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कनम (1738)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP781F(D4-GR,F,W) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GR, F, W) -
सराय
 ECAD 8748 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4-GRFW) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 719 (एफ) -
सराय
 ECAD 1578 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP719 डीसी 1 शराबी 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 100 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - 800NS, 800NS (अधिकतम) -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (टीपीएल, एफ) -
सराय
 ECAD 9257 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP2066 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 3.6V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - 264-TLP2066 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 10 सना हुआ 20Mbps 5NS, 4NS 1.6V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 60NS, 60NS
TLP291(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, SE 0.6100
सराय
 ECAD 8740 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP748J(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (D4, F) 1.8600
सराय
 ECAD 3983 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP748 बीएसआई, सेमको, r, वीडीई वीडीई 1 एक प्रकार का होना 6 तप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V ५० सदा 4000VRMS 600 वी १५० सना हुआ 1ma नहीं 5V/µs 10ma 15
TLP182(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (ई, ई, ई 0.5200
सराय
 ECAD 1277 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP182 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962 (टीपी 1, एफ) 1.2600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP2962 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 ५० सदा 15MBD 3NS, 12NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 75NS, 75NS
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-BL, ई ई 0.5500
सराय
 ECAD 8372 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP385 (D4-BLE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP283(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP283 (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 9180 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TLP283 डीसी 1 शराबी 4-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA - 100V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA 7.5, एस, 70 और 400MV
TLP2095(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2095 (टीपीएल, एफ) -
सराय
 ECAD 8380 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP2095 - 1 (असीमित) 264-TLP2095 (TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TOJSTLUC, एफ -
सराय
 ECAD 6124 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग डीसी कांपना 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग 264-TLP191B (TOJSTLUCF Ear99 8541.49.8000 1 24 - 8V 1.4V ५० सदा 2500VRMS - - 200s, 3ms -
TLP785F(D4YHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4YHT7, एफ -
सराय
 ECAD 7277 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4YHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP785F(D4GBF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GBF7, एफ -
सराय
 ECAD 2561 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4GBF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (V4-TPR, U, F) -
सराय
 ECAD 1254 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP127 (V4-TPRUF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KMGBTL, ओ (ओ ((() -
सराय
 ECAD 5179 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLX9185 डीसी 1 शराबी 6-सेप - 264-TLX9185 (KMGBTLF (ओ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3, 5 ग्रोन्स 80V 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5, एस। 400MV
TLP185(V4GRTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (v4grtl, se -
सराय
 ECAD 9052 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 तंग 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP185 (V4GRTLSE Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp291 (r जीआ r, t ई) -
सराय
 ECAD 7147 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4 एस, 7 एंड एस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 7 एस, 7 एस.एस. 300MV
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-GR, M, F) -
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734F (D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (TP1, J, F) -
सराय
 ECAD 6281 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 शराबी 8- तंग रोहस अफ़मार तंग TLP759 (TP1JF) Ear99 8541.49.8000 1,500 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - 200NS, 300NS -
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (ई, ई, ई 1.0200
सराय
 ECAD 6657 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2363 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 २५ सना हुआ 10Mbps 23NS, 7NS 1.5V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 80ns, 80ns
TLP734(D4GRLF5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (d4grlf5, एफ, एफ, एफ -
सराय
 ECAD 6034 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734 (D4GRLF5MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (ई) 1.4000
सराय
 ECAD 100 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5702 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए - 15NS, 8NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200NS, 200NS
TLP9114B(NIS-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B (NIS-TL, F) -
सराय
 ECAD 5447 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9114B (NIS-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp504a (f) -
सराय
 ECAD 8450 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP504 डीसी 2 शराबी 8- तंग 1 (असीमित) TLP504AF Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 2500VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 551 (एफ) -
सराय
 ECAD 5111 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP551 डीसी 1 तंग 8- - रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 50 8MA - 15V 1.65V २५ सना हुआ 2500VRMS 10% @ 16ma - 300NS, 1µs -
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (ther, एफ) -
सराय
 ECAD 4494 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-‘531 (पर) Ear99 8541.49.8000 50
TLP290(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (एसई) 0.5100
सराय
 ECAD 5250 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP290 अफ़मत्रा 1 शराबी 4- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP731(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GB-LF2, F) -
सराय
 ECAD 4510 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (GB-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP266J(T7-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (T7-TPR, E -
सराय
 ECAD 3205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP266 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 triac 6-सेप - 1 (असीमित) 264-TLP266J (T7-TPRETR Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V ५० सदा 3750VRMS 600 वी 70 600 OFA तमाम 200V/OFS 10ma 30
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4, ई 1.9300
सराय
 ECAD 8018 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1.65V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/gronss 200NS, 200NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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