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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (बीवी-एलएफ 2, एफ) -
सराय
ECAD 9710 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP626 अफ़मत्रा 1 शराबी 4 तंग तंग 264-TLP626 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8s, 8 और 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GR-TP7, एफ -
सराय
ECAD 9870 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GR-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-LF4, F) -
सराय
ECAD 2051 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP250 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 8-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP250HF (D4-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50 2 ए - 50ns, 50ns 1.57V 5ma 3750VRMS 1/0 40kv/Ex 500NS, 500NS
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (NCN-TL, F) -
सराय
ECAD 1211 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9104A (NCN-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (GB-TPL, ई -
सराय
ECAD 4079 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2200 (एलएफ 1, एफ) -
सराय
ECAD 4746 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP2200 - 1 (असीमित) 264-TLP2200 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 0.5700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP182 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP182 (GRE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GRH, ई 0.5400
सराय
ECAD 5312 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP385 (D4-GRHE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (D4-TP1, F) -
सराय
ECAD 6345 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 8-एसएमडी तंग 264-TLP2955 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 624-2 (एलएफ 5, एफ) -
सराय
ECAD 2717 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP624 - 1 (असीमित) 264-TLP624-2 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP266J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (ई) 0.8800
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम टीएलपी नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP266 1 triac 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 600 वी 70 ६००) (स्याह) तमाम 200V/OFS 10ma 30
TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 0.6028
सराय
ECAD 2105 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2368 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP2368 (TPRE Ear99 8541.49.8000 3,000 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 121 (बीएल-टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 1068 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP121 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP121 (BL-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, एफ -
सराय
ECAD 1379 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4-GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(GRL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRL-TP6, F) -
सराय
ECAD 8044 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-टीएलपी 781 (rayrएल-टीपी 6 of) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (ई, ई, ई 1.7100
सराय
ECAD 7878 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5702 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37NS, 50NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/gronss 200NS, 200NS
TLP2398(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398 (टीपीएल, ई, ई -
सराय
ECAD 1028 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2398 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 6-तो, 5 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP2398 (tpletr Ear99 8541.49.8000 3,000 २५ सना हुआ 5Mbps 15NS, 12NS 1.5V 20ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (rana-टीआ r, ई 1.6300
सराय
ECAD 7543 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP293 डीसी 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 500 @ 600% @ 500µa 3, 3 300MV
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (FDKGBTLF (ओ) -
सराय
ECAD 7115 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLX9291 (FDKGBTLF (ओ) Ear99 8541.49.8000 1
TLP750(D4SHR-OT4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4SHR-OT4, F -
सराय
ECAD 6109 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP750 - 1 (असीमित) 264-TLP750 (D4SHR-OT4F Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-LF6, एफ -
सराय
ECAD 2699 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (BLL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-MBT1, F) -
सराय
ECAD 1956 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2958 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 8- तंग 264-TLP2958 (D4-MBT1F) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 15NS, 10NS 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (ther, ई 0.4841
सराय
ECAD 1284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2366 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 सना हुआ 20MBD 15NS, 15NS 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 40ns, 40ns
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (कैनो-यू, एफ) -
सराय
ECAD 6413 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 127 (कैनो-यूएफ) Ear99 8541.49.8000 1 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP108(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 108 (एफ) -
सराय
ECAD 7760 0.00000000 तमाम - नली तंग -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP108 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991 8541.49.8000 150 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP2766(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 (D4-TP, F) -
सराय
ECAD 7722 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP2766 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP2766 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 सना हुआ 20MBD 15NS, 15NS 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 55NS, 55NS
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP1, F) -
सराय
ECAD 5978 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP750 - 1 (असीमित) 264-TLP750 (D4-O-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, F) 0.6400
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP630(GB-FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (GB-Fanuc, F) -
सराय
ECAD 7207 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP630 अफ़मत्रा 1 तंग 6 तप तंग 264-TLP630 (GB-FANUCF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 627 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 2664 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम