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CRCW201062R0JNEFHP Vishay Dale CRCW201062R0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 9523 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 62 ओम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010160RJNEFHP Vishay Dale CRCW2010160RJNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 8649 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 160 ओम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010180RJNEFHP Vishay Dale CRCW2010180RJNEFHP 0.1374
सराय
ECAD 5041 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 180 ओम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010680RJNEFHP Vishay Dale CRCW2010680RJNEFHP 0.1301
सराय
ECAD 3735 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 680 ओम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20101K30JNEFHP Vishay Dale CRCW20101K30JNEFHP 0.1301
सराय
ECAD 6451 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १.३ सटेन ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20107K50JNEFHP Vishay Dale CRCW20107K50JNEFHP 0.1301
सराय
ECAD 8587 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20108K20JNEFHP Vishay Dale 0.1088
सराय
ECAD 8347 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 8.2 कोहम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201011K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201011K0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 5750 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 11 ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201016K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201016K0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 8790 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 16 ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201024K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201024K0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 7428 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 २ कोहम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201043K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201043K0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 8585 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 ४३ सन्न ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201051K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201051K0JNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 5202 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 ५१ सन्नू ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201082K0JNEFHP Vishay Dale CRCW201082K0JNEFHP 0.1301
सराय
ECAD 2338 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 82 किलो ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010110KJNEFHP Vishay Dale CRCW2010110KJNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 2345 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010130KJNEFHP Vishay Dale CRCW2010130KJNEFHP 0.1149
सराय
ECAD 8940 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 130 किलो ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010360KJNEFHP Vishay Dale CRCW2010360KJNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 6117 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 360 कोहम ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW2010910KJNEFHP Vishay Dale CRCW2010910KJNEFHP 0.1088
सराय
ECAD 2056 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 910 किलो ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25121R30FKEGHP Vishay Dale CRCW25121R30FKEGHP 0.2199
सराय
ECAD 6903 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2512 1.3 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1.5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20105K62FKEFHP Vishay Dale CRCW20105K62FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 8345 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ५.६२ इल्कू ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20106K04FKEFHP Vishay Dale CRCW20106K04FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 2340 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 6.04 कोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20106K19FKEFHP Vishay Dale 0.1302
सराय
ECAD 3558 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 6.19 कोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20109K09FKEFHP Vishay Dale
सराय
ECAD 3300 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 9.09 कोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201012K0FKEFHP Vishay Dale
सराय
ECAD 7835 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १२ सन्निक ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201012K4FKEFHP Vishay Dale CRCW201012K4FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 1044 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 12.4 किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201013K3FKEFHP Vishay Dale CRCW201013K3FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 3326 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 13.3 किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201014K7FKEFHP Vishay Dale CRCW201014K7FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 1176 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 14.7 किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201016K9FKEFHP Vishay Dale CRCW201016K9FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 7278 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 16.9 किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201031K6FKEFHP Vishay Dale CRCW201031K6FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 1327 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग CRCW2010 31.6 कोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201032K4FKEFHP Vishay Dale CRCW201032K4FKEFHP 0.1376
सराय
ECAD 5968 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३२.४ सन्न ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW201034K0FKEFHP Vishay Dale CRCW201034K0FKEFHP 0.1302
सराय
ECAD 2098 0.00000000 तंग Rayrautaum-एचपी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३४ सन्निक ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम