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ऑप ऑपmunthiraugut (6540)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम रत्न सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - अधिकतम वेवलेंथ तमाम वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक अयस्क सीसीटी (के) तमाम तमाम Lumens/watt @ thercamauth - Rayr आई अफ़रपदाहस अफ़रप फthautun @ 85 lecr सेल फthautun @ २५, डिगthirी सेलmun, अफ़स्या
SPMWHD32AMD7XAW3S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHD32AMD7XAW3S0 0.4700
सराय
 ECAD 27 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM301B R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.118 "एक lectus 0.118 ' 0.033 "(0.85 मिमी) सतह rurcur 1212 (3030 कांप) Spmwhd32 सफेद, rurcur 1212 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 4,000 180ma 2.75V 65ma 120 ° 2700k 162 एलएम 90 - 29lm (26 the ~ ~ 32 एलएम) 7.5 तेरस
SPHWHAHDNC25YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahahahdnc25yzt3d4 3.3200
सराय
 ECAD 500 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 13.50 मिमी एल x 13.50 मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnc25 सफेद, तटसmun तटस तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnc25yzt3d4 Ear99 8541.41.0000 500 सराय 690ma - 1.65 मिमी 33.6V 270ma 115 ° 4000K 3-rirण Macadam ellipse 1607lm (vana) 85 ° C 177 एलएम 80 9.80 अफ़रोट समतल
SPHWHAHDNB27YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzw3d4 2.4100
सराय
 ECAD 500 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 13.50 मिमी एल x 13.50 मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnb27 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnb27yzw3d4 Ear99 8541.41.0000 500 सराय 460MA - 1.65 मिमी 33.6V 180ma 115 ° 2700k 3-rirण Macadam Thercuthunt 822LM (SANA) 85 ° C 136 एलएम 90 9.80 अफ़रोट समतल
SCP8WT93KEL1WUJ36E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8WT93KEL1WUJ36E 0.5000
सराय
 ECAD 39 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 4,000
SPHWHAHDNB25YZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahahahdnb25yzq3d4 2.4100
सराय
 ECAD 500 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 13.50 मिमी एल x 13.50 मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnb25 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnb25yzq3d4 Ear99 8541.41.0000 500 सराय 460MA - 1.65 मिमी 33.6V 180ma 115 ° 5700k 3-च riadam macadam thercutume 1081 ए एलएम 85 ° C 179 एलएम 80 9.80 अफ़रोट समतल
SPHWHAHDNC25YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahahahdnc25yzv3d4 3.3200
सराय
 ECAD 500 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 13.50 मिमी एल x 13.50 मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnc25 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnc25yzv3d4 Ear99 8541.41.0000 500 सराय 690ma - 1.65 मिमी 33.6V 270ma 115 ° 3000K 3-rirण Macadam ellipse 1536LM 85 ° C 169 एलएम 80 9.80 अफ़रोट समतल
SPMWH22286D7WNPUS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D7WNPUS3 0.1000
सराय
 ECAD 34 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM281BA+ R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.126 "एल X 0.110" डब extunt (3.20 मिमी x 2.80 मिमी) 0.030 "(0.75 मिमी) सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं तंग 2-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 4,000 70ma 3.1V 60ma 120 ° ६५०० सींग 140 एलएम 80 - 26 the (25 the ~ ~ 27 एलएम) 25 ° C/w
SPHWHTL3D50EE4TMQF Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhtl3d50ee4tmqf 1.2500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH351C R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.138 "एल एल lectus 0.138" डबthautun (3.50 मिमी x 3.50 मिमी) 0.097 "(2.46 मिमी) सतह rurcur १४१४ (३५३५ सटरी) Sphwhtl3 सफेद, तटसmun तटस 1414 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 800 2 ए 2.85V 700ma 128 ° 4000K 3-rirण Macadam ellipse 170 एलएम 80 340lm (310lm ~ 370LM) - 3 ° C/w
SPHWHAHDNK27YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzw3d4 10.1300
सराय
 ECAD 150 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 28.00 मिमी एल एल x 28.00 मिमी मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnk27 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnk27yzw3d4 Ear99 8541.41.0000 160 सराय 2.76A - 1.70 मिमी 33.6V 1.08a 115 ° 2700k 3-rirण Macadam Thercuthunt 4899LM 85 ° C 135 एलएम 90 २२.०. समतल
