | 2607 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H4CD-AS3 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 58NS, 30NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||
 | SI8275DBD-AS1 | 5.5904 | | 6384 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8275DBD-AS1 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
| SI8230AB-AS1 | 4.3883 | | 3284 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8230AB-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8284EC-ASR | 5.9312 | | 3920 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 24-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8284EC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||
| UCC21521ADWR | 2.1896 | | 7009 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21521 | कैपेसिटिव युग | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4 ए, 6 ए | - | 6NS, 7NS | - | 5700VRMS | 100v/ns | 30ns, 30ns | 6NS | 6.5V ~ 25V | ||||||
 | HCPL-0314#500 | 1.6986 | | 5082 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | HCPL-0314 | ऑपmuth युग | सीएसए, rayr | 1 | 8- | तंग | रोहस | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 400ma, 400ma | 600ma | 50ns, 50ns | 1.5V | २५ सना हुआ | 3750VRMS | 25kv/µs | 700NS, 700NS | - | 10v ~ 30V | ||||
| SI8285ED-AS | 5.3176 | | 4625 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8285 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8285ED-AS | 46 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||
 | SI8273AB-AM1R | 3.5714 | | 6757 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | SI8273 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-((5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8273AB-AM1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
| SI823H9CC-ASR | 3.2239 | | 6833 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H9CC-ASRTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
 | SI8261ABD-C-IM | - | | 2007 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-वेग | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-LGA (10x12.5) | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 400ma, 600ma | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 9.4V ~ 30V | |||||||
 | 1ED020I12FAXUMA2 | - | | 8854 | 0.00000000 | इंफीनन टेक | Eicedriver ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | 1ED020 | चुंबकीय युग | 1 | पीजी -पीजी -20 | तंग | 4 (72 घंटे) | तमाम | SP000922446 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | - | 30ns, 50ns | - | 4500VRMS | - | - | 13V ~ 20V | |||||||
| SI8275GBD-AS1R | 3.3045 | | 8137 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8275GBD-AS1RTR | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||||
| SI82520BB-IM1 | 5.5697 | | 1155 | 0.00000000 | तमामयस | SI8252X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-((5x5) | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI82520BB-IM1 | 60 | 4 ए, 4 ए | 4 ए, 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5.6NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||
| SI8281BC-AS | 8.2405 | | 3471 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI8281BC-AS | 38 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 10v ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||
| SI8238BB-C-IS1 | - | | 4530 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 9.4v ~ 24v |
2000+
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