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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़सि अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (ray, ई 1.6000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP293 डीसी 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2768F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (टीपी, एफ) -
सराय
ECAD 3141 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP2768 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP2768F (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP620-4(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (मीडेन, एफ) -
सराय
ECAD 5354 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग 264-TLP620-4 (MEIDENF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP759F(D4-TP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-TP4, J, F -
सराय
ECAD 7833 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP759 डीसी 1 तंग 8-एसएमडी तंग 264-TLP759F (D4-TP4JF Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP734(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-GB, M, F) -
सराय
ECAD 7783 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734 (D4-GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BL-TP, SE 0.5100
सराय
ECAD 3927 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP290 अफ़मत्रा 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DHNS-TPL, F) -
सराय
ECAD 3482 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP105 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग 264-TLP105 (DHNS-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 (ryrci-एलएफ 5, एफ एफ) -
सराय
ECAD 9927 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग 4N26 डीसी 1 तंग 6-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 4n26 (rircume-एलएफ 5 एफ) Ear99 8541.49.8000 50 100ma 2, 2, एस 30V 1.15V 80 सना हुआ 2500VRMS 20% @ 10MA - - 500MV
TLP2710(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-TP4, ई 1.6000
सराय
ECAD 2299 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2710 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 5MBD 11ns, 13ns 1.9V (अधिकतम अधिकतम) 8MA 5000VRMS 1/0 25kv/µs 250NS, 250NS
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL-TPR, E 0.5600
सराय
ECAD 9723 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP126(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 126 (टीपीएल, एफ) -
सराय
ECAD 3254 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP126 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 126 (टीपीएलएफ टीपीएलएफ) Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP550 -LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -LF2, एफ) -
सराय
ECAD 9120 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP550 - 1 (असीमित) 264-TLP550-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2312(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (ई) 1.7300
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2312 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.2V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग 1 (असीमित) 264-TLP2312 (ई) Ear99 8541.49.8000 125 8 सना हुआ 5Mbps 2.2NS, 1.6NS 1.53V 8MA 3750VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (FA1-T1S, J, F -
सराय
ECAD 2446 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (FA1-T1SJF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (ISIMT4, J, F -
सराय
ECAD 2248 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759F (ISIMT4JF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 4288 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP624 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 624-2 (टीपी 1 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP117(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 117 (एफ) -
सराय
ECAD 2120 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP117 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 5.5V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991 8541.49.8000 150 10 सना हुआ 50MBD 3NS, 3NS 1.6V 25ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 20NS, 20NS
TLP160J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TR, U, C, F -
सराय
ECAD 1769 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP160J - 1 (असीमित) 264-TLP160J (T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp9121a (एफडी-एफ, एफ एफ -
सराय
ECAD 5947 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9121A (FD-GBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP250H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (TP1, F) 1.7800
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP250 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5 ए - 50ns, 50ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 40kv/Ex 500NS, 500NS
TLP733F(D4,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4, M, F) -
सराय
ECAD 4845 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP733 - 1 (असीमित) 264-TLP733F (D4MF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP267J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (ई) 1.0100
सराय
ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP267 Cqc, cur, ur 1 triac 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 600 वी 70 २०० सिपाही नहीं 500V/THSS (SANA) 3MA 100
TLP751(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-LF2, F) -
सराय
ECAD 5451 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP751 डीसी 1 तंग 8- - रोहस अफ़मार तंग TLP751 (D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1,500 8MA - 15V 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 10% @ 16ma - 200ns, 1 और -
TLP385(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GB-TL, E 0.5500
सराय
ECAD 3486 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP627-4(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (पीपी, एफ) -
सराय
ECAD 9897 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP627 - 1 (असीमित) 264-‘627-4 (पीपीएफ) Ear99 8541.49.8000 25
TLP9148J(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (SND-TL, F) -
सराय
ECAD 6189 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9148J (SND-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP350(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 350 (टीपी 1, एफ) -
सराय
ECAD 8024 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP350 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 2 ए, 2 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.6V २० सना हुआ 3750VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP5231(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231 (टीपी, ई, ई 5.5600
सराय
ECAD 2329 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5231 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 2 16- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 2.5a 50ns, 50ns 1.7V २५ सना हुआ 5000VRMS 25kv/µs 300NS, 300NS 150NS 21.5V ~ 30V
TLP250(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (एफ) -
सराय
ECAD 9971 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP250 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 8- - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 500ma, 500ma 1.5 ए - 1.6V २० सना हुआ 2500VRMS 5kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP705F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp705f (f) -
सराय
ECAD 2534 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705F ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 - 450ma - - 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम