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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S42C043300GP	0.0600	सराय	2686	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043300GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	30	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043332GP	0.0600	सराय	6717	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043332GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	3.3k	तमाम	2	-	-	4	63MW
744C083202JP	-	सराय	3233	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर								744C083			तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-744C083202JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
753243101GPTR7	2.2932	सराय	6327	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.345 "एल X 0.080" डबthutum (8.76 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	100	तमाम	12	-	-	24	80MW
S42C043244JP	0.0508	सराय	2927	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043244JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	240k	तमाम	2	-	-	4	63MW
752181331GP	1.6934	सराय	8796	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	330	तमाम	16	-	-	18	80MW
752091821JPTR7	-	सराय	6539	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	820	तमाम	8	-	-	9	80MW
S42X083134FP	0.0560	सराय	3365	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083134FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	130k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X083152JP	0.0226	सराय	2292	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083152JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.5k	तमाम	4	-	-	8	31MW
770103561p	0.6528	सराय	7089	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-103-R560P	Ear99	8533.21.0050	1,000	560	तमाम	5	-	-	10	100MW
768143560GPTR13	1.1899	सराय	4089	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	56	तमाम	7	-	-	14	200MW
766143151GP	1.2910	सराय	3039	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	150	तमाम	7	-	-	14	160MW
S41C083624FP	0.0653	सराय	2548	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083624FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	620k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
RT1727B6	-	सराय	6583	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.400 "एल X 0.200" lemuthum (10.16 मिमी x 5.08 मिमी मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((10.16x5.08)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1	70, 187	सींग	24	-	-	32	68MW
767143681GP	1.1988	सराय	6535	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	680	तमाम	7	-	-	14	200MW
752105131APTR13	1.4938	सराय	2343	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	220, 330	सींग	16	-	-	10	80MW
770101271p	0.7800	सराय	848	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R270P	Ear99	8533.21.0050	1,000	270	तमाम	9	-	-	10	100MW
S42C163180JP	0.1518	सराय	3195	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163180JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	18	तमाम	8	-	-	16	63MW
RT2404B6	-	सराय	3115	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.450 "of x 0.200" डबthuthuth (11.43 मिमी x 5.08 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	36-एलबीजीए		± 200ppm/° C	36-((11.43x5.08)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	25	सींग	18	-	-	36	५० तंग
S41C083913FP	0.0653	सराय	5071	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083913FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	91K	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C043560FP	0.0693	सराय	3384	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043560FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	56	तमाम	2	-	-	4	63MW
RT2727B7TR7	-	सराय	2847	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((8x4)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000	70, 187	सींग	24	-	-	32	68MW
767143184GPTR13	1.1757	सराय	7306	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	180k	तमाम	7	-	-	14	200MW
S42C043180GP	0.0600	सराय	2324	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043180GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	18	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083753GP	0.0495	सराय	3274	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083753GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	75k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083151FP	0.0560	सराय	9917	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083151FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	तमाम	4	-	-	8	63MW
768141333GP	1.2132	सराय	4898	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	33k	तमाम	13	-	-	14	100MW
752103101GPTR7	1.4693	सराय	3837	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	100	तमाम	5	-	-	10	160MW
766163272JPTR13	-	सराय	2445	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर											तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163272JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	3,000
S42C083332GP	0.0813	सराय	9877	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083332GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	3.3k	तमाम	4	-	-	8	63MW