SPHWHAHDNK27YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzt3d4 10.1300
सराय
 ECAD 104 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 28.00 मिमी एल एल x 28.00 मिमी मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnk27 सफेद, तटसmun तटस तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnk27yzt3d4 Ear99 8541.41.0000 160 सराय 2.76A - 1.70 मिमी 33.6V 1.08a 115 ° 4000K 3-rirण Macadam ellipse 5588LM 85 ° C 154 एलएम 90 २२.०. समतल
SPHWHAHDNE25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahahahdne25yzp3d4 4.8900
सराय
 ECAD 250 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर १ ९। सराय से - Sphwhahdne25 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdne25yzp3d4 Ear99 8541.41.0000 250 सराय 1.15 ए - 1.70 मिमी 33.6V 450ma 115 ° 6500k 3-च riad macadam thercutuni 2689lm (vana) 85 ° C 178 एलएम 80 14.50 अटोल समतल
SPHWHAHDNK25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzw3d4 10.1300
सराय
 ECAD 160 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 28.00 मिमी एल एल x 28.00 मिमी मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnk25 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnk25yzw3d4 Ear99 8541.41.0000 160 सराय 2.76A - 1.70 मिमी 33.6V 1.08a 115 ° 2700k 3-rirण Macadam Thercuthunt 5918LM 85 ° C 163 एलएम 80 २२.०. समतल
SPMWH22286D5WNWUS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D5WNWUS3 0.1000
सराय
 ECAD 39 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM281BA+ R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.126 "एल X 0.110" डब extunt (3.20 मिमी x 2.80 मिमी) 0.030 "(0.75 मिमी) सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं सफेद, rurcur 2-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 4,000 70ma 3.1V 60ma 120 ° 2700k 129 एलएम 80 - 24lm (23lm ~ 25lm) 25 ° C/w
SPHWHAHDNM271ZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zw3d4 17.8100
सराय
 ECAD 148 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर 28.00 मिमी एल एल x 28.00 मिमी मिमी मिमी मिमी सराय से - Sphwhahdnm271 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdnm271zw3d4 Ear99 8541.41.0000 160 सराय 4.14 ए - 1.70 मिमी 50.5v 1.62 ए 115 ° 2700k 3-rirण Macadam Thercuthunt 10823LM 85 ° C 132 एलएम 90 २२.०. समतल
SPMWHD32AMV5XAV3SU Samsung Semiconductor, Inc. Spmwhd32amv5xav3su 0.4800
सराय
 ECAD 29 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM301B EVO R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.118 "एक lectus 0.118 ' 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 1212 (3030 कांप) Spmwhd32 सफेद, rurcur 1212 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 4,000 200MA 2.75V 65ma 120 ° 3000K 3-rirण Macadam ellipse 218 एलएम 80 - 39lm (37lm ~ 40lm) 7.5 तेरस
SPHWHTL3D50EE4UMPF Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhtl3d50ee4umpf 1.2000
सराय
 ECAD 4129 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH351C R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.138 "एल एल lectus 0.138" डबthautun (3.50 मिमी x 3.50 मिमी) 0.097 "(2.46 मिमी) सतह rurcur १४१४ (३५३५ सटरी) Sphwhtl3 सफेद, rurcur 1414 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwtl3d50ee4umpftr Ear99 8541.41.0000 800 2 ए 2.85V 700ma 128 ° 3500k 3-च riadam macadam thercutume 160 एलएम 80 320LM (290LM ~ 350LM) - 3 ° C/w
SPHWHAHDNG25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzu3d4 7.2800
सराय
 ECAD 250 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। कोब कोब जेन 4 4 थोक शिर १ ९। सराय से - Sphwhahdng25 सफेद, rurcur तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम 1510-sphwhahdng25yzu3d4 Ear99 8541.41.0000 250 सराय 1.84a - 1.70 मिमी 33.6V 720ma 115 ° 3500k 3-च riadam macadam thercutume 4156LM 85 ° C 172 एलएम 80 14.50 अटोल समतल
SCP8VT78HPL1V0S06E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8VT78HPL1V0S06E -
सराय
 ECAD 3745 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH181A R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.046 "एल X 0.046" PARCUTHUN (1.18 मिमी x 1.18 मिमी) 0.020 "(0.52 मिमी) सतह rurcur ०५०५ (१३१३ सटरी) सफेद, rurcur 0505 - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP8VT78HPL1V0S06ET Ear99 8541.41.0000 1 450ma 2.9V 150ma 150 ° 3000K 131 एलएम 80 57 एलएम (51 एलएम ~ 63 एलएम) - 2 ° C/w
SI-B9R311B20US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9R311B20US -
