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सरायम - ए गेट ड rasirauraurauraur
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI823H8BB-AS1R | 4.2673 |  | 3725 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H8BB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 58NS, 30NS | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||||
 | SI8261BCD-C-IS | 4.2800 | | 4 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 6-गूल गूल विंग | तंग | 3 (168 घंटे) | 336-2418-5 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 500ma, 1.2a | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 5000VRMS | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 28 एनएस | 13.5V ~ 30V | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | |||
 | SI823H6BD-IS3R | 4.2750 | | 6734 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
| PS9552L2-E3-AX | - | | 2792 | 0.00000000 | रेनसस अयस्करस | नेपोक | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 8-एसएमडी, गूल विंग | ऑपmuth युग | बीएसआई, सीएसए, डेमको, फिमको, सेमको, उल, उल, उल | 1 | 8-गल गल विंग | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 559-1683-2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2 ए, 2 ए | 2.5a | 100ns, 100ns | 1.65V | २५ सना हुआ | 5000VRMS | 25kv/µs | 500NS, 500NS | 300NS | 15V ~ 30V | ||||
 | ACPL-P345-500E | 4.2400 | | 13 | 0.00000000 | बtrॉडकॉम लिमिटेड | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 105 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | ACPL-P345 | ऑपmuth युग | सीएसए, rayr | 1 | 6-तो ranak | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 800ma, 800ma | 1 क | 8NS, 8NS | 1.55V | २५ सना हुआ | 3750VRMS | 50kv/gronss | 120NS, 120NS | 50NS | 10v ~ 20v | ||||
 | टीएलपी 700 (एफ) | 1.9700 | | 1 | 0.00000000 | तमाम | - | नली | तंग | -40 ° C ~ 100 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) | TLP700 | ऑपmuth युग | एक प्रकार का होना | 1 | 6-गूल गूल विंग | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.5a, 1.5a | 2 ए | 50ns, 50ns | 1.57V | २० सना हुआ | 5000VRMS | 15kv/µs | 500NS, 500NS | - | 15V ~ 30V | |||||
 | SI82398BB4-IS1 | 4.6985 | | 9339 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI82398 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-3870 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 35kv/µs | 135NS, 95NS | 5.6NS | 10v ~ 24v | ||||||
| ADUM4120BRIZ-RL | 3.6835 | | 3090 | 0.00000000 | तंग | icoupler® | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | Adum4120 | चुंबकीय युग | सीएसए, rur, वीडीई | 1 | 6-शिक-आईसी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | - | 2.3a | 18NS, 18NS | - | 5000VRMS | 150kv/µs | 69NS, 79NS | 16.5NS | 7.5V ~ 35V | |||||
 | SI8286ED-IS | 3.4087 | | 1670 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8286 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8286ED-IS | 46 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 16v ~ 30v | ||||||||
 | SID1182KQ | 9.4700 | | 252 | 0.00000000 | बिजली एकीकरण | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SAUT-इड-TRURYRURRUIR ™ | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-rirchi | SID1182 | चुंबकीय युग | - | 1 | ईएसओपी-rir 16 बी | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 1810-1099 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3.6 ए, 4 ए | 8 ए | 150NS, 150NS | - | 5000VRMS | 50kv/thass | 340NS, 330NS | - | 22v ~ 28v | |||||
| SI8237AB-AS1 | 4.3883 | | 6295 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8237AB-AS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8233BB-AS | 5.4085 | | 1392 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8233BB-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8233BB-AS1R | 3.6900 | | 5371 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8233BB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8261ACA-C-IS | 1.8966 | | 1802 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | - | SI8261 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | - | - | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 500ma, 1.2a | 600ma | 5.5ns, 8.5ns | 2.8V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | - | 35kv/µs | 60ns, 50ns | 10ns | 13.5V ~ 30V | ||||||
 | SI82391BD-IS3 | 6.8000 | | 5488 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI82391 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | रोहस अफ़मार | 336-SI82391BD-IS3 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3250VRMS | 35kv/µs | 40ns, 40ns | 5.6NS | 10v ~ 24v | ||||||
| SI8232AB-AS1R | 2.7600 | | 7826 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8232AB-AS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
 | SI8238AD-C-ISR | - | | 5621 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||
| SI8234BC-D-IS1R | 2.9550 | | 4309 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8234 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 336-SI8234BC-D-IS1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI8286BC-ASR | 2.4886 | | 3072 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI8286 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI8286BC-ASRTR | 1,250 | 2 ए, 4.1 ए | 4 ए | 5.5ns, 8.5ns | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 50ns, 50ns | 5NS | 10v ~ 30V | ||||||||
 | UCC21520QDWRQ1 | 5.1500 | | 1 | 0.00000000 | तमाम | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21520 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4 ए, 6 ए | - | 6NS, 7NS | - | 5700VRMS | 100v/ns | 30ns, 30ns | 6NS | 3V ~ 18v | |||||
 | SI8271AB-ISR | 3.9300 | | 40 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8271 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 150kv/µs | 60NS, 60NS | 8NS | 4.6V ~ 30V | |||||||
| SI8233AB-AM1R | 3.8100 | | 1166 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-वीडीएफएन | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI8233AB-AM1RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | |||||||
| SI823H5BD-IS3R | 4.2750 | | 5431 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | |||||||
 | STGAP2SMTR | 2.5100 | | 9 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | Stgap2 | चुंबकीय युग | - | 1 | 8- | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | 497-18290-6 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4 ए, 4 ए | - | 30ns, 30ns | - | 1700VDC | 100v/ns | 100ns, 100ns | 20NS | 3V ~ 5.5V | ||||
| SI8232BC-D-IS1 | 4.1300 | | 96 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8232 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 336-SI8232BC-D-IS1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||
| SI8275DB-IS1 | 4.6985 | | 1881 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8275 | Rayr युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 150kv/µs | 60NS, 60NS | 8NS | 4.2V ~ 30V | ||||||
| UCC21521DWR | 4.5500 | | 5 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | UCC21521 | कैपेसिटिव युग | 2 | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4 ए, 6 ए | - | 6NS, 7NS | - | 5700VRMS | 100v/ns | 30ns, 30ns | 6NS | 9.2V ~ 25V | ||||||
| TLP250 (D4inv-Lf1, f | - | | 1415 | 0.00000000 | तमाम | * | नली | शिर | TLP250 | - | 1 (असीमित) | 264-TLP250 (D4INV-LF1F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||
| TPSI3052DWZR | 5.6200 | | 980 | 0.00000000 | तमाम | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | उल, vde | 1 | 8-हुक | - | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 1.5 ए, 3 ए | 1.5 ए, 3 ए | - | - | 37 सना | 3000VRMS | 100v/ns | - | - | 3V ~ 5.5V | |||||
| SI8274DB1-AS1R | 6.9100 | | 7595 | 0.00000000 | तमामयस | ऑटोमोटिव, AEC-Q100, SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8274 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | - | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 105NS, 75NS | 47NS | 4.2V ~ 30V |
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