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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP626(TA-015,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (TA-015, F) -
सराय
 ECAD 3445 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) अफ़मत्रा 1 शराबी 4 तंग तंग 264-TLP626 (TA-015F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8s, 8 और 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP3042(TP1,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042 (TP1, S, C, F) -
सराय
 ECAD 8806 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.300 ", 7.62 मिमी), 5 लीड TLP3042 बीएसआई, सेमको, उ उ 1 triac 6-कट (कट), 5 लीड तंग रोहस अफ़मार TLP3042 (TP1SCF) Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V ५० सदा 5000VRMS 400 वी 100 सवार ६००) (स्याह) तमाम 200V/OFS 10ma -
TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703 (ई) 1.4600
सराय
 ECAD 1968 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2703 डीसी 1 Darlington 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP2703 (ई) Ear99 8541.49.8000 125 80MA - 18V 1.47V २० सना हुआ 5000VRMS 900% @ 500µa 8000% @ 500µA 330NS, 2.5µs -
TLP121(Y-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (y-tpl, f) -
सराय
 ECAD 2514 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP121 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP121 (Y-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP250(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-LF2, F) -
सराय
 ECAD 3020 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
सराय
 ECAD 9795 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP183 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP183 (GRHE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP785F(D4-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-TP7, एफ -
सराय
 ECAD 4889 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTPE 1.7600
सराय
 ECAD 3413 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP291(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (टीपी, एसई, एसई 0.6000
सराय
 ECAD 1495 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 0.5100
सराय
 ECAD 6444 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP290 अफ़मत्रा 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (टीपी, ई) 1.1800
सराय
 ECAD 4378 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2761 अफ़मत्रा 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 15MBD 3NS, 3NS 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns, 80ns
TLP669LF(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF (एस, एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 2653 0.00000000 तमाम - थोक शिर - होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.400 ", 10.16 मिमी), 5 लीड TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 triac 6 तप तंग 264-TLP669LF (SCF) Ear99 8541.49.8000 1 - 5000VRMS 800 वी 100 सवार - तमाम - 10ma -
TLP716F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (D4-TP, F) -
सराय
 ECAD 2810 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP716 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 5.5V 6-एसडीआईपी तंग 264-TLP716F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 सना हुआ 15MBD 15NS, 15NS 1.65V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 75NS, 75NS
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (ई, ई, ई 1.7900
सराय
 ECAD 2765 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2630(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2630 (एफ) -
सराय
 ECAD 7912 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2630 डीसी 2 क्योरसुरी, किल्वनस, 4.5V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 16 सना हुआ 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 2/0 200V/THS, 500V/TH (SANT) 75NS, 75NS
TLP293(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BL-TPL, ई 0.5100
सराय
 ECAD 7531 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP293 डीसी 1 शराबी 4- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2958(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (पीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 1618 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2958 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 20V 8- तंग 264-टीएलपी 2958 (पीपीएफ) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 15NS, 10NS 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 250NS, 250NS
TLP2631(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2631 (एफ) -
सराय
 ECAD 9538 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2631 डीसी 2 क्योरसुरी, किल्वनस, 4.5V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 16 सना हुआ 10MBD 30ns, 30ns 1.65V 20ma 2500VRMS 2/0 1kv/µs 75NS, 75NS
TLP383(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (बीएल, ई, ई -
सराय
 ECAD 5596 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP383 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग 1 (असीमित) 264-TLP383 (BLE) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP2761F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (D4-TP, F) -
सराय
 ECAD 3354 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2761 अफ़मत्रा 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP2761F (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 15MBD 3NS, 3NS 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns, 80ns
TLP2366(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (V4-TPL, ई 1.5200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP2366 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6-तो, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 सना हुआ 20MBD 15NS, 15NS 1.61V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 40ns, 40ns
4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n37 (ryrcume-टीपी 5, एफ) -
सराय
 ECAD 9038 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-एसएमडी, विंग विंग 4N37 डीसी 1 तंग 6-एसएमडी - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 4N37 (लघु- TP5F) Ear99 8541.49.8000 1,500 100ma - 30V 1.15V 60 सना हुआ 2500VRMS 100% @ 10MA - 3, 3 300MV
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP751(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751 (D4-TP1, F) -
सराय
 ECAD 7570 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP751 डीसी 1 तंग 8- - रोहस अफ़मार तंग TLP751 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1,500 8MA - 15V 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 10% @ 16ma - 200ns, 1 और -
TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A (LF4, ई 1.6400
सराय
 ECAD 6202 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 10 सना हुआ 20MBD 5NS, 4NS 1.8V (अधिकतम अधिकतम) 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 55NS, 55NS
TLP250H(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-TP5, F) -
सराय
 ECAD 6109 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP250 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 8-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP250H (D4-TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 ए - 50ns, 50ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 40kv/Ex 500NS, 500NS
TLP127(DEL-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (DEL-TPR, F) -
सराय
 ECAD 5359 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP127 (DEL-TPRF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP184(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPL, E) -
सराय
 ECAD 1601 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP184 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5 एस, 9 केएसएस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 400% @ 5ma 9s, 9 ARSS 300MV
TLP731(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 731 (एलएफ 2, एफ) -
सराय
 ECAD 5405 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2962(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 2962 (एफ) 1.2700
सराय
 ECAD 9992 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP2962 डीसी 1 तंग 2.7V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP2962F Ear99 8541.49.8000 50 ५० सदा 15MBD 3NS, 12NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 75NS, 75NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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