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अफ़िक (3839)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कड़ा | पैकेट | किलोश | सरायना | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | तकनीकी | अनुमोदन एजेंसी | अँगुला | वोलmume - | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सराफक - आउटपुट उच उच, कम | तंग - तंग | अफ़रप | सराय - पीक पीक | वृदth वृद | वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) | सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) | अफ़म | पृथक शक | इनपुट - ranak 1/vana 2 | तमामकस | अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) | अफ़म | वोलmume - आउटपुट आपू आपू | शिर | कड़ा |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI88443ED-ISR | 5.4000 |  | 8640 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88443 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 1/3 | 40kv/Ex | 12.6ns, 17.5ns (rana) | 4.8NS | |||||||||||
 | SI86S660EB-AU | 6.0047 | | 9223 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | Rohs3 आजthabaira | २ (१ सींग) | 863-SI86S660EB-AU | 96 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | तमाम | 6/0 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||||
| SI82520CD-IS3R | 3.9814 | | 8440 | 0.00000000 | तमामयस | * | R टेप ray ryील (ther) | शिर | SI82520 | - | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SI86S642HE-IS2 | 5.3900 | | 1335 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI86S642 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI86S642HE-IS2 | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 10Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | नहीं | 2/2 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ||||||||||
| SI86S620EE-IS4R | 2.4600 | | 1952 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | SI86S620 | - | २ (१ सींग) | 863-SI86S620EE-IS4RTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | |||||||||||||||||||||||||||
| SI86SQ44EE-AS2 | 6.3772 | | 5846 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | एसपीआई | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | 863-SI86SQ44EE-AS2 | 46 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 6000VRMS | तमाम | 4/0 | 150kv/µs | 42NS, 42NS | 2NS | ऑटोमोटिव | एईसी- Q100 | ||||||||||
 | SI8652EC-B-IS1R | 2.8050 | | 2655 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8652 | कैपेसिटिव युग | 5 | 2.5V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 3750VRMS | नहीं | 3/2 | 35kv/µs | 13NS, 13NS | 4.5NS | |||||||||||
| SI86S663EB-IUR | 4.1700 | | 6047 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-एसएसओपी (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI86S663 | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.25V ~ 5.5V | 16-QSOP | तंग | २ (१ सींग) | 863-SI86S663EB-IURTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 2500VRMS | नहीं | 3/3 | 100kv/µs | 14NS, 14NS | 2NS | ||||||||||
 | SI88320BC-IS | 6.2800 | | 4656 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88320 | कैपेसिटिव युग | 2 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 2/0 | 40kv/Ex | 18NS, 23NS | 7NS | |||||||||||
| SI8441BA-D-IS1 | 4.9131 | | 3079 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8441 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 1000VRMS | नहीं | 3/1 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | |||||||||||
| SI88243ED-IS | 8.1487 | | 6777 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88243 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | 3 (168 घंटे) | 336-3242 | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 1/3 | 40kv/Ex | 12.6ns, 17.5ns (rana) | 4.8NS | ||||||||||
 | SI88641ED-ISR | 5.6250 | | 8535 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 24-SCIC (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88641 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 24-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 3/1 | 40kv/Ex | 12.6ns, 17.5ns (rana) | 4.8NS | |||||||||||
| SI86S621HE-IS4 | 3.3899 | | 9269 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | शिर | SI86S621 | - | २ (१ सींग) | 863-SI86S621HE-IS4 | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| SI8450AA-B-IS1 | 3.5906 | | 1406 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8450 | कैपेसिटिव युग | 5 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 1000VRMS | नहीं | 5/0 | 25kv/thass (sana) | 35NS, 35NS | 25NS | |||||||||||
 | SI823H7BD-IS3 | 7.1900 | | 1 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