सराय
 ECAD 9780 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। * शिर शिर SI-B9 - Rohs3 आजthabairay 1510-SI-B9R311B20US Ear99 8541.41.0000 80
SCP8TTF1HPLGTKK34E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8TTF1HPLGTKK34E -
सराय
 ECAD 3872 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP8TTF1HPLGTKK34ETR Ear99 8541.41.0000 1
SCP8YT78HPL1YUS06E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8YT78HPL1YUS06E -
सराय
 ECAD 9796 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP8YT78HPL1YUS06ET Ear99 8541.41.0000 1
SCP8VT78HPL1VUD26E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8VT78HPL1VUD26E -
सराय
 ECAD 4573 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP8VT78HPL1VUD26ET Ear99 8541.41.0000 1
SCP8PT78HPL1PUD26E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8PT78HPL1PUD26E -
सराय
 ECAD 7443 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP8PT78HPL1PUD26ET Ear99 8541.41.0000 1
SCP9VT78HPL1VIS06E Samsung Semiconductor, Inc. SCP9VT78HPL1VIS06E -
सराय
 ECAD 4467 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1510-SCP9VT78HPL1VIS06ET Ear99 8541.41.0000 1
SPHWH2L3D30GD4RNN3 Samsung Semiconductor, Inc. SpHWH2L3D30GD4RNN3333 -
सराय
 ECAD 2767 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH351B R टेप rayr ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0.138 "एल एल lectus 0.138" डबthautun (3.50 मिमी x 3.50 मिमी) 0.083 "(2.11 मिमी) सतह rurcur १४१४ (३५३५ सटरी) Sphwh2 तंग 1414 - Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) 1510-SPHW2L3D30GD4RNN3CT Ear99 8541.41.0000 1,000 1.5 ए 2.75V 350ma 120 ° 5000k 5-yrण macadam thircuthume 171 एलएम 90 165lm (150lm ~ 180lm) - 4 ° C/w
SPMWH3326MSKWAT3SD Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3326MSKWAT3SD 0.3900
सराय
 ECAD 40 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM301D R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.118 "एक lectus 0.118 ' 0.030 "(0.75 मिमी) सतह rurcur 1212 (3030 कांप) SPMWH3326 सफेद, तटसmun तटस 3030 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 4,000 200MA 2.72V 65ma 120 ° 4000K 3-rirण Macadam ellipse २०० एलएम 90 - 35LM (33LM ~ 36LM) 12 ° C/w
SPHWH2L5N6H0YBV5A3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2l5n6h0ybv5a333 0.9400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH502HD R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.197 "एल X 0.197" डबmuntugh (5.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur २०२० (५०५०,) Sphwh2 सफेद, rurcur 2020 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 1 क 5.8v 350ma 120 ° 3000k 5-yrण macadam thercuthum - - - - 3 ° C/w
SPMWH3326MSKWAW3SD Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH3326MSKWAW3SD 0.3900
सराय
 ECAD 39 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LM301D R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.118 "एक lectus 0.118 ' 0.030 "(0.75 मिमी) सतह rurcur 1212 (3030 कांप) SPMWH3326 सफेद, rurcur 3030 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 4,000 200MA 2.72V 65ma 120 ° 2700k 3-rirण Macadam Thercuthunt 187 एलएम 90 - 33LM (31LM ~ 34LM) 12 ° C/w
SPHWH2L5N607YEV3A3 Samsung Semiconductor, Inc. SpHWH2L5N607YEV3A3 1.0200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH502D R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.197 "एल X 0.197" डबmuntugh (5.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur २०२० (५०५०,) Sphwh2 सफेद, rurcur 2020 तंग Rohs3 आजthabairay 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 1 क 6.1v 640ma 120 ° 3000K 3-rirण Macadam ellipse 128 एलएम 90 - 500LM (480LM ~ 520LM) 3 ° C/w
SCP7UTF1HEL1UUP34E Samsung Semiconductor, Inc. SCP7UTF1HEL1UUP34E 0.2179
सराय
 ECAD 9088 0.00000000 सेमीकंडक सेमीकंडकmur, इंक। LH181B R टेप rayr ryील (ther) शिर 0.093 "एक एल lect ० ९ ३" lescunt (२.३६ मिमी x २.३६ मिमी) 0.019 "(0.48 मिमी) सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं सफेद, rurcur एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 2 ए ए (4 किलोशान) 1510-SCP7UTF1HEL1UUP34ETR Ear99 8541.41.0000 4,000 1.4 ए 2.9V 350ma 120 ° 3500k 3-च riadam macadam thercutume 172 एलएम 70 175lm (160lm ~ 190lm) - 2 ° C/w
  • Daily average RFQ Volume

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    30,000,000

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