| SI8237AD-ASR | 3.2663 | | 6964 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8237AD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI8460BB-A-IS1R | 3.5582 | | 3108 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8460 | कैपेसिटिव युग | 6 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 6/0 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | |||||||||||
 | SI823H1BB-AS1R | 4.2673 | | 5350 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI823H1BB-AS1RTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||||
| SI88440BD-IS | 7.8229 | | 7499 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 20-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | तमाम | SI88440 | कैपेसिटिव युग | 4 | 3V ~ 5.5V | 20-SOIC | तंग | Rohs3 आजthabaira | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 38 | 100Mbps | तमाम | 2.5NS, 2.5NS | 5000VRMS | नहीं | 4/0 | 40kv/Ex | 18NS, 23NS | 7NS | ||||||||||
| SI8440AB-C-IS1 | 3.5060 | | 7948 | 0.00000000 | तमामयस | - | नली | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8440 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 1Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 4/0 | 25kv/thass (sana) | 35NS, 35NS | 25NS | |||||||||||
 | SI823H7BD-AS3R | 4.0769 | | 7185 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | 863-SI823H7BD-AS3RTR | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||||
 | SI8712CC-B-ISR | 0.9750 | | 1292 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8712 | कैपेसिटिव युग | 1 | 3V ~ 30V | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1Mbps | तमाम | 15NS, 5NS | 3750VRMS | नहीं | 1/0 | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 20NS | |||||||||||
| SI823H9TC-ISR | 2.6194 | | 3181 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | ६ | 863-SI823H9TC-ISRTR | 2,500 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 3750VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||||
| SI8232BB-AS | 4.1737 | | 5559 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8232BB-AS | Ear99 | 8542.39.0001 | 46 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI823H8BD-IS3R | 3.8860 | | 3209 | 0.00000000 | तमामयस | SI823HX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 14-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | SI823 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 14-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 4 ए, 4 ए | 6 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 125kv/µs | 30ns, 30ns | 5NS | 5.5V ~ 30V | ||||||||||||
| SI8221DC-D-IS | 3.0178 | | 8715 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | नली | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8221 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | 3 (168 घंटे) | Ear99 | 8542.39.0001 | 96 | 300ma, 500ma | 500ma | 30NS, 30NS (अधिकतम) | 2.5V (अधिकतम) | ३० सना हुआ | 3750VRMS | 30kv/thass | 60NS, 40NS | - | 14.8v ~ 24v | |||||||||||
| SI8440BB-C-IS1R | 3.2400 | | 3966 | 0.00000000 | तमामयस | - | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | तमाम | SI8440 | कैपेसिटिव युग | 4 | 2.7V ~ 5.5V | 16-हुकिक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150Mbps | तमाम | 3.8NS, 2.8NS | 2500VRMS | नहीं | 4/0 | 25kv/thass (sana) | 9.5NS, 9.5NS | 2.5NS | |||||||||||
| SI8232BD-ASR | 3.4650 | | 7163 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | 863-SI8232BD-ASRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,250 | 250mA, 500mA | 500ma | 20NS, 20NS (अधिकतम) | - | 5000VRMS | 20kv/µs | 45NS, 45NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
| SI8235AB-D-IS1R | 5.5300 | | 23 | 0.00000000 | तमामयस | सींग, AEC-Q100 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8235 | कैपेसिटिव युग | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 16-हुकिक | तंग | 2 ए ए (4 किलोशान) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 2 ए, 4 ए | 4 ए | 12NS, 12NS (अधिकतम) | - | 2500VRMS | 20kv/µs | 60NS, 60NS | 5.6NS | 6.5V ~ 24V | ||||||||||||
 | SI8271DBD-ISR | 1.9365 | | 2 | 0.00000000 | तमामयस | SI827X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 125 ° C | सतह rurcur | 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | SI8271 | Rayr युग | CQC, CSA, UL, VDE | 1 | 8-हुक | तंग | २ (१ सींग) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.8 ए, 4 ए | 4 ए | 10.5ns, 13.3ns | - | 2500VRMS | 200kv/OFS | 75NS, 75NS | 8NS | 4.2V ~ 30V |
2000+
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